摘要
采用改进的溶胶 -凝胶技术 ,在Pt/Ti/TiO2 /SiO2 /Si( 1 0 0 )基片上制备了压电PZT薄膜 ,用XRD和AFM技术分析了不同热处理工艺条件下PZT薄膜的微观形貌变化及相结构演化 ,系统测试了PZT薄膜的铁电性能。工艺 -结构 -性能研究结果表明 :快速热处理工艺 (RTA )有利于PZT薄膜保持较低的漏电流密度 ,热处理温度是影响晶粒大小的主要因素 ,而保温时间则对PZT薄膜的致密性、晶粒均匀度和晶界结合状态以及PZT薄膜的铁电性能有明显影响。在优化热处理条件下 ,PZT薄膜的剩余极化值 (Pr)可达 2 7μC/cm2 ,漏电流密度为 1 0 -7A/cm2 。
Inthispaper,themodifiedsol- gelmethodswereutilizedtofabricatethePZTthinfilmsonPt/Ti/TiO2 /SiO2 /Si( 1 0 0 )substrates .The morphologyandphasestructureevolutionofthePZTthinfilmsannealedatdifferenttemperaturesandfordifferenttimewasanalyzedbyusingtheXRDandAFMtechniques.Thehysteresisloopofthethinfilmswasmeasuredsystematically .Therelationshipofprocess -structure - propertiesshowsthattherapidthermalannealing (RTA ) processisbenefitforthelowerleakagecurrentdensityofthePZTthinfilms.Theannealingtempera turedominatesthegrainsizesofthethinfilms .Theannealingtimehasgreateffectsonthefilmdensification ,grainhomogeneity ,thecombinationofgrainboundaryandtheferroelectricpropertiesofPZTthinfilms .Fortheoptimizedprocessing ,theremanentpolarizationofthethinfilmsisof2 7μC/cm2 andtheleakagecurrentdensityisof 1 0 -7A/cm2 .
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期531-533,共3页
Journal of Functional Materials
基金
上海市教委青年基金
国家教育部薄膜与微细加工开放研究实验室基金
