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P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
被引量：
5
1
作者
姚中辉
陈红梅
+2 位作者
王拓
蒋成
张子旸
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期1-7,共7页
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点...
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
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关键词
激光器
量子点
p型调制掺杂
分子束外延
腔面镀膜
原文传递
基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器
被引量：
3
2
作者
姚中辉
陈红梅
张子旸
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1804-1809,共6页
基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽...
基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜角为4°的前提下,制备了不同斜槽宽度的激光器器件,测试发现,当斜槽的刻蚀宽度为1.5μm时器件的单模输出性能最佳。该器件在70 mA连续电流注入下展现出了高达40 dB的边模抑制比,并且在不同的电流注入下均保持稳定的单纵模输出。在25~70℃的测试范围内,有斜槽时光谱红移速率仅为0.12 nm/℃,远小于无斜槽时0.6 nm/℃的红移速率,进一步证实了斜槽的引入可以有效地实现稳定的单纵模输出,展示出了在光通信应用的潜力。
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关键词
F-P激光器
刻蚀槽
单纵模
光通信
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职称材料
题名
P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
被引量：
5
1
作者
姚中辉
陈红梅
王拓
蒋成
张子旸
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
青岛
翼
晨
镭
硕
科技
有限公司
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期1-7,共7页
基金
江西省应用研究培育计划资助项目(20181BBE58020)。
文摘
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
关键词
激光器
量子点
p型调制掺杂
分子束外延
腔面镀膜
Keywords
lasers
quantum dots
p-modulation doping
molecular beam epitaxy
facet coating
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器
被引量：
3
2
作者
姚中辉
陈红梅
张子旸
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
青岛
翼
晨
镭
硕
科技
有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1804-1809,共6页
基金
国家自然科学基金(61875222)资助项目。
文摘
基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜角为4°的前提下,制备了不同斜槽宽度的激光器器件,测试发现,当斜槽的刻蚀宽度为1.5μm时器件的单模输出性能最佳。该器件在70 mA连续电流注入下展现出了高达40 dB的边模抑制比,并且在不同的电流注入下均保持稳定的单纵模输出。在25~70℃的测试范围内,有斜槽时光谱红移速率仅为0.12 nm/℃,远小于无斜槽时0.6 nm/℃的红移速率,进一步证实了斜槽的引入可以有效地实现稳定的单纵模输出,展示出了在光通信应用的潜力。
关键词
F-P激光器
刻蚀槽
单纵模
光通信
Keywords
F-P laser
etched slots
single longitudinal mode
optical communications
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
姚中辉
陈红梅
王拓
蒋成
张子旸
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
5
原文传递
2
基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器
姚中辉
陈红梅
张子旸
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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