硅的射频等离子体氧化研究
-
1徐志元,刘春荣.锗上等离子体氧化,氮化膜的制备[J].中外技术情报,1993(10):16-17.
-
2马忠元,王立,陈坤基,李伟,张林,鲍云,王晓伟,徐俊,黄信凡,冯端.等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):454-457. 被引量:1
-
3鲍云,蒋明,李伟,马忠元,黄少云,王立,黄信凡,陈坤基.等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质[J].Journal of Semiconductors,2001,22(8):1011-1014. 被引量:4
-
4何刚,方起,张立德.高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究[J].功能材料,2004,35(z1):1433-1435. 被引量:2
-
5黄锐,王旦清,王祥,陈坤基.掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究[J].激光与红外,2010,40(8):901-903.
-
6王久敏,陈坤基,宋捷,余林蔚,马忠元,李伟,黄信凡.超薄硅基介质膜的制备技术与表征方法研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(1):149-153.
-
7丁宏林,刘奎,王祥,方忠慧,黄健,余林蔚,李伟,黄信凡,陈坤基.控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响[J].物理学报,2008,57(7):4482-4486. 被引量:3
-
8半导体微电子技术与纳米技术[J].电子科技文摘,2005,0(10):24-31.
-
9吴良才,戴敏,黄信凡,李伟,陈坤基.包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象[J].山东科技大学学报(自然科学版),2003,22(z1):50-52.
-
10朱达,马忠元,梅嘉欣,韩培高,黄信凡,陈坤基.含氢a-Si:H/SiO_2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究[J].科学通报,2004,49(20):2045-2048.
;