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烟酸体系中烟酸含量对镀银过程及镀层性能的影响
被引量：
2
1
作者
亢若谷
曹梅
+3 位作者
畅玢
龙晋明
朱晓云
杨杰伟
《太原理工大学学报》
CAS
北大核心
2014年第5期594-598,共5页
为了在316L不锈钢材质的还原炉内壁获得光亮镀银层,研究了从烟酸体系制备银镀层的工艺,采用电化学工作站研究了电沉积性能和镀层耐蚀性,采用热反射率测试仪测试了镀层反射率,通过XRD表征不同制备条件下所得镀层的相组成。结果发现,随着...
为了在316L不锈钢材质的还原炉内壁获得光亮镀银层,研究了从烟酸体系制备银镀层的工艺,采用电化学工作站研究了电沉积性能和镀层耐蚀性,采用热反射率测试仪测试了镀层反射率,通过XRD表征不同制备条件下所得镀层的相组成。结果发现,随着烟酸浓度的增大,电沉积电位越低,镀层晶粒越小;不同烟酸浓度得到的银镀层有不同的择优取向,随着镀液中烟酸浓度的升高,镀层的耐腐蚀性降低,热反射率降低;烟酸浓度对镀层的表面光亮度无明显影响,通过对比银镀层与不锈钢基体的热反射率,发现热反射率与材料本身有很大的关系。研究得知,在烟酸体系可以获得光亮、耐蚀性好的银镀层。
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关键词
烟酸体系
还原炉内壁镀银
电位-时间
晶粒尺寸
极化曲线
热反射率
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职称材料
多晶硅生产废气回收处理工艺研究进展
被引量：
4
2
作者
周万礼
罗平
+2 位作者
王金
任玖阳
李友才
《云南化工》
CAS
2017年第5期109-111,共3页
阐述了多晶硅生产废气主要来源、组分、处理工艺及研究进展,提出了生产高品质多晶硅可选择的废气处理工艺。
关键词
多晶硅生产
废气回收
研究进展
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职称材料
流化床制备三氯氢硅工艺参数的优化
被引量：
3
3
作者
罗平
李仕勇
+2 位作者
屈敏
谭宗国
陈福
《云南化工》
CAS
2016年第4期22-23,54,共3页
流化床制备三氯氢硅是多晶硅生产中比较常见的工艺方法。通过理论计算,选择合适粒径的硅粉,结合实际生产,总结出最优工艺参数,保证三氯氢硅合成系统稳定运行。
关键词
硅粉
三氯氢硅
流化床
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职称材料
亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响
被引量：
1
4
作者
亢若谷
畅玢
+2 位作者
曹梅
龙晋明
朱晓云
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1-4,6,共4页
多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层...
多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层显微硬度、沉积速率及阴极电流效率的影响。结果表明:电流密度为0.4A/dm2,镀覆时间为10 min时镀金层外观质量最好,亚硫酸钾浓度为100 g/L时镀金层的显微硬度、阴极电流效率和沉积速率达到最大值;镀金层的光亮度与电流密度和镀覆时间有很大关系;镀金层的热反射率比不锈钢基体的高,光亮镀层的热反射率比半光亮镀层的高;镀液中亚硫酸钾含量的变化使得镀金层的显微硬度和沉积速率发生了改变。
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关键词
亚硫酸盐镀金
亚硫酸钾配位剂
镀层光亮度
热反射率
显微硬度
电流效率
沉积速率
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职称材料
DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造
5
作者
李亚娜
张永凤
+2 位作者
杨红燕
卢菊花
王桃萍
《低温与特气》
CAS
2016年第2期46-48,共3页
介绍了DELTA-F库仑式微量氧分析仪的分析原理、结构特点及其在多晶硅生产中的应用情况。通过对取样管线的改进,解决了测量中存在的问题,更好的满足了生产需求。
关键词
DELTA-F微量氧分析仪
管线改造
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职称材料
分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用
6
作者
于晓艳
陶明
+4 位作者
左世芳
杨红燕
李亚娜
张永凤
赵建为
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期183-186,共4页
在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校...
在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.891,采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.915,两者相对误差为1.13%。
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关键词
分子直径法
气相色谱法
三氯氢硅
相对校正因子
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职称材料
题名
烟酸体系中烟酸含量对镀银过程及镀层性能的影响
被引量：
2
1
作者
亢若谷
曹梅
畅玢
龙晋明
朱晓云
杨杰伟
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
(
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
)
昆明
理工大学理学院
昆明
理工大学
材料
科学与工程学院
出处
《太原理工大学学报》
CAS
北大核心
2014年第5期594-598,共5页
基金
昆明冶研新材料股份有限公司资助
还原炉钟罩内壁表面处理技术(619320120075)
文摘
为了在316L不锈钢材质的还原炉内壁获得光亮镀银层,研究了从烟酸体系制备银镀层的工艺,采用电化学工作站研究了电沉积性能和镀层耐蚀性,采用热反射率测试仪测试了镀层反射率,通过XRD表征不同制备条件下所得镀层的相组成。结果发现,随着烟酸浓度的增大,电沉积电位越低,镀层晶粒越小;不同烟酸浓度得到的银镀层有不同的择优取向,随着镀液中烟酸浓度的升高,镀层的耐腐蚀性降低,热反射率降低;烟酸浓度对镀层的表面光亮度无明显影响,通过对比银镀层与不锈钢基体的热反射率,发现热反射率与材料本身有很大的关系。研究得知,在烟酸体系可以获得光亮、耐蚀性好的银镀层。
关键词
烟酸体系
还原炉内壁镀银
电位-时间
晶粒尺寸
极化曲线
热反射率
Keywords
nicotinic acid
silver plating on inner wall of reduction furnace
grain size
polarization curve
heat reflectivity
分类号
TG174.441 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
多晶硅生产废气回收处理工艺研究进展
被引量：
4
2
作者
周万礼
罗平
王金
任玖阳
李友才
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
出处
《云南化工》
CAS
2017年第5期109-111,共3页
文摘
阐述了多晶硅生产废气主要来源、组分、处理工艺及研究进展,提出了生产高品质多晶硅可选择的废气处理工艺。
关键词
多晶硅生产
废气回收
研究进展
Keywords
polysilicon production
wastegas treatment
research progress
分类号
X76 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
流化床制备三氯氢硅工艺参数的优化
被引量：
3
3
作者
罗平
李仕勇
屈敏
谭宗国
陈福
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
出处
《云南化工》
CAS
2016年第4期22-23,54,共3页
文摘
流化床制备三氯氢硅是多晶硅生产中比较常见的工艺方法。通过理论计算,选择合适粒径的硅粉,结合实际生产,总结出最优工艺参数,保证三氯氢硅合成系统稳定运行。
关键词
硅粉
三氯氢硅
流化床
Keywords
fume
trichlorosilane
fluidized bed
分类号
TQ264.1 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响
被引量：
1
4
作者
亢若谷
畅玢
曹梅
龙晋明
朱晓云
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
昆明
理工大学
材料
科学与工程学院
昆明
理工大学理学院
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1-4,6,共4页
文摘
多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层显微硬度、沉积速率及阴极电流效率的影响。结果表明:电流密度为0.4A/dm2,镀覆时间为10 min时镀金层外观质量最好,亚硫酸钾浓度为100 g/L时镀金层的显微硬度、阴极电流效率和沉积速率达到最大值;镀金层的光亮度与电流密度和镀覆时间有很大关系;镀金层的热反射率比不锈钢基体的高,光亮镀层的热反射率比半光亮镀层的高;镀液中亚硫酸钾含量的变化使得镀金层的显微硬度和沉积速率发生了改变。
关键词
亚硫酸盐镀金
亚硫酸钾配位剂
镀层光亮度
热反射率
显微硬度
电流效率
沉积速率
Keywords
gold electroplating
potassium sulfite complexing agent
brightness of coating
heat resistivity
microhardness
current efficiency
deposition rate
分类号
TQ153.18 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造
5
作者
李亚娜
张永凤
杨红燕
卢菊花
王桃萍
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
出处
《低温与特气》
CAS
2016年第2期46-48,共3页
文摘
介绍了DELTA-F库仑式微量氧分析仪的分析原理、结构特点及其在多晶硅生产中的应用情况。通过对取样管线的改进,解决了测量中存在的问题,更好的满足了生产需求。
关键词
DELTA-F微量氧分析仪
管线改造
Keywords
DELTA-F coulomb micro oxygen analyzer
transformation of sampling pipeline
分类号
TH83 [机械工程—仪器科学与技术]
TQ127.2 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用
6
作者
于晓艳
陶明
左世芳
杨红燕
李亚娜
张永凤
赵建为
机构
昆明
冶
研
新
材料
股份
有限公司
云南省
光电子
硅
材料
制备
技术
企业
重点
实验室
出处
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期183-186,共4页
文摘
在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.891,采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.915,两者相对误差为1.13%。
关键词
分子直径法
气相色谱法
三氯氢硅
相对校正因子
Keywords
Molecular diameter method
GC
Trichlorosilane
Relative mass correction factor
分类号
O657.7 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
烟酸体系中烟酸含量对镀银过程及镀层性能的影响
亢若谷
曹梅
畅玢
龙晋明
朱晓云
杨杰伟
《太原理工大学学报》
CAS
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
2
多晶硅生产废气回收处理工艺研究进展
周万礼
罗平
王金
任玖阳
李友才
《云南化工》
CAS
2017
4
下载PDF
职称材料
3
流化床制备三氯氢硅工艺参数的优化
罗平
李仕勇
屈敏
谭宗国
陈福
《云南化工》
CAS
2016
3
下载PDF
职称材料
4
亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响
亢若谷
畅玢
曹梅
龙晋明
朱晓云
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
5
DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造
李亚娜
张永凤
杨红燕
卢菊花
王桃萍
《低温与特气》
CAS
2016
0
下载PDF
职称材料
6
分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用
于晓艳
陶明
左世芳
杨红燕
李亚娜
张永凤
赵建为
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
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