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a-Si:H膜的光电特性

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摘要本文从光激发电子空穴对的产生率、载流子的传输特性、载流子的收集效率、膜中的电场分布等方面,来叙述a-Si:H膜的光电导特性。

作者贾正根

机构地区南京电子器件研究所

出处《真空电子技术》北大核心 1989年第1期35-39,共5页 Vacuum Electronics

关键词掺氢非晶硅光电特性光电导膜

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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真空电子技术

1989年第1期

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