摘要
本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最后给出我们选定的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺方案及主要电学参数。
A 2-μm p-Well CMOS Procese has been developed. The design of different processes schemes,,selection andmodification of major porameters and experimental results are described in the paper.Comparisons of different processesand results are ptesented,Principol electric parameters for the selected 2-μm p-well CMOS process given.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第2期51-55,共5页
Microelectronics
