微弱光探测器件的设计考虑被引量：2

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摘要制作了具有分离外保护环结构的硅光电二极管，这种结构的中心区域为光敏感区，与中心区周边相距５０μｍ处制作了宽度为３０μｍ的外保护环区。当器件应用时，可将外保护环二极管短路，中心区作光探测。这样，在光敏区表面周边约一个少于扩散长度范围内的反向漏电流被外保护环短路，对光敏区的暗电流无贡献，从而有效地减少了光探测器件的暗电流，降低了器件可测光的功率值。

作者尹长松刘欢黄黎蓉

机构地区武汉大学物理系

出处《半导体杂志》 1995年第2期1-4,共4页

关键词光电二极管微弱光探测

分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学] TN151

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