分子束外延生长氮掺杂p型ZnSe中的深空穴陷阱
出处
《发光快报》
CSCD
1994年第3期9-12,共4页
-
1邓冬梅,吴春瑜,王金延,文正,郝一龙,王阳元.金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文)[J].稀有金属材料与工程,2006,35(A02):161-164.
-
2刘忠立.薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究[J].Journal of Semiconductors,2001,22(7):904-907. 被引量:2
-
3金属与导电材料[J].电子科技文摘,2003,0(5):9-10.
-
4苏志国,许金通,陈俊,李向阳,刘骥,赵德刚.非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象[J].Journal of Semiconductors,2007,28(6):878-882.
-
5周洁封,松林,卢励吾,司承才,李言谨,胡晓宁.n-Hg_(1-x)Cd_xTe中复合中心[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):29-32.
-
6府治平,吕东梁,詹千宝,周继程.GaAs中空穴陷阱A,B能级的热力学性质[J].金属学报,1992,28(5).
-
7揭斌斌,薩支唐.MOS Capacitance-Voltage Characteristics Ⅲ.Trapping Capacitance from 2-Charge-State Impurities[J].Journal of Semiconductors,2011,32(12):12-27.
-
8陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平.固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):436-439.
-
9李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,杨辉.GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J].Journal of Semiconductors,2005,26(2):304-308. 被引量:3
-
10李效白.AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)[J].半导体技术,2009,34(1):1-5. 被引量:1
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