MeV高能离子注入Si中二次缺陷控制

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摘要提出了几种用于解决离子注入Si中二次缺陷控制的有效新途径,阐明了这些过程的物理机制,并通过实例对这些新方法的重要应用价值做了简单讨论。

作者卢武星

机构地区北京师范大学

出处《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1995年第3期371-377,共7页

基金国家自然科学基金

关键词高能离子注入辐射损伤二次缺陷硅半导体

参考文献2

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1995年第3期

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