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CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算 被引量:10

FIRST PRINCIPLES CALCULATION OF THE BAND STRUCTURE OF CdTe AND HgTe
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摘要 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。 The electronic band structures of CdTe and HgTe were calculated with FLAPW method based on first Principles density functional theory. The Brent method was introduced to optimize the lattice constant. In comparison with conventional methods the Brent method can give more accurate and faster result. The result of band structure and density of state presented here well agree with experiment, moreover the results based on LSDA and GGA are compared and discussed.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期271-275,共5页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金 中国科学院"百人计划"基金 ( 2 0 0 112 ) 国家自然科学重点基金 ( 10 2 3 40 40 ) 上海市科学技术委员会重点基金 ( 0 2DJ14 0 66) 上海市信息化专项资金项目 ( 2 0 0 3 0 10 ) 国家重点基础研究资助项目 ( 60 2 2 15 0 2 )
关键词 密度泛函理论 快速搜索法 FLAPW 能带结构 碲化镉 碲化汞 半导体材料 FLAPW band structure DOS brent method
  • 相关文献

参考文献16

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同被引文献119

引证文献10

二级引证文献32

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