摘要
采用溶胶凝胶法制备掺杂不同含量NiO(CaCu3NixTi4O12+x,x=0, 0.1, 0.2, 0.3)的CCTO陶瓷,通过扫描电镜和 X 射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,并研究了NiO掺杂对CCTO介电和压敏性能的影响。研究结果表明:Ni对CCTO陶瓷的相位成分没有影响,与用传统固相法制得的样品相比,用溶胶-凝胶法制成的样品具有更小的晶粒尺寸。从介电测量结果来看,当 x=0.2 时,样品具有最高的介电常数和最低的介电损耗。当x=0.3时,得到最低的漏电流,最小值为 0.295,同时,具有最高的阀值电压与非线性系数,最大值分别为1326V/mm和3.1。
采用溶胶凝胶法制备掺杂不同含量NiO(CaCu3NixTi4O12+x,x=0, 0.1, 0.2, 0.3)的CCTO陶瓷,通过扫描电镜和 X 射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,并研究了NiO掺杂对CCTO介电和压敏性能的影响。研究结果表明:Ni对CCTO陶瓷的相位成分没有影响,与用传统固相法制得的样品相比,用溶胶-凝胶法制成的样品具有更小的晶粒尺寸。从介电测量结果来看,当 x=0.2 时,样品具有最高的介电常数和最低的介电损耗。当x=0.3时,得到最低的漏电流,最小值为 0.295,同时,具有最高的阀值电压与非线性系数,最大值分别为1326V/mm和3.1。
出处
《中国有色金属学会会刊：英文版》
CSCD
2012年第S1期127-132,共6页
Transactions of Nonferrous Metals Society of China
基金
Projects (BK2011243, BK2012156) supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province
Project (EIPE11204) supported by the State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment
Project (KF201104) supported by the State Key Laboratory of New Ceramic and Fine Processing
Project (KFJJ201105) supported by the Opening Project of State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices
Project (10KJD430002) supported by the Universities Natural Science Research Project of Jiangsu Province
Project (CJ20125001) supported by the Application Program for Basic Research of Changzhou
Project (11JDG084) supported by the Research Foundation of Jiangsu University
关键词
钛酸铜钙
溶胶-凝胶法
电容器
记忆装置
电性能
显微组织
相变
CaCu3Ti4O12
sol-gel
capacitors
memory devices
electrical properties
microstructure
phase transition
