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ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析 被引量:2
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作者 范垂祯 谢舒平 杨得全 《真空与低温》 2001年第1期18-20,共3页
介绍了镀制 SiO2的 ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用 X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果。
关键词 ITO透明导电薄膜 X射线光谱仪 深度剖面分析 二氧化硅玻璃 镀膜
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反应溅射制备SiO_2膜的问题及进展 被引量:7
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作者 侯晓波 查良镇 +1 位作者 范垂祯 许生 《真空》 CAS 北大核心 1999年第6期1-5,共5页
磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括SiO2 在... 磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括SiO2 在内的绝缘膜沉积,成为镀制介质膜的一个新方向。本文介绍和评述了反应溅射所遇到的几个关键问题,结合机理讨论了相应的解决办法,并认为反应溅射有重要实用价值和发展前景。 展开更多
关键词 反应溅射 阳极消失 二氧化硅膜 镀膜工业
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