门极p层扩散参数对GTO特性影响分析

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摘要通过一维计算机数值模型分析了ＧＴＯ门极ｐ型层扩散参数对其单元特性分散性影响，表明高均匀ｐ基区扩散是实现大容量ＧＴＯ的一个重要保证。

作者陈辉明

机构地区浙江大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期29-31,共3页 Semiconductor Technology

关键词门极 p层扩散 GTO计算机数值模型特性分析

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半导体技术

1994年第6期

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