期刊文献+

失效机理鉴别在加速试验中的作用 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 就正常使用条件下出现的某些主要失效机理而论,加速寿命试验技术提供了一种研究电子元器件可靠性的简便方法.淡而,加速试验经常是在不知道失效机理,以及不保证被试验所加速的失效机理与正常使用条件下所观察到的失效机理相同的情况下进行.本文总结了电子元器件和封壳的普通失效机理,并研究了在加速试验过程中可能出现的失效机理转变.
机构地区 重庆试验设备厂
出处 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第5期27-34,共8页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing
  • 相关文献

同被引文献14

  • 1王赋攀,杨鹏.MOSFET功率开关器件的散热计算[J].通信电源技术,2005,22(1):31-33. 被引量:14
  • 2曲喜新.固体钽电容器的失效机理.电子元件与材料,1988,7(4):1-11. 被引量:1
  • 3郑浩,高静,董磊.怎样用万用表检测电子元器件[M].北京:人民邮电出版社,1988. 被引量:1
  • 4GB/T4586-1994,半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管[S].1994. 被引量:1
  • 5SOFIA J W. Analysis of thermal transient data with synthesized dynamic models for semiconductor devices [C] // Proe Electro/99 Technical Program. Boston, MA, USA. 1999: 117-124. 被引量:1
  • 6CHUNG T Y, KIM M H, BAEK J H. Junction-to- top and junction-to-board thermal resistance measurement for 119 BGA packages [C] //Ann IEEE Semicond Thermal Measur Manag Symp. San Diego, CA, USA. 1999: 142-150. 被引量:1
  • 7SOHWEITZER D. The junction-to-case thermal resistance: a boundary condition dependent thermal metric [C] // IEEE Semi-Therm Syrup. Santa Clara, CA, USA. 2010: 151-156. 被引量:1
  • 8Blackburn D L. Power MOSFET temperature measurements [C]// IEEE Power Elec Specialists Conf. Cambridge, MA, USA. 1982: 400-407. 被引量:1
  • 9FILICORI F, R1NALDI P, VANNINI G, et al. A new technique for thermal resistance measurement in power electron devices. IEEE Trans Instrum Measur, 2005, 54(5): 1921-1925. 被引量:1
  • 10XU Y B, WANG H T, Measurement of interracial YAMAZAKI M, et al. thermal resistance by periodic heating and a thermo-reflectance technique . The Japan Institute of Metals, 2007, 48(2): 148- 150. 被引量:1

引证文献3

二级引证文献13

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部