摘要
InP量子点因其发光性能优异和无毒的优势,替代Cd族和含铅钙钛矿量子点成为量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,QLED)发光材料的主要选择。近几年,InP QLED器件发展迅速,红、绿和蓝光器件效率分别达到了22.56%、16.3%和2.8%,但相比于Cd族量子点仍有较大的研究空间。文章从不同基色InP QLED中发光层优化研究、InP QLED中载流子传输层研究两方面总结了InP QLED的研究进展,内容主要集中于发光层材料的优化和界面层的选择,其性能的进一步提升仍需着眼于材料和结构的双重研究。
出处
《光源与照明》
2022年第S01期118-122,128,共6页
Lamps & Lighting
