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三电平变频器中的IGBT失效机理分析 被引量:2

The Analysis of IGBT Failure Mechanism in Three-Level Inverter
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摘要 从IGBT内部结构及其瞬态能量变化的角度,针对三电平变频器中的IGBT失效现象进行了较深入的分析。并以一台160kW的三电平变频器为具体对象,以试验结果为依据,解释分析了一些典型的IGBT失效机理,并提出了相应的有效解决措施。 This paper analyzes IGBT failure mechanism of three-level inverters from the view of IGBT's inner stricture and transient electromagnetic energy.In the example of a real 160kW three-level inverter,the typical IGBT failure reasons are explained and the effective solutions for the failure are summarized based on experimental results.
出处 《电力电子》 2004年第5期30-34,共5页 Power Electronics
关键词 三电平变频器 IGBT开关器件 失效机理 three-level inverter IGBT switch device failure mechanism
  • 相关文献

参考文献1

  • 1杨晶琦编著..电力电子器件原理与设计[M].北京:国防工业出版社,1999:265.

同被引文献85

引证文献2

二级引证文献66

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