摘要
采用交叉耦合结构,利用TSMC 90nm 1P9M1.2V RFCMOS工艺设计的全集成LC压控振荡器(VCO),符合IEEE802.11b/g WLAN通信标准。调谐电压为0～1.2V,具有150MHz的调谐范围(2.44GHz～2.59GHz)。利用Mentor Graphics Eldo对该电路进行仿真,仿真结果显示,在2.5GHz工作频率处,相位噪声约为-122.3dBc/Hz@1MHz,功耗仅为1.9mW。
采用交叉耦合结构,利用TSMC 90nm 1P9M1.2V RFCMOS工艺设计的全集成LC压控振荡器(VCO),符合IEEE802.11b/g WLAN通信标准。调谐电压为0～1.2V,具有150MHz的调谐范围(2.44GHz～2.59GHz)。利用Mentor Graphics Eldo对该电路进行仿真,仿真结果显示,在2.5GHz工作频率处,相位噪声约为-122.3dBc/Hz@1MHz,功耗仅为1.9mW。
出处
《电子技术（上海）》
2010年第2期84-85,78,共3页
Electronic Technology
