期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析
被引量:
2
1
作者
范垂祯
谢舒平
杨得全
《真空与低温》
2001年第1期18-20,共3页
介绍了镀制 SiO2的 ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用 X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果。
关键词
ITO透明导电薄膜
X射线光谱仪
深度剖面分析
二氧化硅玻璃
镀膜
下载PDF
职称材料
反应溅射制备SiO_2膜的问题及进展
被引量:
7
2
作者
侯晓波
查良镇
+1 位作者
范垂祯
许生
《真空》
CAS
北大核心
1999年第6期1-5,共5页
磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括SiO2 在...
磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括SiO2 在内的绝缘膜沉积,成为镀制介质膜的一个新方向。本文介绍和评述了反应溅射所遇到的几个关键问题,结合机理讨论了相应的解决办法,并认为反应溅射有重要实用价值和发展前景。
展开更多
关键词
反应溅射
阳极消失
二氧化硅膜
镀膜工业
下载PDF
职称材料
题名
ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析
被引量:
2
1
作者
范垂祯
谢舒平
杨得全
机构
豪威
科技
集团
有限公司
兰州物理研究所
出处
《真空与低温》
2001年第1期18-20,共3页
文摘
介绍了镀制 SiO2的 ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用 X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果。
关键词
ITO透明导电薄膜
X射线光谱仪
深度剖面分析
二氧化硅玻璃
镀膜
Keywords
ITO transparent conductive films
XPS
analysis
分类号
TQ171.68 [化学工程—玻璃工业]
O484 [化学工程—硅酸盐工业]
下载PDF
职称材料
题名
反应溅射制备SiO_2膜的问题及进展
被引量:
7
2
作者
侯晓波
查良镇
范垂祯
许生
机构
清华大学电子工程系
豪威
科技
(
集团
)
有限公司
出处
《真空》
CAS
北大核心
1999年第6期1-5,共5页
文摘
磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括SiO2 在内的绝缘膜沉积,成为镀制介质膜的一个新方向。本文介绍和评述了反应溅射所遇到的几个关键问题,结合机理讨论了相应的解决办法,并认为反应溅射有重要实用价值和发展前景。
关键词
反应溅射
阳极消失
二氧化硅膜
镀膜工业
Keywords
reactive sputtering
SiO_2
disappearing anode
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析
范垂祯
谢舒平
杨得全
《真空与低温》
2001
2
下载PDF
职称材料
2
反应溅射制备SiO_2膜的问题及进展
侯晓波
查良镇
范垂祯
许生
《真空》
CAS
北大核心
1999
7
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部