摘要
基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
Based on Y parameters of device, high-frequency noise characteristics of Si/Si1-xGex HBT＇s is simula ted. As the Ge fraction increases, the high-frequency minimum noise figure of Si/Si1-xGex HBT decreases. The re suhs show that Si/SiGe HBTs have excellent high frequency noise characteristics, compared with Si BJT.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期27-29,共3页
Microelectronics
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101)
国家自然科学基金资助项目(60376033)
北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
