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紫外线消毒技术的研究现状及发展趋势 被引量:43
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作者 文尚胜 左文财 +3 位作者 周悦 叶倩楠 覃东欢 陈贤东 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期664-670,共7页
在COVID-19流行期,为考察新型紫外线消毒技术研究及其应用状况,对紫外发光二极管和222nm远紫外消毒技术两类新型紫外消毒技术进行了探讨。详细介绍了UV-LED的单波长照射,脉冲紫外照射和多波长协同照射三种消毒方案的研究进展、应用场所... 在COVID-19流行期,为考察新型紫外线消毒技术研究及其应用状况,对紫外发光二极管和222nm远紫外消毒技术两类新型紫外消毒技术进行了探讨。详细介绍了UV-LED的单波长照射,脉冲紫外照射和多波长协同照射三种消毒方案的研究进展、应用场所并对其潜力进行了探讨;重点介绍了222nm远紫外消毒技术,对其应用和未来发展做出了展望;讨论了UV-LED现阶段遇到的问题并对紫外消毒市场发展做出了展望,预计未来紫外消毒市场中将形成汞灯为主,LED为辅,两者相互补充的格局。 展开更多
关键词 生物光学 紫外线消毒 低压汞灯 紫外发光二极管 远紫外
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OLEDs中的激子及其高效利用 被引量:8
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作者 马东阁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期174-185,I0001,共13页
有机发光二极管(OLEDs)是基于有机半导体的发光器件,由于具有自发光、响应速度快、发光颜色可调、轻薄、大面积柔性可弯曲等优点,被认为是新一代的显示和照明技术。OLEDs是通过注入的电子和空穴复合形成激子并辐射发光的过程,因此如何... 有机发光二极管(OLEDs)是基于有机半导体的发光器件,由于具有自发光、响应速度快、发光颜色可调、轻薄、大面积柔性可弯曲等优点,被认为是新一代的显示和照明技术。OLEDs是通过注入的电子和空穴复合形成激子并辐射发光的过程,因此如何有效利用激子,特别是三线态激子,已经成为OLEDs材料和器件研究的重要课题。其中,如何把三线态激子能量转换成单线态激子,并最终实现100%激子的荧光发射更具有应用价值,最近几年这方面的研究已经取得了显著进展。本文从OLEDs的工作原理和发光过程出发,详细介绍了制备高效率荧光OLEDs的有效方法及其最新进展,并对未来发展方向进行了展望,为OLEDs材料和器件的研究提供重要参考。 展开更多
关键词 有机发光 激子 高效利用 单线态和三线态
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绿色柔性喷墨打印银纳米墨水研究综述 被引量:8
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作者 宁洪龙 陶瑞强 +7 位作者 姚日晖 陈建秋 杨财桂 周艺聪 蔡炜 朱镇南 彭俊彪 宋永生 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第17期2959-2968,共10页
传统导电薄膜的图形化需使用光刻工艺,涉及显影、刻蚀等多个工艺步骤,存在耗时长、器件各功能层构建复杂、成本高昂等不足。喷墨打印作为一种非真空、非接触、无掩膜、低成本、高通量、精准、便捷的桌面型沉积技术,可用于金属导线直接... 传统导电薄膜的图形化需使用光刻工艺,涉及显影、刻蚀等多个工艺步骤,存在耗时长、器件各功能层构建复杂、成本高昂等不足。喷墨打印作为一种非真空、非接触、无掩膜、低成本、高通量、精准、便捷的桌面型沉积技术,可用于金属导线直接图形化制备,能够节约材料与时间,在柔性大面积电子器件中的应用潜力日益凸显。高性能环保导电墨水的开发是喷墨打印柔性电极制备技术最主要的瓶颈之一,其应满足无毒安全、低温烧结、高导电等需求。早期有机材料由于具有易溶液加工特性被选作可打印导体材料,如聚苯胺和PEDOT/PSS,但它们的导电性低,且化学、热、电学性质不稳定。而金墨水价格昂贵,铜墨水易氧化。相比较而言,银墨水具有高导电性、抗氧化性、稳定性以及相对合理的成本等优势,在打印电子器件领域引起了更加广泛的关注,目前已经实现商业化生产。随着电子器件在低成本、低能量消耗、高效率生产与柔性方面的需求日益增长,导电纳米银墨水的配制不仅需要考虑打印电子器件的高性能,更要满足绿色环保与低温烧结的要求。近年来,针对环保低温的高导电喷墨打印墨水制备技术,诸多研究者不仅致力于改善墨水体系,开发环保的水性墨水,还关注新型的低温烧结技术。在传统热烧结条件下,以月桂酸为分散剂、硼酸钠为还原剂的银纳米颗粒型墨水在烧结温度为125℃时电阻率为6.6μΩ·cm,而以氨水为络合剂、甲酸为还原剂的无颗粒纯溶液墨水在90℃烧结时电阻率为1.6μΩ·cm。新型烧结技术在一定程度上突破了高性能墨水喷墨打印工艺与低温烧结的限制,目前已使银电极烧结温度降低到100℃以下,电阻率低于6μΩ·cm。水性墨水的开发可减少毒性废料的产生,同时若采用多聚电解质作为分散剂,则稳定性更优于有机墨水,利于大规模生产。本文 展开更多
关键词 喷墨打印 电极 绿色 柔性 银纳米墨水
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溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜及薄膜晶体管的研究进展 被引量:6
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作者 刘贤哲 张旭 +7 位作者 陶洪 黄健朗 黄江夏 陈艺涛 袁炜健 姚日晖 宁洪龙 ‡彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第22期242-257,共16页
透明导电氧化物(transparent conductive oxides, TCOs)薄膜和透明氧化物半导体(transparent oxide semiconductors, TOSs)薄膜具有高透明度和良好的导电率等特点,广泛应用于太阳能电池、平板显示、智能窗以及透明柔性电子器件等领域.... 透明导电氧化物(transparent conductive oxides, TCOs)薄膜和透明氧化物半导体(transparent oxide semiconductors, TOSs)薄膜具有高透明度和良好的导电率等特点,广泛应用于太阳能电池、平板显示、智能窗以及透明柔性电子器件等领域.大多数TCOs和TSOs薄膜主要是以氧化铟、氧化锌和氧化锡三种材料为基础衍生来的,其中,氧化铟薄膜中In元素有毒、含量稀少且价格昂贵,会造成环境污染;氧化锌薄膜对酸或碱刻蚀液敏感,薄膜图形化困难;氧化锡薄膜不仅无毒、无污染、价格低廉,还具有良好的电学性能和化学稳定性,具有巨大的发展潜力.目前,薄膜的制备主要依赖于真空镀膜技术.此类技术的缺点在于设备结构复杂且价格昂贵、能耗高、工艺复杂、生产成本高等.相比传统真空镀膜技术,溶胶-凝胶法具有工艺简单、成本低等优点,受到了人们的广泛关注.本文从TCOs和TSOs薄膜的发展现状和发展趋势出发,先介绍了氧化锡薄膜的结构特性、导电机制、元素掺杂理论以及载流子散射机理,然后介绍了溶胶-凝胶法原理和制备方法,接着介绍了近些年来溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜在n型透明导电薄膜、薄膜晶体管以及p型半导体薄膜中的应用和发展,最后总结了当前存在的问题以及今后研究的方向. 展开更多
关键词 氧化锡 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物薄膜 透明氧化物半导体薄膜 薄膜晶体管 p型半导体薄膜
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喷墨打印电极在薄膜晶体管中的应用 被引量:5
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作者 宁洪龙 杨财桂 +7 位作者 陈建秋 陶瑞强 周艺聪 蔡炜 朱镇南 魏靖林 姚日晖 彭俊彪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期742-748,共7页
喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷... 喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷墨打印电极工艺优化进行了总结,并指出了现阶段喷墨打印电极在薄膜晶体管应用中存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 喷墨打印 导电墨水 电极 薄膜晶体管
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旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用 被引量:4
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作者 钟云肖 周尚雄 +6 位作者 姚日晖 蔡炜 朱镇南 魏靖林 徐海涛 宁洪龙 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期214-219,共6页
采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无... 采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响。当转速为5 000 r/min、退火温度为300℃时,制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性,粗糙度为0.7 nm,漏电流为3.13×10-5A/cm2(电场强度1 MV/cm)。最终,利用Zr O2薄膜作为栅极绝缘层,在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s),开关比为2×104。 展开更多
关键词 氧化锆薄膜 溶液法 旋涂转速 退火温度
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柔性氧化物薄膜晶体管研究进展 被引量:4
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作者 张立荣 肖文平 +5 位作者 谢飞 赵良红 刘淳 李非凡 左文财 吴为敬 《材料研究与应用》 CAS 2022年第5期718-729,共12页
氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro... 氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro LED)、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构,介绍了柔性氧化物TFT的研究进展,包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状,并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 氧化物半导体 氧化物薄膜晶体管 柔性衬底 显示器
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铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善 被引量:3
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作者 宁洪龙 胡诗犇 +9 位作者 朱峰 姚日晖 徐苗 邹建华 陶洪 徐瑞霞 徐华 王磊 兰林锋 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期65-71,共7页
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu... 在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求. 展开更多
关键词 高导互联 非晶氧化铟镓锌 薄膜晶体管 铜-钼源漏电极
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电荷生成层中引入超薄金属Ag层对串联有机发光二极管性能的提升 被引量:3
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作者 陶洪 高栋雨 +4 位作者 刘佰全 王磊 邹建华 徐苗 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期293-300,共8页
为了获得高效、长寿命的白光有机发光二极管(white organic light-emitting diode,WOLED),一种方法是将不同颜色的发光单元通过电荷生成层(charge generation layer,CGL)串联起来获得白光,即串联WOLED.其中,CGL的选择与设计是高性能串... 为了获得高效、长寿命的白光有机发光二极管(white organic light-emitting diode,WOLED),一种方法是将不同颜色的发光单元通过电荷生成层(charge generation layer,CGL)串联起来获得白光,即串联WOLED.其中,CGL的选择与设计是高性能串联白光器件的关键.本文首先从绿光OLED着手,通过在CGL层中引入超薄的Ag金属层,获得了高效、长寿命的串联器件.引入超薄Ag金属层的绿光串联OLED的最大亮度达到了290000 cd/m^2,分别是单层器件和无超薄Ag金属层器件的2.9倍与2.4倍;在1000 cd/m^2下,引入超薄Ag金属层的器件电流效率达到了59.5 cd/A,相比于无超薄金属层的串联器件的58.7 cd/A,以及非串联的单层器件的17.1 cd/A,分别增加了1.4%与248%;同时,与无超薄层的串联器件相比,引入超薄Ag金属层的器件工作电压从8.6 V降为7.2 V;功率效率从21.5 lm/W上升为26 lm/W.特别地,在初始测试亮度为10000 cd/m^2的条件下,包含超薄Ag金属层的串联器件的工作寿命T80超过了250 h,与无超薄层串联器件仅2.7 h寿命相比,提高近100倍.最后,我们使用优化后的CGL制备出高性能串联WOLED,在1000 cd/m^2下,电流效率达到了75.9 cd/A,功率效率达到了36.1 lm/W,且10000 cd/m^2的初始亮度下T80有77 h.这些优异的器件性能归结于超薄金属层的引入,抑制了Bphen:Cs CO_3与HAT-CN在界面处的相互扩散,同时也促进了载流子的生成与传输.这一结果为设计高效且稳定的WOLED提供了有效的思路. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 串联 寿命 载流子产生层
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氧化物靶材的制备及研究进展 被引量:3
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作者 付钰斌 宁洪龙 +7 位作者 邹文昕 吴振宇 张康平 郭晨潇 刘丁荣 侯明玥 姚日晖 彭俊彪 《材料研究与应用》 CAS 2022年第3期362-368,共7页
氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。... 氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。以显示行业中氧化物靶材作为重点,介绍了氧化物靶材制备流程,主要从素坯成型、烧结工艺两个角度对氧化物靶材进行总结,分析了烧结工艺对靶材参数与溅射薄膜电阻率、光学透射率及粗糙度等方面的影响,最后阐述了国内外氧化物靶材市场的现状及发展趋势。 展开更多
关键词 氧化物 溅射靶材 成型 烧结 薄膜
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室温生长AZO/Al2O3叠层薄膜晶体管性能研究 被引量:2
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作者 宁洪龙 曾勇 +12 位作者 姚日晖 刘贤哲 陶瑞强 郑泽科 方志强 胡诗犇 陈建秋 蔡炜 徐苗 兰林锋 王磊 彭俊彪 李正操 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1372-1377,共6页
针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得较好的器件性能。该器件采用脉冲激光沉积技术制备的AZO/Al_2O_... 针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得较好的器件性能。该器件采用脉冲激光沉积技术制备的AZO/Al_2O_3叠层结构作为沟道层。与单层AZO-TFT器件相比,叠层TFT器件具有更优异的性能,其迁移率为2.27 cm2·V-1·s-1,开关比为1.43×106。通过对AZO/Al_2O_3叠层薄膜的厚度、密度、粗糙度、物相、界面特性及能带结构等进行分析,发现这种叠层结构能够使电子的运动被限制在AZO薄膜平面内,即形成了二维电子传输,从而提升TFT器件的性能。 展开更多
关键词 叠层薄膜晶体管 室温工艺 二维电子传输
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CELL段OLED检测技术的现状及发展趋势 被引量:2
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作者 邱天 林晓燕 +4 位作者 张昕 秦传波 蔡振荣 罗琳 宁洪龙 《光电子技术》 CAS 2021年第4期324-332,共9页
分析了发展CELL(成盒单元)段OLED检测技术和检测设备的机遇和挑战,列举了成盒单元段OLED检测技术、检测设备和目前流行的主要设备制造商,并对一些核心产品及技术进行了分类和介绍,并从研究的角度对学术界在CELL段亮暗点检测和MURA检测... 分析了发展CELL(成盒单元)段OLED检测技术和检测设备的机遇和挑战,列举了成盒单元段OLED检测技术、检测设备和目前流行的主要设备制造商,并对一些核心产品及技术进行了分类和介绍,并从研究的角度对学术界在CELL段亮暗点检测和MURA检测的研究内容进行了分类和总结,分析了不同方法的优缺点。最后,给出了未来几年内CELL段OLED检测技术和设备可能的发展趋势。 展开更多
关键词 有机发光二极管 成盒单元 缺陷 检测
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基于双噻吩酰亚胺聚合物给体的侧链调控与光伏性能研究 被引量:1
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作者 白原青 张佳滨 +3 位作者 刘春晨 胡志诚 张凯 黄飞 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期242-252,共11页
采用苯并二噻吩(BDT)作为给电子单元,分别与具有2-乙基己基和甲基侧链的双噻吩酰亚胺(BTI)缺电子单元共聚构筑了两个聚合物给体材料(pBDT-BTI-EH和pBDT-BTI-ME).与pBDT-BTI-EH∶Y6相比,基于p BDT-BTI-ME∶Y6的器件具有更高的电荷迁移率... 采用苯并二噻吩(BDT)作为给电子单元,分别与具有2-乙基己基和甲基侧链的双噻吩酰亚胺(BTI)缺电子单元共聚构筑了两个聚合物给体材料(pBDT-BTI-EH和pBDT-BTI-ME).与pBDT-BTI-EH∶Y6相比,基于p BDT-BTI-ME∶Y6的器件具有更高的电荷迁移率、更低的载流子复合、更高的激子解离以及更优的薄膜形貌,从而获得了更高的短路电流密度(J_(SC))和填充因子(FF),电池的能量转换效率由9.31%提高到15.69%. 展开更多
关键词 有机太阳电池 聚合物给体 双噻吩酰亚胺 侧链调控
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有机发光器件光输出效率分析 被引量:1
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作者 徐艳梅 王晓阳 +4 位作者 张春平 莫越奇 吴宏滨 曹镛 Yu Gang 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期95-99,共5页
本文对以MEH-PPV为发光层发光器件的光输出特性进行了研究,在考虑发光层的吸收及不同的波长情况下对器件的光输出进行了数值模拟,并在此基础上对器件进行改进.经过比较,改进后的器件提高了光的透射率和最大发光角.将此方法与Garbuzov等... 本文对以MEH-PPV为发光层发光器件的光输出特性进行了研究,在考虑发光层的吸收及不同的波长情况下对器件的光输出进行了数值模拟,并在此基础上对器件进行改进.经过比较,改进后的器件提高了光的透射率和最大发光角.将此方法与Garbuzov等人设计的器件进行结合,计算得出结合后的器件比原器件的光能输出提高了约30%. 展开更多
关键词 有机电致发光 透射率 发光角 输出耦合效率
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全聚合物太阳电池材料与器件 被引量:1
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作者 刘春晨 白原青 +1 位作者 胡正伟 黄飞 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1948-2000,共53页
全聚合物太阳电池的光活性层中的给受体材料均由聚合物构成,其具有优异的形貌稳定性及机械稳定性等突出优点,在实现大面积、柔性有机太阳电池的制备中具有较大潜力,引起了越来越多研究者的兴趣.随着各种新型聚合物给体/受体材料相继被... 全聚合物太阳电池的光活性层中的给受体材料均由聚合物构成,其具有优异的形貌稳定性及机械稳定性等突出优点,在实现大面积、柔性有机太阳电池的制备中具有较大潜力,引起了越来越多研究者的兴趣.随着各种新型聚合物给体/受体材料相继被开发出来及器件结构的不断发展,全聚合物太阳电池异军突起,器件效率目前已经突破18%.然而,相较于非富勒烯小分子受体太阳电池,全聚合物太阳电池面临效率仍需进一步提高、聚合物给/受体性能的批次差异等问题,如何开发高性能聚合物给/受体材料及制备高效器件仍面临一定的挑战.本综述着眼于全聚合物太阳电池给/受体材料的开发、器件结构调控、界面工程等方面,系统总结了近年来该领域内的代表成果,并对未来高效全聚合物太阳电池材料、器件的发展做出了展望. 展开更多
关键词 全聚合物太阳电池 聚合物受体材料 器件结构 界面调控
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全印刷工艺制备聚合物OLED显示屏 被引量:1
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作者 郑奕娜 郑华 +4 位作者 许伟 韩绍虎 王坚 彭俊彪 曹镛 《高分子通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期97-104,共8页
详细探讨采用全印刷工艺,制备聚合物OLED显示屏的工艺流程和技术难点的克服。通过喷墨打印纳米银电子墨水制备金属阴极,完全避免了高温及真空工艺的使用。在显示屏制备过程中,我们成功研发由水/醇溶性共轭聚合物聚[9,9-二辛基芴-9,9-双(... 详细探讨采用全印刷工艺,制备聚合物OLED显示屏的工艺流程和技术难点的克服。通过喷墨打印纳米银电子墨水制备金属阴极,完全避免了高温及真空工艺的使用。在显示屏制备过程中,我们成功研发由水/醇溶性共轭聚合物聚[9,9-二辛基芴-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴],与一种可固化的环氧树脂粘合剂共混形成的多功能缓冲层。此多功能缓冲层,一方面保护有机功能层,避免纳米阴电子墨水的侵蚀,另一方面提供必需的电子注入功能,使高功函银阴极可以有效地注入电子。通过研究表面能优化打印阴极的成型形貌,并克服工艺难点,所制得的96×3×64分辨率的单色和全彩色聚合物OLED显示屏无坏点/坏线,红、绿、蓝电流效率分别为0.62、4.38、0.93cd/A,色坐标分别为(0.63,0.37)、(0.39,0.57)、(0.18,0.16)。 展开更多
关键词 全印刷工艺 聚合物OLED 喷墨打印 纳米银 电子注入 平板显示
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硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性 被引量:1
17
作者 张建东 刘贤哲 +5 位作者 张啸尘 李晓庆 王磊 姚日晖 宁洪龙 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期968-973,共6页
研究了柔性非晶硅掺杂氧化锡(SiSnO,STO)薄膜晶体管的电学特性及其在弯曲状态下的电学特性。通过射频磁控溅射在聚酰亚胺(Polyimide,PI)衬底上制备出了柔性非晶硅掺杂氧化锡薄膜晶体管。通过对比不同退火温度的器件性能,发现在300℃能... 研究了柔性非晶硅掺杂氧化锡(SiSnO,STO)薄膜晶体管的电学特性及其在弯曲状态下的电学特性。通过射频磁控溅射在聚酰亚胺(Polyimide,PI)衬底上制备出了柔性非晶硅掺杂氧化锡薄膜晶体管。通过对比不同退火温度的器件性能,发现在300℃能获得最佳器件性能,其饱和迁移率达到2.71 cm^2·V^(-1)·s^(-1),开关比高于106,亚阈值摆幅为1.95 V·dec^(-1),阈值电压为2.42 V。对器件在不同曲率半径(5,10,20,30 mm)状态下进行输出特性和转移特性测试,发现其在弯曲状态下仍具有良好的电学性能。 展开更多
关键词 柔性 硅掺杂氧化锡 薄膜晶体管
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具有精确结构的苯并三氮唑类聚合物受体在全聚合物太阳电池中的应用
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作者 张月 吴宝奇 +6 位作者 田士增 黄薛龙 李俊宇 潘朗恒 黄飞 曹镛 段春晖 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期181-191,共11页
以苯并三氮唑(BTz)为稠合中心核单元,通过调控聚合位点设计合成了两个结构精确的聚合物受体PT1-γ和PT1-δ,并研究了聚合位点对聚合物受体的光学性能、电化学性能、载流子迁移率以及全聚合物太阳电池(all-PSCs)性能的影响.研究发现,与P... 以苯并三氮唑(BTz)为稠合中心核单元,通过调控聚合位点设计合成了两个结构精确的聚合物受体PT1-γ和PT1-δ,并研究了聚合位点对聚合物受体的光学性能、电化学性能、载流子迁移率以及全聚合物太阳电池(all-PSCs)性能的影响.研究发现,与PT1-δ相比,PT1-γ具有更窄的光学带隙和更高的电子迁移率.选用PBDB-T作为给体,基于PBDB-T∶PT1-γ的全聚合物太阳电池获得了11.92%的能量转换效率(PCE),高于PBDB-T∶PT1-δ体系的9.68%;另外,其开路电压(VOC)为0.89 V,短路电流密度(JSC)为21.25 mA/cm2,填充因子(FF)为0.63.研究结果表明,聚合位点对基于苯并三氮唑的聚合物受体的光电性能具有显著影响,因而调控单体的聚合位点是开发高性能聚合物受体的有效设计策略. 展开更多
关键词 全聚合物太阳电池 聚合物受体 苯并三氮唑 聚合位点
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金属氧化物薄膜晶体管的激光退火 被引量:1
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作者 宁洪龙 邓宇熹 +7 位作者 黄健朗 罗子龙 胡润东 刘贤哲 王一平 邱天 姚日晖 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1211-1221,共11页
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)具有较高的载流子迁移率(10~100 cm2/V·s),且薄膜均匀性好、制备温度低和可见光透明的优点,被认为是最有前途的新一代TFT。激光退火因具有能量高、速度快、对衬底损伤小和退火范围可控的特点,相比传统... 金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)具有较高的载流子迁移率(10~100 cm2/V·s),且薄膜均匀性好、制备温度低和可见光透明的优点,被认为是最有前途的新一代TFT。激光退火因具有能量高、速度快、对衬底损伤小和退火范围可控的特点,相比传统热退火,更适用于柔性和大尺寸背板的制备。本文综述了有关金属氧化物薄膜及MOTFT激光退火的研究进展;详细讨论了激光退火中的关键参数;系统阐述了激光对金属氧化物薄膜的作用以及激光对MOTFT性能的影响。最后,总结了现在激光退火技术存在的问题以及发展方向。 展开更多
关键词 激光退火技术 金属氧化物 薄膜晶体管 氧空位
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溶液法制备透明SnO_(2)薄膜微观结构和光电性能研究 被引量:1
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作者 张旭 宁洪龙 +7 位作者 邹文昕 吴振宇 张康平 郭晨潇 刘丁荣 侯明玥 姚日晖 彭俊彪 《材料研究与应用》 CAS 2022年第3期369-375,共7页
氧化锡由于其优异的透明性和半导体性能及成本低廉、绿色环保等特点,逐渐成为透明氧化物半导体材料研究的热点。使用异丙醇((CH_(2))_(2)CHOH)和乙醇(CH;CH;OH)为溶剂、二水合氯化亚锡(SnCl_(2)·2H_(2)O)为前驱体,通过旋涂法制备... 氧化锡由于其优异的透明性和半导体性能及成本低廉、绿色环保等特点,逐渐成为透明氧化物半导体材料研究的热点。使用异丙醇((CH_(2))_(2)CHOH)和乙醇(CH;CH;OH)为溶剂、二水合氯化亚锡(SnCl_(2)·2H_(2)O)为前驱体,通过旋涂法制备低成本且环保的透明SnO_(2)薄膜。采用同步热分析仪(TG-DSC)、激光共聚焦显微镜和霍尔效应测试仪等设备,对SnO_(2)薄膜的化学组分、微观结构和光电性能进行表征,探究溶剂和退火温度对透明SnO_(2)薄膜的影响及相关机制。研究结果表明:Sn^(2+)在乙醇中的溶解性好,相应前驱体溶液的成膜质量高,薄膜致密平整;提高退火温度,薄膜内部杂质逐渐去除(215.6℃@CH_(2)CH_(2)OH),经过400℃退火后SnO_(2)由非晶态向结晶态转变,且SnO_(2)的结晶度随着温度升高而逐渐增加;基于不同温度制备的SnO_(2)薄膜在可见光波段(390—780 nm)具备优异的透明性,在波长为390 nm时不同温度下的透射率分别为96.55%(250℃)、96.21%(300℃)、95.14%(350℃)、96.44%(400℃)和93.31%(500℃);随着退火温度升高,SnO_(2)薄膜的霍尔迁移率先增大后减小,薄膜载流子浓度先降低后增大,优化后的SnO;薄膜(@350℃)的霍尔迁移率最高可达19.54 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),而可控载流子浓度低至7.47×10^(12)cm^(-2)。通过优化溶剂成分和退火温度,最终制备了表面平整、高度透明且具备优良半导体性能的SnO_(2)薄膜,其在透明电子应用方面具有巨大的潜力。 展开更多
关键词 旋涂法 透明SnO_(2) 薄膜 退火温度 光电性能
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