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单晶开发动态
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摘要
日本早稻田大学材半斗研究所于2004年11月举办了单晶开发及应用研讨会,会上介绍了GaN系发光材料及半导体光刻用氟化钙等开发的最新动态。
作者
杨晓婵
出处
《现代材料动态》
2005年第5期6-7,共2页
Information of Advanced Materials
关键词
开发动态
单晶
应用研讨会
2004年
半导体光刻
发光材料
研究所
早稻田
新动态
氟化钙
GAN
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TE372 [石油与天然气工程—油气田开发工程]
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现代材料动态
2005年 第5期
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