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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 被引量：49
1
作者 叶志镇 陈汉鸿 +2 位作者 刘榕 张昊翔 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1015-1018,共4页
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Z... 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . 展开更多
关键词 薄膜 直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱
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TiO_2/膨润土纳米复合光催化剂降解偶氮染料的研究 被引量：56
2
作者 孙振世 陈英旭 +2 位作者 柯强 杨晔 袁骏 《环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期129-133,共5页
采用酸性溶胶法合成TiO2 膨润土纳米复合光催化剂 ,并研究其光催化降解阳离子偶氮染料 .X射线衍射 (XRD)分析表明 ,TiO2 膨润土纳米复合物的d0 0 1衍射角为 9 0 6° .该复合催化剂具有较高的光催化降解有机污染物的活性 ,随着光... 采用酸性溶胶法合成TiO2 膨润土纳米复合光催化剂 ,并研究其光催化降解阳离子偶氮染料 .X射线衍射 (XRD)分析表明 ,TiO2 膨润土纳米复合物的d0 0 1衍射角为 9 0 6° .该复合催化剂具有较高的光催化降解有机污染物的活性 ,随着光照时间的延长 ,阳离子红GTL的特征峰 490 5nm强度逐渐减弱 ,最后它的特征峰可彻底消失 ,GTL的偶氮键是最活跃的化学键 ,它易于被氧化断键 .该复合催化剂的催化活性受溶液的pH影响较大 ,在中性和碱性条件下其光催化活性更强 .适量的过氧化氢可以加速光催化氧化反应 ,但过量的H2 O2 却抑制了羟基自由基的生成 ,从而使H2 O2 的利用效率下降 ,在本实验条件下其最佳用量是 6mmol L . 展开更多
关键词 TiO2/膨润土纳米复合光催化剂 偶氮染料 催化活性 纳米复合物 废水处理
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退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 被引量：46
3
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 汪雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-736,共8页
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,... 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
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多壁纳米碳管/Cu基复合材料的摩擦磨损特性 被引量：42
4
作者 王浪云 涂江平 +3 位作者 杨友志 张孝彬 陈卫祥 卢焕明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期367-371,共5页
利用销盘式磨损试验机研究了粉末冶金法制备的多壁纳米碳管 /Cu基复合材料的稳态摩擦磨损行为 ,并用扫描电镜分析了复合材料的磨损形貌。结果表明 :多壁纳米碳管 /Cu基复合材料具有较小的摩擦系数 ,并随纳米碳管质量分数的增加而逐渐降... 利用销盘式磨损试验机研究了粉末冶金法制备的多壁纳米碳管 /Cu基复合材料的稳态摩擦磨损行为 ,并用扫描电镜分析了复合材料的磨损形貌。结果表明 :多壁纳米碳管 /Cu基复合材料具有较小的摩擦系数 ,并随纳米碳管质量分数的增加而逐渐降低 ;由于复合材料中纳米碳管的增强和减摩作用 ,在低载荷和中等载荷作用下 ,随着纳米碳管质量分数的增加 ,复合材料的磨损率减小 ;而在高载荷作用下 ,由于发生表面开裂和片状层剥落 ,含纳米碳管质量分数高的复合材料的磨损率增高。 展开更多
关键词 多壁纳米碳管 金属基复合材料 摩擦系数 磨损率
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ZnO薄膜应用的最新研究进展 被引量：34
5
作者 吕建国 汪雷 +1 位作者 叶志镇 赵炳辉 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期303-308,共6页
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。
关键词 研究进展 开发应用 氧化锌薄膜 化合物半导体
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ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究 被引量：33
6
作者 叶志镇 张银珠 +4 位作者 陈汉鸿 何乐年 邹璐 黄靖云 吕建国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1605-1607,共3页
以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很... 以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 光电导紫外探测器 欧姆接触 光响应度
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锐钛矿晶型TiO_2溶胶的精细结构及其光催化活性 被引量：61
7
作者 方明 高基伟 +2 位作者 申乾宏 王平 杨辉 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期438-441,共4页
以钛酸丁酯为前驱体,在过量水体系中制备出含有锐钛矿晶粒的TiO2溶胶。利用X射线吸收精细结构、zeta电位测量、X射线衍射对溶胶特性进行研究,并考察其对若丹明B的光催化活性。结果表明:陈化时间超过20d的溶胶较为稳定,在X射线近边结构... 以钛酸丁酯为前驱体,在过量水体系中制备出含有锐钛矿晶粒的TiO2溶胶。利用X射线吸收精细结构、zeta电位测量、X射线衍射对溶胶特性进行研究,并考察其对若丹明B的光催化活性。结果表明:陈化时间超过20d的溶胶较为稳定,在X射线近边结构谱中具有与锐钛矿型TiO2相似的边前结构;随陈化时间的增加,Ti的配位数增加直至趋近于锐钛矿型TiO2配位数。陈化时间超过20d的TiO2溶胶含有锐钛矿晶粒,在紫外光照下可不经处理直接催化降解若丹明B。 展开更多
关键词 二氧化钛溶胶 X射线吸收精细结构 锐钛矿 光催化活性
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 被引量：43
8
作者 王晓泉 汪雷 +3 位作者 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期341-344,共4页
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌... 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 展开更多
关键词 太阳电池 PECVD 氮化硅
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ZnO薄膜的最新研究进展 被引量：22
9
作者 吕建国 叶志镇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期581-583,587,共4页
ZnO是一种新型的Ⅱ～Ⅵ族半导体材料。文章详细介绍了ZnO薄膜在其晶格特性、光学、电学和压电性能等方面的研究 ,特别是ZnO薄膜的紫外受激辐射特性 ,另外 ,对ZnO的p型掺杂和 p n结特性的最新进展也作了探讨。
关键词 ZNO薄膜 研究进展 晶格特性 光电性能 P型掺杂
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PEG辅助氧化锌纳米棒的水热法制备 被引量：36
10
作者 陶新永 张孝彬 +6 位作者 孔凡志 林森 程继鹏 黄宛真 李昱 刘芙 许国良 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第17期1658-1662,共5页
采用PEG辅助水热法合成了ZnO纳米棒 ,XRD显示产物为结晶良好的六角结构晶体ZnO ,PL谱表明适当退火处理后产物有较好的光致发光性能 .利用TEM和SAED研究了纳米棒的形貌和生长机制 。
关键词 氧化锌纳米棒 水热合成 光致发光性能 形貌 生长机制 半导体材料 聚乙二醇
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半导体TiO_2光催化剂及其有机光敏化研究进展 被引量：26
11
作者 唐培松 王民权 +1 位作者 王智宇 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期33-36,共4页
半导体TiO_2光催化研究是当今化学、材料和环境科学等学科研究的一个热点领域。比较评述了通过掺杂改性、结构修饰和有机光敏化拓宽TiO_2可见光波长响应范围和提高光催化量子效率等的研究进展、面临的主要问题和发展趋势。
关键词 半导体TiO2光催化剂 有机光敏化 二氧化钛 量子效率
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掺铁二氧化钛纳米晶的制备及其光催化性能 被引量：39
12
作者 钟敏 韦之豪 +4 位作者 司平占 李红 卫国英 葛洪良 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期68-73,共6页
通过溶胶-凝胶法室温制备了掺杂铁二氧化钛纳米晶光催化剂。采用透射电子显微镜、X射线衍射仪、能谱元素分析仪、紫外-可见分光光度计等对所得产物进行表征。以甲基橙为目标降解物,对未掺杂的二氧化钛纳米晶及掺杂铁的二氧化钛纳米晶进... 通过溶胶-凝胶法室温制备了掺杂铁二氧化钛纳米晶光催化剂。采用透射电子显微镜、X射线衍射仪、能谱元素分析仪、紫外-可见分光光度计等对所得产物进行表征。以甲基橙为目标降解物,对未掺杂的二氧化钛纳米晶及掺杂铁的二氧化钛纳米晶进行了光催化降解性能研究,并对其降解机理进行了分析。结果表明:适量的铁掺杂有利于提高二氧化钛纳米晶的光催化性能和对甲基橙的降解率。铁的最佳掺杂量为25%[Fe占(Ti+Fe)的摩尔分数]。掺杂铁的二氧化钛纳米晶光催化性能优于纯二氧化钛纳米晶,在光照150min后,甲基橙的降解率达75%以上。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 铁 掺杂 二氧化钛 光催化性能
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水热法合成LiFePO_4的形貌和反应机理 被引量：28
13
作者 庄大高 赵新兵 +3 位作者 曹高劭 米常焕 涂健 涂江平 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2034-2039,共6页
以分析纯的FeSO4、H3PO4和LiOH为原料,用水热合成法得到纯度高、结晶好的纳米LiFePO4.x射线衍射和SEM分析结果表明,当实验温度为120～150℃,时间为5～15 h时,随反应温度的提高和反应时间的延长,LiFePO4从不规则的纳米颗粒团聚体逐渐生... 以分析纯的FeSO4、H3PO4和LiOH为原料,用水热合成法得到纯度高、结晶好的纳米LiFePO4.x射线衍射和SEM分析结果表明,当实验温度为120～150℃,时间为5～15 h时,随反应温度的提高和反应时间的延长,LiFePO4从不规则的纳米颗粒团聚体逐渐生长为厚200 nm、长800 nm左右的规则矩形薄片.研究发现,在合成过程中,首先合成中间产物Li3PO4,然后与Fe2+反应形成LiFePO4.水热合成产物经550℃聚丙烯裂解碳包覆处理后,以0.05 C充放电,可逆电容量达到163 mA·h·g-1,以0.5 C充放电,可逆电容量达到144 mA·h·g-1. 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 水热合成 形貌
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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展 被引量：21
14
作者 叶志镇 张银珠 +1 位作者 徐伟中 吕建国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-18,共8页
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直... ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述. 展开更多
关键词 研究进展 ZNO薄膜 P型掺杂 氧化锌 半导体
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层叠复合材料加工技术新进展 被引量：25
15
作者 陈燕俊 周世平 +2 位作者 杨富陶 林德仲 孟亮 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第1期140-142,132,共4页
介绍了多种层叠复合材料的新加工技术 ,包括扩散焊接、超声焊接、激光熔覆、滚焊、熔合、界面多孔控制、界面自组合层叠等 。
关键词 层叠复合材料 连接技术 加工技术 扩散焊接 界面多孔控制 滚焊技术 熔合 超声焊接
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单晶硅太阳电池的表面织构化 被引量：27
16
作者 席珍强 杨德仁 +6 位作者 吴丹 张辉 陈君 李先杭 黄笑容 蒋敏 阙端麟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期285-289,共5页
一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也... 一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也很低。通过SEM观察发现 :开始时 ,随着腐蚀时间的增加 ,金字塔的密度越来越大 ,最后达到饱和 ;而且对于不同的浓度 ,温度 ,这种饱和时间不同 ;如果腐蚀时间过长 ,金字塔的顶部就会发生崩塌 ,从而导致表面发射率的升高。虽然异丙醇 (IPA)在氢氧化钠 (NaOH)溶液中会明显地改善织构化的效果 ,但是在磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液中却会对织构化有很强的负面效应。最后 ,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入地探讨并认为 :择优腐蚀是金字塔形成的最基本的原因 ,而缺陷、PO3 -4 或HPO2 -4 和异丙醇等仅仅是促进大金字塔形成的原因。这种腐蚀剂的成本很低 ,不易污染工作环境且可重复性好 ,所以有可能用于大规模生产。 展开更多
关键词 单晶硅 织构 磷酸钠 腐蚀
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原位反应纳米TiB_2/Cu复合材料的制备和微结构 被引量：28
17
作者 王耐艳 涂江平 +5 位作者 杨友志 齐卫笑 刘芙 张孝彬 卢焕明 刘茂森 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期151-154,共4页
利用原位反应技术 ,通过控制反应物B2 O3 和石墨的含量制备了原位生长纳米TiB2 增强Cu基复合材料。用XRD ,EDS ,TEM对TiB2 /Cu原位复合材料进行微结构分析 ,研究表明铜基体中弥散分布着 5 0nm的TiB2颗粒 ,并对Cu基体有良好的增强作用。
关键词 原位反应 硼化钛 铜基复合材料 制备 微结构 纳米材料
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ZnO薄膜的研究与开发应用进展 被引量：13
18
作者 吕建国 陈汉鸿 叶志镇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期463-467,共5页
ZnO是一种新型的 - 族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性,对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述,并展望了ZnO薄膜的发展前景。
关键词 ZNO薄膜 生长技术 开发应用 氧化锌 半导体材料 薄膜特性
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硅掺杂和硅钒共掺杂对TiO_2光催化性能的影响 被引量：16
19
作者 李红 赵高凌 +4 位作者 刘琴华 翁文剑 杜丕一 沈鸽 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期784-788,共5页
采用溶胶凝胶法在玻璃表面制备了一定厚度(约120nm)的掺硅TiO2薄膜,在配制原始溶液时,所用钛酸四丁酯、正硅酸乙酯、乙醇、水和硝酸的摩尔比为1∶y∶25∶1∶0.2。用扫描电子显微镜观察其表面形貌,用X射线衍射表征其结构。以甲基橙溶液... 采用溶胶凝胶法在玻璃表面制备了一定厚度(约120nm)的掺硅TiO2薄膜,在配制原始溶液时,所用钛酸四丁酯、正硅酸乙酯、乙醇、水和硝酸的摩尔比为1∶y∶25∶1∶0.2。用扫描电子显微镜观察其表面形貌,用X射线衍射表征其结构。以甲基橙溶液为体系,考察掺杂后TiO2薄膜的光催化性能。结果表明:当y≤0.3时,随硅掺入量的增加,TiO2薄膜的光催化性能提高;当y>0.3时,硅的掺入使TiO2薄膜的光催化性能降低。另外,用相同方法制备了钒硅共掺杂的TiO2薄膜,发现钒硅共掺杂可以进一步提高TiO2的光催化性能。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 二氧化钛薄膜 光催化 掺杂
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线切割单晶硅表面损伤的研究 被引量：22
20
作者 樊瑞新 卢焕明 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期55-57,共3页
利用台阶仪、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。
关键词 切割 表面损伤 硅 单晶硅
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