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旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算 被引量:6
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作者 孙智慧 钱锋 +1 位作者 樊涛 林晶 《真空》 CAS 2014年第2期35-39,共5页
磁场分布对旋转圆柱靶磁控溅射阴极的性能起着决定性作用。本文应用ANSYS有限元方法对单个旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱靶阴极磁场强度进行了模拟计算,得到的磁场分量Bx、By在靶材表面的二维磁场分布,并利用Bx、By计算得到了圆柱靶表面切... 磁场分布对旋转圆柱靶磁控溅射阴极的性能起着决定性作用。本文应用ANSYS有限元方法对单个旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱靶阴极磁场强度进行了模拟计算,得到的磁场分量Bx、By在靶材表面的二维磁场分布,并利用Bx、By计算得到了圆柱靶表面切线方向的磁场强度Bτ。通过调节磁铁的高度、宽度、磁铁间夹角以及孪生靶间距和靶中心轴旋转角度等参数对磁场分布进行了优化,优化后的圆柱磁控溅射阴极的表面切线方向磁场强度增加了大约40%,所对应的溅射区磁场面积也增大了大约45%。 展开更多
关键词 磁控溅射 旋转圆柱靶 孪生靶 磁场模拟 结构优化
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占空比对磁控溅射TiAlN薄膜性能影响的实验研究 被引量:4
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作者 孙智慧 钱锋 +2 位作者 肖玮 张莉 杨翰林 《真空》 CAS 2014年第6期25-27,共3页
采用中频孪生磁控溅射技术,通过调整薄膜沉积过程中占空比大小,制备TiAlN薄膜。并对不同占空比条件下制备的TiAlN薄膜的表面形貌、膜厚、硬度与耐腐蚀性能进行测试与分析,得出占空比变化对磁控溅射TiAlN薄膜性能的影响。
关键词 占空比 磁控溅射 TIALN 性能
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辉弧共溅射Ar/N_2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响 被引量:3
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作者 林晶 钱锋 +1 位作者 孙智慧 傅鹏飞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1173-1177,共5页
采用辉光弧光协同共放电混合镀方法在A3碳钢基体上沉积氮化钛薄膜,通过改变Ar/N2流量比,研究Ar/N2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响。X射线衍射谱图表明制备的TiN有明显的(111)晶面择优取向;Ti2p的X射线光电子谱谱峰拟合分析表明Ti2p1/... 采用辉光弧光协同共放电混合镀方法在A3碳钢基体上沉积氮化钛薄膜,通过改变Ar/N2流量比,研究Ar/N2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响。X射线衍射谱图表明制备的TiN有明显的(111)晶面择优取向;Ti2p的X射线光电子谱谱峰拟合分析表明Ti2p1/2峰和Ti2p3/2峰均有双峰出现,可知氮化物中的Ti存在不同的化学状态,整个膜层是由TiN,TiO2,TiNxOy化合物组成的复合体系,Ar/N2流量比影响各成分的含量。对比硬度的变化和组成成分之间的关系发现,膜层硬度随着含TiN量的增多而增大,当Ar/N2流量比为3∶1时,硬度最大。 展开更多
关键词 辉弧共溅射 Ar/N2流量比 TIN薄膜 硬度
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辉光弧光协同共放电方式制备TiN薄膜的研究 被引量:2
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作者 林晶 傅鹏飞 +1 位作者 钱锋 刘壮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期818-822,共5页
分别采用中频磁控溅射、电弧离子镀及辉光弧光协同共放电混合镀(APSCD)三种方式在碳钢基体上制备TiN薄膜,采用原子力学显微镜、显微硬度计、台阶膜厚仪、电化学技术对薄膜表面形貌、显微硬度、膜厚、耐腐蚀性进行测试。研究结果表明:多... 分别采用中频磁控溅射、电弧离子镀及辉光弧光协同共放电混合镀(APSCD)三种方式在碳钢基体上制备TiN薄膜,采用原子力学显微镜、显微硬度计、台阶膜厚仪、电化学技术对薄膜表面形貌、显微硬度、膜厚、耐腐蚀性进行测试。研究结果表明:多弧离子镀薄膜颗粒的平均粗糙度为7.066 nm,混合镀薄膜颗粒的平均粗糙度为4.687 nm,在相同时间条件下,磁控溅射薄膜厚度为658 nm,混合镀膜厚度为1345 nm,混合镀工艺具有降低多弧离子镀粗糙度又可以克服磁控溅射沉积速率慢的优点。经过混合镀TiN薄膜后,基体表面显微硬度从226HV提高到1238 HV,在天然海水中测得混合镀膜层腐蚀电位比基体提高104mV。 展开更多
关键词 TIN薄膜 磁控溅射 多弧离子镀 腐蚀
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汽车零部件常压快速检漏系统的设计 被引量:1
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作者 林晶 钱锋 +2 位作者 刘壮 赵丽丽 肖玮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期547-550,共4页
泄漏检测是汽车工业生产中许多零部件质量保证的关键技术,为了适应大型自动化生产背景下的高精度快速检测,设计研发了一套常压快速检漏系统。该系统运用T-Guard氦浓度传感器的累积法检漏原理,配合抽真空系统、充氦系统、净化气体系统和... 泄漏检测是汽车工业生产中许多零部件质量保证的关键技术,为了适应大型自动化生产背景下的高精度快速检测,设计研发了一套常压快速检漏系统。该系统运用T-Guard氦浓度传感器的累积法检漏原理,配合抽真空系统、充氦系统、净化气体系统和电器控制系统等部分来实现高精度常压快速检漏。系统运行显示可以检测到泄漏率为10-10-5Pa·m3/s之间的漏点,检漏节拍小于1 min,在满足常压下检漏的同时,达到了检漏时间短、灵敏度高、效率能与生产线速度同步等要求,实现产品高精度的快速在线检测。 展开更多
关键词 泄漏检测 汽车零部件 常压快速检漏系统 氦浓度传感器 累积法
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新型弧光辉光协同共放电(APSCD)真空镀膜机的研制 被引量:1
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作者 林晶 钱锋 +3 位作者 李恒 樊涛 于贵文 王鹤腾 《真空》 CAS 2013年第3期48-51,共4页
本文阐述了新型的弧光辉光协同共放电真空镀膜机的设计思想及应用,叙述了镀膜机的整体结构、圆柱靶的设计和磁场模拟、工件篮的结构和辉光弧光共放电的原理。实验对比了辉光弧光共放电和单独的辉光放电、弧光放电在镀膜速度、膜层硬度... 本文阐述了新型的弧光辉光协同共放电真空镀膜机的设计思想及应用,叙述了镀膜机的整体结构、圆柱靶的设计和磁场模拟、工件篮的结构和辉光弧光共放电的原理。实验对比了辉光弧光共放电和单独的辉光放电、弧光放电在镀膜速度、膜层硬度和耐蚀性等方面的差别,表明了这种新型镀膜机的优越性。 展开更多
关键词 镀膜机 圆柱靶 工件篮
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离子源对磁控溅射制备TiNC膜基结合力的影响
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作者 钱锋 林晶 刘树红 《真空》 CAS 2012年第1期78-82,共5页
由于膜基附着力不好,膜层脱落问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题。本实验采用阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术制备了TiNC薄膜,探讨解决TiNC膜基附着力不好的问题。初步实验结果表明,离子束辅助沉积对于改善... 由于膜基附着力不好,膜层脱落问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题。本实验采用阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术制备了TiNC薄膜,探讨解决TiNC膜基附着力不好的问题。初步实验结果表明,离子束辅助沉积对于改善膜基附着力的作用并不明显,本文还比较了脉冲偏压清洗对膜基附着力的影响,探讨了其可能影响因素。 展开更多
关键词 阳极层离子源 膜基附着力 TiNC 中频磁控溅射
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基于AFM的不导电金属铟薄膜的表面微观特征分析
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作者 林晶 董静 +2 位作者 钱锋 王新华 周珂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期33-37,共5页
利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始阶段基体表面形成了岛状不连续膜,表面粗糙度随膜厚增加而增加... 利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始阶段基体表面形成了岛状不连续膜,表面粗糙度随膜厚增加而增加,此时薄膜不导电;当膜层厚度生长到120 nm时,薄膜形成了下层连续上层为小孔洞的结构,表面粗糙度在此厚度附近降低较明显;随着薄膜继续生长,薄膜表面无论是水平方向还是垂直方向,岛与岛相连形成十分光滑的膜层,此时薄膜电阻迅速降低到3Ω,薄膜导通。 展开更多
关键词 铟薄膜 不导电薄膜 电阻 原子力显微镜 表面形貌
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