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IGBT关断瞬态特性分析 被引量:2

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摘要 本文基于NJT的开基区关断过程,提出了IGBT关断瞬态的电荷控制模型,正确描述了阴极处耗尽层扩展区效应及反注入少数载流予效应,推导出关断时电流随时间的解析表达式,并讨论了缩短关断时间,优化器件设计的原则。
作者 刘晖 余岳辉
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第6期55-57,共3页 Microelectronics
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