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表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究
被引量:
2
1
作者
黎丽琳
王维臣
《传感器世界》
1997年第9期40-42,共3页
本文介绍了采用表面修饰技术,利用气敏元件表面覆盖生长的SiO_2分子膜的滤过作用,得到高选择性SnO_2半导体H_2敏感元件的方法,并对元件的特性及机理进行了分析.
关键词
灵敏度
稳定性
表面覆膜
半导体
气敏元件
下载PDF
职称材料
题名
表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究
被引量:
2
1
作者
黎丽琳
王维臣
机构
黑龙江
敏感
技术产业
集团
有限公司
传感器
技术
公司
出处
《传感器世界》
1997年第9期40-42,共3页
文摘
本文介绍了采用表面修饰技术,利用气敏元件表面覆盖生长的SiO_2分子膜的滤过作用,得到高选择性SnO_2半导体H_2敏感元件的方法,并对元件的特性及机理进行了分析.
关键词
灵敏度
稳定性
表面覆膜
半导体
气敏元件
Keywords
Gas Sensor Hydrogen, High Sensitivity, High Stability, High Selectivity, Surface Coating
分类号
TN379.052 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究
黎丽琳
王维臣
《传感器世界》
1997
2
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