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立方氮化硼薄膜的织构生长 被引量:3

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摘要 立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。
机构地区 兰州大学物理系
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期499-501,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献2

  • 1张仿清,Appl Phys Lett,1994年,65卷,8期,971页 被引量:1
  • 2郭永平,Phys Stat Sol,1994年,143卷,1期,K13页 被引量:1

同被引文献39

引证文献3

二级引证文献6

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