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题名开关变换器中吸引子共存现象的仿真与实验研究
被引量：20
- 1
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作者
周宇飞
陈军宁
徐超
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2005年第21期30-33,共4页
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基金
国家自然科学基金(60402001)国家863高技术基金项目(2004AA1Z1060)。~~
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文摘
该文通过详细的数值仿真对变换器中存在的吸引子共存现象进行了全面研究,得到的参数变化分叉图指示在多处存在共存的吸引子,同时,利用与分叉图对应的最大Lyapunov指数谱还可以对这种吸引子共存现象进行印证解释。所有仿真结果均进行了电路实验验证研究。另外,对各共存吸引子的吸引域作了分析和讨论,它们均具有分形吸引域边界。研究结果对变换器的稳定设计和混沌利用具有重要指导意义。
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关键词
BUCK变换器
分叉
混沌
吸引子
共存
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Keywords
Buck converters
Bifurcation
Chaos
Attractor
Coexistence
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分类号
TM501
[电气工程—电器]
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题名DC-DC开关变换器的动力学模型及其分析方法研究
被引量：12
- 2
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作者
汪莉丽
周宇飞
陈军宁
陈信怀
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机构
安徽大学微电子系
安徽建筑工业学院计算机系
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出处
《电测与仪表》
北大核心
2006年第5期51-55,32,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(编号60402001)
安徽省高等学校自然科学研究资助项目(编号2005KJ054)
安徽大学研究生创新资助项目
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文摘
DC-DC变换器是开关电源的核心部分,有着极其丰富的动力学行为。要揭示和研究变换器的各种线性、非线性动力学行为,关键问题是采用适当的方法对其建立相应的动力学模型。本文针对两种常见的开关变换器系统(电压模式控制和电流模式控制变换器),分别讨论了其中的建模方法,包括精确仿真模型和离散映射构造方法,同时提供了相关分析和实验结果。研究方法和过程同样适合其它电压模式控制或电流模式控制的变换器系统。
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关键词
DC-DC变换器
精确模型
离散映射
特征值
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Keywords
DC-DC converters
exact simulation model
discrete map
characteristic multiplier
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分类号
TM1
[电气工程—电工理论与新技术]
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题名两种控制模式的开关变换器的动力学行为研究
被引量：2
- 3
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作者
汪莉丽
周宇飞
陈军宁
陈信怀
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机构
安徽大学微电子系
安徽建筑工业学院计算机系
安徽大学电子科学与技术学院
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出处
《科学技术与工程》
2006年第10期1357-1362,共6页
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基金
国家自然科学基金(60402001)
安徽省高等学校自然科学研究项目(2005KJ054)资助
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文摘
DC-DC变换器是开关电源的核心部分,在各个领域有着广泛的应用。电压模式控制Buck变换器和电流模式控制Boost变换器是电力电子的非线性研究中两种重要的研究对象,它们都有着非常广泛的应用。以这两种模式控制的开关变换器为研究对象,通过对它们进行建模、分析和实验等证实其中存在着丰富的动力学行为,如分岔和混沌等,为实际的电路系统的稳定设计提供了理论指导。
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关键词
DC-DC变换器
状态方程
倍周期分岔
混沌
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Keywords
DC-DC converters ebifurcation of muhiplecycle chaos eigen value
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分类号
TM564.8
[电气工程—电器]
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题名电压模式控制Buck变换器中的混沌吸引子重构技术
被引量：2
- 4
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作者
周宇飞
陈军宁
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2007年第4期85-89,共5页
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基金
国家自然科学基金(60402001)
安徽省高等学校自然科学研究项目(2005KJ054)
安徽省高等学校青年教师科研计划(2004jq109).
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文摘
利用Buck变换器的输出电压时间序列可以进行变换器的混沌吸引子重构,其中延迟量可以通过时间序列的自相关函数来确定,而重构维数也可根据混沌吸引子的关联维来确定,仿真和特征参数计算均表明Buck变换器的重构混沌吸引子与原混沌吸引子拓扑等价,具有相同的动力学性质和几何性质,另外,构建了一个延迟重构实验电路,得到的实验波形也验证了上述结果。
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关键词
BUCK变换器
混沌
混沌吸引子
延迟嵌入
重构
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Keywords
buck converter
chaos
chaotic attractor
delay embedding
reconstruction
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分类号
TM77
[电气工程—电力系统及自动化]
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题名复合多晶硅栅LDMOS的设计
被引量：1
- 5
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作者
刘琦
柯导明
陈军宁
高珊
刘磊
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期810-813,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60576066)
安徽省自然科学基金资助项目(2006KJ012A)
安徽省高等学校青年科研基金资助项目(2005kj1031)
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文摘
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。
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关键词
复合栅
跨导
截止频率
功函数
LDMOS
热载流子效应
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Keywords
Dual-material gate
Transeonductance
Cutoff frequency
Work-function
LDMOS
Hot carrier effect
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名多层前馈神经网络及其在开关变换器中的应用
被引量：1
- 6
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作者
姜学东
周宇飞
王诗兵
陈军宁
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《电测与仪表》
北大核心
2008年第9期53-58,64,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60672023)
安徽省优秀青年科技基金资助项目(08040106807)
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文摘
多层前馈神经网络具有多层结构、可鉴别神经元特性函数和误差反传算法等三个要素。本文从多层前馈神经网络的结构和原理出发,分析了多层前馈神经网络的非线性函数映射能力,以此为基础,从而可以实现其在系统辨识和非线性控制上的作用。另外,以Boost变换器的神经网络辨识器和控制器的设计为例,探讨了开关变换器的数学建模方法和多层前馈神经网络在其中的应用,使得各种线性和非线性控制方法均可以利用多层前馈神经网络来实现,并具有统一的设计和训练措施。
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关键词
多层前馈神经网络
系统辨识
非线性控制
开关变换器
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Keywords
multilayer feedforward neural network
system identification
nonlinear control
switching converter
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名一种便携SAW气体传感器的电路设计
- 7
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作者
侯成诚
闫学锋
汪幸
周文
李冬梅
刘明
陈军宁
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机构
中国科学院微电子研究所
安徽大学微电子系
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期520-522,共3页
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基金
国家"八六三"基金资助项目(2009AA03Z444)
国家"九七三"计划基金资助项目(2009BC939703
2006CB806204)
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文摘
该文采用信号处理技术,设计了一种振荡电路。该电路解决了双延迟线型声表面波(SAW)器件不易起振,频率跳变等问题。整个电路结构简单,对插损低于20 dB的器件有很好的起振效果,满足气体检测的需要。
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关键词
声表面波(SAW)
气体传感器
电路
延迟线
设计
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Keywords
SAW
vapor sensors
circuit
delay lines
design
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分类号
TP212.9
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名适用于高频调谐器的可变增益放大器设计
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作者
叶云飞
陈军宁
柯导明
吴秀龙
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《电脑知识与技术》
2006年第3期174-174,234,共2页
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文摘
本文介绍了可变增益放大器的一些典型电路,采用0.18!m标准CMOS工艺设计了适用于DVB-C标准的高频调谐器中的可变增益放大器,运用Mentor公司的Eldo工具对电路进行了仿真,仿真结果达到低功耗、低噪声、宽增益范围的设计要求。
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关键词
高频调谐器
可变增益放大器
CMOS
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Keywords
tuner
variable gain amplifier（VGA）
CMOS
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分类号
TN943
[电子电信—信号与信息处理]
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题名异质栅MOSFET热载流子效应的研究
- 9
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作者
褚蕾蕾
高珊
金林
陈军宁
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机构
安徽大学微电子系
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第3期185-188,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(60876062)
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文摘
异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.
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关键词
异质栅
MOSFET
热载流子效应
MEDICI
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Keywords
dual-material-gate
MOSFET
hot carrier effect
MEDICI
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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