液相烧结钨合金的氧富集脆化机理及韧化工艺的研究 被引量：5

1

作者 齐芸馨 赵彤 +1 位作者 王改莲 季文源 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期3-6,11,共5页

用扫描俄歇探针（ＳＡＭ）结合真空热处理试验，研究了９５Ｗ-Ｎｉ-Ｆｅ合金的脆化 机理，发现烧结态合金中散布着氧的高浓度富集区，这是钨合金脆化的重要因素。１０００℃以 上的真空热处理可以消除氧高浓度富集区和降低界面氧浓度，... 用扫描俄歇探针（ＳＡＭ）结合真空热处理试验，研究了９５Ｗ-Ｎｉ-Ｆｅ合金的脆化 机理，发现烧结态合金中散布着氧的高浓度富集区，这是钨合金脆化的重要因素。１０００℃以 上的真空热处理可以消除氧高浓度富集区和降低界面氧浓度，使合金延性、韧性显著提高。 展开更多

关键词 钨合金 氧富集 脆化 韧化 液相烧结 SAM

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95W-Ni-Fe 合金工艺缺陷的 SAM 和 XPS 分析 被引量：4

2

作者 齐芸馨 姜春香 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期36-40,共5页

藉助扫描俄歇探针、Ｘ射线光电子谱等分析了９５Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ合金碳污染和氧化的本质。发现，碳污染试样中碳的化学状态主要为石墨，少量为铁或镍的有机化合物，这些物质的界面富集使材料脆化。钨合金氧化后，氧大量富集于钨／粘结相... 藉助扫描俄歇探针、Ｘ射线光电子谱等分析了９５Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ合金碳污染和氧化的本质。发现，碳污染试样中碳的化学状态主要为石墨，少量为铁或镍的有机化合物，这些物质的界面富集使材料脆化。钨合金氧化后，氧大量富集于钨／粘结相界面，使沿着该界面的断裂更容易发生。 展开更多

关键词 钨合金 碳污染 氧化 表面分析

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光纤偏振器性能及工艺进展 被引量：4

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作者 关铁樑 《光通信技术》 CSCD 1993年第6期331-338,共8页

本文评述了光纤偏振器性能及工艺的进展,并讨论了今后的发展前景。

关键词 光纤偏振器 光无源器件 纤维光学

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ICP-AES测定三甲基镓中痕量杂质 被引量：2

4

作者 张淑珍 王春梅 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期53-66,共14页

本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰、谱线干扰以及谱... 本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰、谱线干扰以及谱线强度的影响。检测限均小于１μｇ／ｇ，测定的相对标准偏差小于１％。 展开更多

关键词 ICP-AES 三甲基镓 砷化镓单晶薄膜 杂质

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关于气体的微流量控制

5

作者 郭潞璧 赵玉岚 《低温与特气》 CAS 1984年第4期57-62,共6页

气体的微流量控制在很多工艺中是非常重要的，尤其是现代科学技术的发展，不仅对气体本身的纯度与体态有较高的要求，而且在工艺使用中对气体的流量也有严格要求。特别是对特种气体的微小流量要求则更加严格。一般地说，气体微流量的控... 气体的微流量控制在很多工艺中是非常重要的，尤其是现代科学技术的发展，不仅对气体本身的纯度与体态有较高的要求，而且在工艺使用中对气体的流量也有严格要求。特别是对特种气体的微小流量要求则更加严格。一般地说，气体微流量的控制精度对于分析试验数据，不断改进工艺，提高产品质量都具有很重要的作用。有些工艺为了对一系列的物理——化学过程实现检测和自动化， 展开更多

关键词 微流量控制 质量流量控制器 气体控制 气源压力

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人力资源会计实务初探

6

作者 高乃忠 《天津财会》 2000年第2期34-36,共3页

关键词 人力资源会计 会计实务 人力资产 人力资本 净利润 劳动者权益分配 剩余劳动

原文传递

CFZ单晶的生产及特点

7

作者 沈浩平 李翔 +3 位作者 昝兴利 汪雨田 纪秀锋 林键 《半导体杂志》 1998年第3期24-25,共2页

本文介绍了一种全新的硅单晶生长方法。通过大量实验对ＣＦＺ法生长技术和特点作了描述，并对ＣＦＺ的应用作了讨论。

关键词 半导体 硅单晶 掺杂 CFZ法

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三电极法电阻率二维分布测量技术及其应用

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作者 孙毅之 施亚申 +2 位作者 赵瑞瑶 李光平 苑进良 《现代仪器使用与维修》 1998年第2期11-14,共4页

本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。文中给出了一些样品测量结果的统计数据(相对标准偏差,平均值)和等值图,并对这... 本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。文中给出了一些样品测量结果的统计数据(相对标准偏差,平均值)和等值图,并对这些结果进行讨论。 展开更多

关键词 半绝缘 砷化镓 电阻率 二维分布 三电极法 掺杂

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吸风机轴承套圈断裂失效分析

9

作者 陈慧 齐芸馨 +1 位作者 姜春香 于录 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 1996年第6期50-53,58,共5页

吸风机轴承外套圈早期失效，是由于钢材冶金质量欠佳，存在严重的碳化物不均匀性，使套圈内表面下产生应力集中，引起疲劳断裂。至于开机后仅一小时就发生脆性断裂，系该套圈在装机前已存在严重的疲劳损伤所致。

关键词 轴承套圈 疲劳 断裂失效 套圈 吸风机

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砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系 被引量：1

10

作者 丁丽 《物理测试》 CAS 1996年第4期10-12,共3页

利用SEM、EDX研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系,进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。

关键词 气相外延 缺陷 砷化镓 半导体材料

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半导体硅特性显微FTIR测量技术研究

11

作者 李光平 汝琼娜 +1 位作者 李静 何秀坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期43-45,共3页

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高... 本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。 展开更多

关键词 半导体材料 硅 测量 显微镜

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MOS级盐酸和硝酸中钠的ICP发射光谱法测定的研究

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作者 王春梅 张淑珍 吴琼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期35-36,共2页

采用等离子体发射光谱法测定了ＭＯＳ级盐酸和硝酸中钠的含量。采用了富集技术，研究了降低空白和降低检测限的措施，检测限达到０．０１μｇ／ｍＬ。

关键词 等离子体 发射光谱 盐酸 硝酸 MOS级 测定

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用X射线双晶衍射测定CdTe及外延MCT层的径向均匀性

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作者 郝建民 张世敏 李贵全 《红外与激光技术》 CSCD 1992年第1期37-39,共3页

用X射线双晶衍射法测量了(111)晶面的CdTe及外延MCT层的完整性,结果表明CdTe径向晶格常数的一致性差是其完整性低的主要原因。MCT外延层完整性差不仅与径向晶格常数的一致性差有关,而且对小范围内的完整性也有较大影响,生长条件有待进... 用X射线双晶衍射法测量了(111)晶面的CdTe及外延MCT层的完整性,结果表明CdTe径向晶格常数的一致性差是其完整性低的主要原因。MCT外延层完整性差不仅与径向晶格常数的一致性差有关,而且对小范围内的完整性也有较大影响,生长条件有待进一步改善。 展开更多

关键词 X射线 双晶体衍射 测量 碲化镉

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