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分立器件

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摘要 FGA25N120ANTD:1200VNPT沟道IGBT 飞兆半导体公司推出1200VNPT沟道IGBTFGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(1H)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、1H电饭煲和其它1H炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低10℃,因而能够延长系统寿命。
出处 《世界电子元器件》 2005年第12期91-91,共1页 Global Electronics China
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