用表面分析方法直接研究亚稳态条件下金刚石的生长机理被引量：1

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摘要低压气相生长金刚石是在石墨处于稳态而金刚石处于亚稳态条件下进行的。利用原子H对石墨的腐刻速率比对金刚石要大两个数量级,在生长室中加入过饱和的原子氢,造成有利于金刚石生长而抑制石墨生长的动力学优势。对于金刚石生长机制的研究,目前已基本确定CH_3/CH_4和C_2H_2是金刚石主要的前驱生长基团,但对于它们对金刚石(111)和(100)面的贡献还没有取得统一的认识。

作者孙碧武刘朝晖林彰达

机构地区中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室

出处《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1995年第2期167-170,共4页

关键词金刚石生长机理表面分析

分类号 TQ164.8 [化学工程—高温制品工业]

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自然科学进展（国家重点实验室通讯）

1995年第2期

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