纳米硅薄膜的特点及其制备技术被引量：2

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摘要作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

作者林鸿溢武旭辉

机构地区北京理工大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期54-56,共3页 Semiconductor Technology

基金国家自然科学基金

关键词半导体薄膜纳米硅薄膜等离子体增强化学气相淀积

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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相关文献

参考文献2

1林鸿溢,余卫武,武旭辉,何宇亮.纳米硅薄膜分形凝聚模型[J].Journal of Semiconductors,1995,16(8):567-573. 被引量：11
2林鸿溢.跨世纪新学科──纳米电子学[J].电子学报,1995,23(2):59-64. 被引量：19

二级参考文献28

1林鸿溢.a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):430-434. 被引量：9
2林鸿溢，电子学报，1995年，23卷，2期，57页被引量：1
3林鸿溢，北京理工大学学报，1994年，1卷，74页被引量：1
4何宇亮，Chin Phys Lett，1993年，10卷，9期，539页被引量：1
5林鸿溢，1993年被引量：1
6张焱，硕士学位论文，1993年被引量：1
7何宇亮，中国科学.A，1992年，9卷，995页被引量：1
8林鸿溢，分形论.奇异性探索，1992年被引量：1
9林鸿溢，Thin Film Phys Appl，1991年，1519卷，210页被引量：1
10林鸿溢，Proc of photovoltaic sci and engin conf，1990年被引量：1

共引文献22

1沈海军,史友进.纳米电子器件与纳米电子技术[J].微纳电子技术,2004,41(6):14-19. 被引量：8
2李星国.纳米材料的研究及其应用[J].纺织科学研究,2004,15(2):33-38. 被引量：4
3林鸿溢.纳米电子技术的新发展与国家安全[J].莆田学院学报,2005,12(2):53-58. 被引量：1
4林鸿溢.分形论的产生、发展及其在半导体中的应用（2）[J].半导体杂志,1995,20(2):17-24.
5文舸一.计算电磁学的进展与展望[J].电子学报,1995,23(10):62-69. 被引量：12
6孙前芳,李玲.分形在纳米材料科学中的应用及发展趋势[J].材料导报,2005,19(10):4-7. 被引量：4
7林鸿溢.纳米科学技术的进展[J].北京理工大学学报,1997,17(6):665-670. 被引量：5
8林鸿溢,杨仕明,刘天庆,王越.从电子的发现到信息技术的发展——纪念汤姆逊发现电子一百周年[J].今日电子,1997(12):77-79.
9李玉铭,李山东,林鸿溢.纳米半导体及其应用[J].物理化学学报,1997,13(11):1052-1056. 被引量：4
10贾士亮,张维佳,刘浩,张心强,郭卫,吴倞.纳米硅薄膜太阳能电池的绒面结构研究[J].电子元件与材料,2009,28(3):30-34. 被引量：4

同被引文献42

1赵占霞,崔容强,赵百川,孟凡英,于化丛,陈凤翔,周之斌.溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池[J].真空,2004,41(5):11-14. 被引量：2
2万明芳,魏希文,何宇亮.纳米硅簿膜制备工艺的研究[J].大连理工大学学报,1995,35(6):801-804. 被引量：3
3钟立志,张维佳,崔敏,吴小文,李国华,丁琨.纳米硅薄膜光学性质的测定与研究[J].半导体光电,2005,26(4):327-329. 被引量：6
4何宇亮,韦亚一,余明斌,郑国珍,刘明,张蔷.对纳米硅薄膜高电导机制的探讨[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):193-201. 被引量：13
5Notzel R. Self-organized growth of quantum-dot structures [J].Semicond Sei Techn, 1996,11:1365. 被引量：1
6Boering D W, Tsu R. Research & development on proper ties of nanometer silicon film materials[J]. Phys Rev, 1995, B51 : 13337. 被引量：1
7Veprek S, Marecek V. The preparation of thin layers of Ge and Si by chemical hydrogen plasma transport[J]. Solid State Electron, 1968,11 : 683. 被引量：1
8Shah A, Torres P, Tscharner R, et al. Photovoltaic technology: The case for thin film solar cells[J]. Science,1999, 285:692. 被引量：1
9Cutlis A G, Canham L T, Calcott P D J. The structural and luminescence properties of porous silicon [J]. Appl Phys, 1997,82:909. 被引量：1
10Toyama T, Kotani Y, et al. Light emission from nanocrystalline Si thin-film light emitting diodes due to tunneling carrier injection[J].Appl Phys Lett, 1998,72 : 1489. 被引量：1

引证文献2

1张心强,张维佳,武美伶,贾士亮,刘浩,李国华.纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池[J].功能材料,2007,38(10):1741-1744. 被引量：7
2刘本锋,赵青南,潘震,冯敏鸽.纳米硅薄膜及磁控溅射法沉积[J].材料导报,2009,23(23):30-33. 被引量：3

二级引证文献10

1贺芳,胡文波.纳米硅薄膜冷阴极研究进展[J].真空电子技术,2012,25(6):48-53.
2贾士亮,张维佳,刘浩,张心强,郭卫,吴倞.纳米硅薄膜太阳能电池的绒面结构研究[J].电子元件与材料,2009,28(3):30-34. 被引量：4
3陈丽白,郭震宁,杨小儒.(nc-Si/SiO_2)/SiO_2多层量子点结构的激子能级[J].光学学报,2009,29(5):1320-1323. 被引量：2
4冉隆文.磷化合物在化学电池工业中的应用[J].贵州工业职业技术学院学报,2010,6(2):4-11.
5史少飞,吴爱民,张学宇,姜辛.HIT太阳能电池的发展概况[J].材料导报,2011,25(13):130-133. 被引量：5
6吴闰生,欧阳晓芳,李荣,刘澄宇,查国君,刘波,朱桂新.纳米硅薄膜太阳能电池的制备及特性研究[J].江西科学,2012,30(6):784-787.
7乔泳彭,蒋百灵,鲁媛媛,牛毅,张岩.H_2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响[J].人工晶体学报,2013,42(11):2280-2287. 被引量：2
8张珈铭,张念波,张静全,李卫,武莉莉,黎兵,冯良桓.PECVD法硅纳米晶体的制备及在线表面改性[J].西南民族大学学报（自然科学版）,2014,40(6):928-934. 被引量：2
9乔泳彭,蒋百灵.Ar气流量对磁控溅射制备微晶硅薄膜微观结构及光/电学性能的影响[J].人工晶体学报,2015,44(2):361-367.
10荣融,厉宝增.金属纳米粒子对硅薄膜太阳能电池光吸收效率影响的研究[J].科技创新与应用,2016,6(4):43-43.

1杨涛,刘肃,李思渊,王永顺,李海蓉.槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管[J].半导体技术,2008,33(1):65-67.
2邢艳辉,邓军,韩军,李建军,沈光地.引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究[J].物理学报,2009,58(1):590-595. 被引量：3
3李军阳,李健志,张冬艳.管式PECVD功率对膜性能的影响[J].半导体行业,2008(1):59-60. 被引量：1
4肖和平,孙如剑,马祥柱,杨凯,张双翔.PECVD法制备SiO_2薄膜致密性的特性[J].激光与光电子学进展,2016,53(12):269-274. 被引量：4
5李军阳,陈特超,禹庆荣.多晶硅太阳电池PECVD氮化硅钝化工艺的研究[J].电子工业专用设备,2008,37(10):46-48. 被引量：12
6应用材料公司推出先进化学气相淀积薄膜技术[J].中国集成电路,2012(4):5-6.
7郭辉,王煜,张海霞,田大宇,张国炳,李志宏.PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究[J].中国机械工程,2005,16(z1):346-348. 被引量：2
8发明与专利[J].传感器世界,2014,20(12):48-49.
9陈蒲生,张昊,冯文修,田小峰,刘小阳,曾绍鸿.富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性[J].华南理工大学学报（自然科学版）,2001,29(2):31-34. 被引量：1
10胡明雨,陈震,杨决宽,庄苹,朱健,陈云飞.二氧化硅薄膜导热系数试验研究[J].东南大学学报（自然科学版）,2005,35(3):396-399. 被引量：7

半导体技术

1995年第5期

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