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题名基于零偏VSP三种Q值反演方法对比分析及应用
被引量：4
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作者
武银婷
朱光明
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机构
长安大学地质工程与测绘学院
西安交通大学电子工程与信息学院
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出处
《地球物理学进展》
CSCD
北大核心
2017年第5期2107-2114,共8页
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基金
国家自然科学基金(41204076)
中国博士后基金(2013M540756
+1 种基金
2014T70925)
陕西省自然科学基金(2014JQ2-4019)联合资助
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文摘
准确提取Q值是研究地层吸收衰减特性的关键.对三种Q值反演方法(质心频率法、振幅衰减法、频谱比法)进行对比分析,旨在为衰减特性的求取提供参考.针对零偏VSP数据进行计算,对比总结薄层、频带宽度及低衰减层、波场成分、界面干扰等条件下Q值反演与层位揭示的准确性及差异性:对于相对较薄的层位,质心频率法几乎能准确揭示所有地层,而其他两种方法在薄层分界面处出现异常,误差超过200%;高频成分对频率域方法影响较大,尤其是对于低衰减层的反演;只有下/上行波场时三种方法计算结果相似,全波场时质心频率法效果较好;反射界面的存在会对三种方法造成干扰,反演值在界面处出现跳跃.对比分析三种方法在实际VSP数据应用可知:Q值分层比速度曲线更为敏感,质心频率法Q值反演曲线与地质分层吻合程度最好.
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关键词
零偏VSP
Q值
质心频率法
振幅衰减法
频谱比法
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Keywords
zero-offset VSP
Q value
centroid frequency shift
amplitude attenuation
spectral ratios
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分类号
P631
[天文地球—地质矿产勘探]
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题名功能电子陶瓷的MOCVD薄膜技术
被引量：4
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作者
孙顺明
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机构
西安交通大学电子与工程信息学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第1期3-4,7,共3页
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文摘
与常用电子陶瓷薄膜技术相比，ＭＯＣＶＤ技术具有薄膜化学成分、结晶结构和氧化程度易控制，沉积温度低，沉积速率高，薄膜的致密性、均匀性和台阶覆盖性好，可理想生长多组元和多层结构的功能金属氧化物薄膜，能直接由实验室转入规模生产及与硅的大规模集成工艺兼容等优点。应用自制设备及ＭＯＣＶＤ技术，分别在高掺杂硅片和有透明导电膜玻璃的基片上生长了ＴｉＯ２薄膜。测得的１ｍｍＡｕ圆点／ＴｉＯ２薄膜／ｐ＋－Ｓｉ衬底样品的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ特性，清楚地给出了ＭＩＳ结构的行为。淀积在透明导电膜玻璃上的ＴｉＯ２薄膜有电致变色现象。
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关键词
MOCVD
薄膜技术
电子陶瓷
二氧化钛薄膜
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Keywords
MOCVD, TiO 2 films, thin film technology, electronic ceramics
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分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
TQ174.756
[化学工程—陶瓷工业]
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