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场致发射三极管的结构模拟 被引量:4

Simulation of the structure of field emission triode
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摘要 以场致发射原理为基础 ,对场致发射三极管器件结构进行有限差分的模拟计算 .在保持其它参数不变的条件下 ,改变尖锥曲率半径、栅孔半径 ,分析对电场强度、发射电流密度及电子轨迹的影响 .针对电子注的发散问题 ,讨论双聚焦情况 . Finit-difference method is used for the simulation calculation of the structure of field emission triode. The radius of curvature of the emitter tip and the diameter of the gate hole are changed to analyze the influence on the electric field,current density and the electron trajectory. In order to keep the emitted electron beam focusing,two gate electrodes are suggested for the FEA.
出处 《山东大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期73-76,共4页 Journal of Shandong University(Natural Science)
基金 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室国防预研基金资助项目 (OOJS10 .4.1.JW2 40 1)
关键词 场致发射三极管 发射电流密度 聚焦 field emission triode emission current density focus
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Fowle R H,Nordheim L W.Electron Emission in Intense Fields [M].London: Proc R Soc,1928. 被引量:1
  • 2刘大璋.同态物理电子学[M].香港:新兴图书公司,1979.. 被引量:1
  • 3刘新程..场致发射阵列阴极的特性研究及其制造工艺[D].山东大学,2000:
  • 4杜英华..场致发射阵列阴极的模拟计算及特性研究[D].山东大学,2003:

同被引文献21

引证文献4

二级引证文献2

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