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表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究 被引量:2
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作者 黎丽琳 王维臣 《传感器世界》 1997年第9期40-42,共3页
本文介绍了采用表面修饰技术,利用气敏元件表面覆盖生长的SiO_2分子膜的滤过作用,得到高选择性SnO_2半导体H_2敏感元件的方法,并对元件的特性及机理进行了分析.
关键词 灵敏度 稳定性 表面覆膜 半导体 气敏元件
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