硼掺杂金刚石电极及其电分析应用 被引量：20

1

作者 高成耀 常明 +1 位作者 李晓伟 李翠平 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期951-962,共12页

一种新电极材料的发明往往会推动电分析测试的发展。硼掺杂金刚石(BDD)电极在电分析中具备宽电势窗口、低背景电流、耐腐蚀稳定性高和低吸附的特点,因而在电分析化学中引起了广泛的兴趣。本文对BDD电极的制备、表征和基本电分析性质进... 一种新电极材料的发明往往会推动电分析测试的发展。硼掺杂金刚石(BDD)电极在电分析中具备宽电势窗口、低背景电流、耐腐蚀稳定性高和低吸附的特点,因而在电分析化学中引起了广泛的兴趣。本文对BDD电极的制备、表征和基本电分析性质进行了介绍,并对其在毛细管电泳、生物传感电极、痕量金属离子检测、化学修饰电极及化学需氧量快速测定方面的应用进行了综述。 展开更多

关键词 硼掺杂金刚石电极 毛细管电泳 电化学生物传感器 化学修饰电极 痕量金属离子检测

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用支持向量回归法实现单帧图像超分辨率重建 被引量：9

2

作者 袁其平 林海杰 +1 位作者 陈志宏 杨晓苹 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2302-2309,共8页

由于一些传统的超分辨率重建算法学习多幅不同类别的图像仍无法获得好的重建效果,本文提出了一种基于支持向量回归机和光栅扫描的单帧图像超分辨率重建算法。该算法首先采用光栅扫描法对一组高低分辨率训练图像提取图像块,从块中分别抽... 由于一些传统的超分辨率重建算法学习多幅不同类别的图像仍无法获得好的重建效果,本文提出了一种基于支持向量回归机和光栅扫描的单帧图像超分辨率重建算法。该算法首先采用光栅扫描法对一组高低分辨率训练图像提取图像块,从块中分别抽取输入向量和标签像素。利用Log算子判断这些块是属于高频空间还是低频空间,从而构建高低频空间向量对并对其进行优化。然后,用支持向量回归机（SVR）工具训练优化后的向量对,得到高低频空间下的两个字典;抽取测试低分辨率图像中的块并得到高低频空间下的输入向量,利用SVR工具回归对应的属于超分辨率图像块的标签像素并得到回归后的图像。最后,对图像进行后处理得到最终的超分辨率图像。与其它算法的对比实验表明：提出的算法具有较好的视觉效果。特别在放大倍数为2时,提出的算法在不同图像上的峰值信噪比（PSNR）和结构相似度（SSIM）值较双三次插值法分别提高了3.1%~5.3%和1.5%~8.1%。得到的结果显示提出的算法获得了更好的重建效果。 展开更多

关键词 超分辨率重建 单帧图像 支持向量回归机 LOG算子 光栅扫描

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Ta衬底B掺杂金刚石薄膜电极极化特性 被引量：8

3

作者 高成耀 常明 李晓伟 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期479-483,共5页

研究了热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Ta衬底上制备B掺杂金刚石(BDD/Ta)薄膜电极的极化特性。扫描电镜(SEM)和Raman光谱显示,BDD/Ta薄膜电极具有较好的成膜质量。电化学测试表明,BDD/Ta薄膜电极具有比常规电极如Pt、IrO2和RuO2更宽的电... 研究了热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Ta衬底上制备B掺杂金刚石(BDD/Ta)薄膜电极的极化特性。扫描电镜(SEM)和Raman光谱显示,BDD/Ta薄膜电极具有较好的成膜质量。电化学测试表明,BDD/Ta薄膜电极具有比常规电极如Pt、IrO2和RuO2更宽的电势窗口,在Na2SO4溶液中的电势窗口为4.1V(-1.8V～+2.3V vs SCE),电势窗口受沉积C源浓度和支持电解液PH值的影响。BDD/Ta薄膜电极在[Fe(CN)6]3-/4-体系中电化学反应具有良好的准可逆性,其动力学主要是受扩散过程所控制。紫外-可见吸收光谱显示,BDD/Ta薄膜电极能够有效阳极电催化降解苯酚,降解过程中化学需氧量(COD)去除率达98.6%。 展开更多

关键词 B掺杂金刚石(BDD) 电极材料 化学气相沉积(CVD) 循环伏安 交流阻抗 电化学高级氧化技术

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基于水凝胶溶胀特性的全光纤萨格纳克环pH传感器

4

作者 卢琪 刘正宇 +2 位作者 薛力芳 陈志宏 张海伟 《光电技术应用》 2024年第4期42-48,共7页

根据水凝胶在不同pH溶液中的溶胀程度不同,研制出了一种基于水凝胶溶胀应力的光纤萨格纳克环pH传感器,选择溶胀性能较好的聚丙烯酰胺水凝胶作为传感媒介。在不同pH溶液中,水凝胶溶胀的差异性引起保偏光纤的轴向应力发生变化,使得萨格纳... 根据水凝胶在不同pH溶液中的溶胀程度不同,研制出了一种基于水凝胶溶胀应力的光纤萨格纳克环pH传感器,选择溶胀性能较好的聚丙烯酰胺水凝胶作为传感媒介。在不同pH溶液中,水凝胶溶胀的差异性引起保偏光纤的轴向应力发生变化,使得萨格纳克环的输出光谱发生偏移,通过表征光谱的偏移量实现pH传感。该传感器在pH为2~12的范围内呈线性响应,灵敏度为0.947nm/pH。实验结果表明,该传感器具有良好的鲁棒性、稳定性和重复性。 展开更多

关键词 PH传感器 智能水凝胶 萨格纳克干涉仪 光纤传感 应力

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Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr光催化剂的构建及其磁场可调控性能 被引量：1

5

作者 张仕杰 史超杰 +6 位作者 唐继霞 钱图 梁丽丽 李雪辰 田禾 贺婕 杨正春 《石油学报（石油加工）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1082-1091,共10页

采用金属辅助化学刻蚀法和水热法制备了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂,考察了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr在磁场作用下的光催化性能。结果表明:Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂在未使用HNO_(3)溶液浸泡且无磁场作... 采用金属辅助化学刻蚀法和水热法制备了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂,考察了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr在磁场作用下的光催化性能。结果表明:Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂在未使用HNO_(3)溶液浸泡且无磁场作用时的光电流密度为0.25 mA/cm^(2),开启电压为0.4 V;Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合材料在合成时表面会产生Ag,采用HNO_(3)溶液将其浸泡除去Ag,浸泡后光电流密度为0.07 mA/cm^(2),相比于未使用HNO_(3)溶液浸泡时的光电流密度明显下降,这是由于Ag具有传输电子与空穴的能力,可加快ZnFe_(2)O_(4)和Si纳米线间光生电子和光生空穴对的分离,从而提高光电流密度;当外加80000 A/m磁场时,其光电流密度增加至0.2 mA/cm^(2),开启电压为0.28 V,表明磁场可显著提高该复合光催化剂的光催化效率。Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr界面处的能带弯曲加快了光生载流子的传输,减少了光生空穴与光生电子间的复合,使更多的电子和空穴可参与到光催化过程中,进而提高了体系的光催化性能。在光催化过程中,外加磁场使体系所产生的光生载流子可以更快速地传输至光催化剂表面,进一步增强体系的光催化效率。 展开更多

关键词 SI纳米线 ZnFe_(2)O_(4)/AgBr 光催化 磁场 光电流密度 能带弯曲

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热丝化学气相沉积制备BDD薄膜电极的电催化特性 被引量：5

6

作者 常明 高成耀 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期37-39,92,共4页

研究了热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备得到掺硼金刚石膜电极电催化氧化典型有机物苯酚的特性。Raman光谱测试显示制备BDD电极具有较好的金刚石相,循环伏安测试表明该电极具有较高的析氧过电位(+2.3V vsSCE)。在电催化氧化苯酚过程中,化... 研究了热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备得到掺硼金刚石膜电极电催化氧化典型有机物苯酚的特性。Raman光谱测试显示制备BDD电极具有较好的金刚石相,循环伏安测试表明该电极具有较高的析氧过电位(+2.3V vsSCE)。在电催化氧化苯酚过程中,化学需氧量(COD)能够有效去除,降解过程中有较高的电流效率,在COD较高的情况下,瞬时电流效率(ICE)可达100%,随着COD的降低ICE逐渐减少。催化实验结果表明,BDD电极是一种优良的电催化降解有机物新型电极。 展开更多

关键词 硼掺杂金刚石薄膜电极 苯酚 电化学催化氧化

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直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究 被引量：4

7

作者 张聪聪 戴玮 +3 位作者 朱宁 尹振超 吴小国 曲长庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1205-1210,共6页

采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表... 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 展开更多

关键词 直流电弧等离子喷射CVD 硼掺杂金刚石(BDD) 循环伏安法 多巴胺

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喷射CVD法制备金刚石厚膜及其内应力分析 被引量：4

8

作者 洪松 杨保和 +1 位作者 李明吉 吴晓国 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期555-558,共4页

采用直流电弧等离子体喷射CVD法制备出金刚石薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱及X射线衍射(XRD)等研究基底温度对金刚石厚膜生长特性及内应力的影响。结果表明:950℃基底温度生长的金刚石厚膜结晶性能较好,纯度较高;而850℃和1... 采用直流电弧等离子体喷射CVD法制备出金刚石薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱及X射线衍射(XRD)等研究基底温度对金刚石厚膜生长特性及内应力的影响。结果表明:950℃基底温度生长的金刚石厚膜结晶性能较好,纯度较高;而850℃和1050℃生长的金刚石厚膜表面呈现大量的孪晶缺陷,结晶度较低,同时出现较多的非金刚石碳,纯度较低。随着基底温度的增加,(111)晶面和(311)晶面的衍射峰强度逐渐增强,(220)晶面的衍射峰强度逐渐降低。850℃和950℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出拉应力,1050℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出压应力。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 直流电弧等离子体喷射CVD 基底温度 内应力

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Ta／BDD薄膜材料电极在检测苯胺中的应用 被引量：3

9

作者 高成耀 常明 沈锋英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1985-1988,共4页

制作钽衬底掺硼金刚石薄膜材料电极(Ta/BDD),并利用此薄膜材料电极为工作电极通过阴极溶出伏安法检测水中的苯胺。用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法沉积Ta/BDD薄膜电极,扫描电镜和拉曼光谱表明电极具有良好的物理性质,循环扫描测试表明电... 制作钽衬底掺硼金刚石薄膜材料电极(Ta/BDD),并利用此薄膜材料电极为工作电极通过阴极溶出伏安法检测水中的苯胺。用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法沉积Ta/BDD薄膜电极,扫描电镜和拉曼光谱表明电极具有良好的物理性质,循环扫描测试表明电极具有宽的电势窗口4.1V(-1.8^+2.3Vvs SCE)和低背景电流,此特性对于电化学检测有着明显的优势。发现苯胺在氧化处理的Ta/BDD电极上有可逆的氧化还原峰,检测过程中未发生电极钝化现象。Ta/BDD电极在酸性介质中苯胺检测效果较明显,苯胺在1~40μmol/L范围内浓度与溶出峰电流值有较好的线性关系。 展开更多

关键词 掺硼金刚石薄膜 电极材料 苯胺 电分析

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RF-PECVD法研究碳纳米管的生长特性 被引量：3

10

作者 李玮玮 李明吉 杨保和 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期79-81,共3页

采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）,以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管（CNT）,采用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR TEM）以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明：700... 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）,以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管（CNT）,采用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR TEM）以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明：700℃和800℃温度下生长的CNT均取向无序、弯曲缠结,由整齐排列的圆筒状石墨片构成,层间距约为0.34 nm,属于结晶性多壁CNT;在700℃基片温度下生长的CNT均匀细长,管径约为15~20 nm,长度约2μm;800℃基片温度下生长的CNT纯度较高。 展开更多

关键词 碳纳米管(CNT) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) Fe催化剂 基片温度

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基于非绝热型微光纤的高灵敏度磁场传感器 被引量：3

11

作者 齐晨英 徐常平 +2 位作者 白扬博 李斌 苗银萍 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第24期134-140,共7页

利用熔接机电弧放电和氢气火焰加热相结合的方法,在光纤直径骤减的锥区中心位置制得非绝热型微光纤。该光纤结构具有较强的倏逝场,可以大幅增强光与物质的相互作用。将其与磁流体进行集成,基于磁流体的磁场可调谐折射率变化特性,能够实... 利用熔接机电弧放电和氢气火焰加热相结合的方法,在光纤直径骤减的锥区中心位置制得非绝热型微光纤。该光纤结构具有较强的倏逝场,可以大幅增强光与物质的相互作用。将其与磁流体进行集成,基于磁流体的磁场可调谐折射率变化特性,能够实现对外界弱磁场的快速测量。研究结果表明,在0~150 Oe的磁场强度范围内,灵敏度可达193.28 pm/Oe,探测极限约为0.187 Oe,并且其灵敏度随着干涉峰波长的增大而增大。该传感器具有体积小、成本低、制作方法简单等优点,在电磁场检测领域具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 光纤传感器 磁场检测 磁流体 非绝热型 微光纤

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BDD/Ti复合膜电化学特性及其在含油废水中的应用 被引量：3

12

作者 常明 付威 +1 位作者 陈希明 李晓伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2375-2379,共5页

为了提高传统膜材料的抗污染能力,采用化学气相沉积法在多孔钛膜材料表面沉积了掺硼金刚石薄膜,制备出了新型BDD/Ti复合膜。对BDD/Ti复合膜在含油废水中的电化学特性进行了分析,并对其处理效果进行了评价。结果表明膜分离技术结合电化... 为了提高传统膜材料的抗污染能力,采用化学气相沉积法在多孔钛膜材料表面沉积了掺硼金刚石薄膜,制备出了新型BDD/Ti复合膜。对BDD/Ti复合膜在含油废水中的电化学特性进行了分析,并对其处理效果进行了评价。结果表明膜分离技术结合电化学清洁技术,提高了膜的抗污染能力,同时增强了分离效果,延长了膜的使用寿命。 展开更多

关键词 掺硼金刚石薄膜 膜污染 电化学

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(100)取向AlN薄膜的制备及其压电性能研究 被引量：3

13

作者 尹涛涛 杨保和 +1 位作者 李翠平 王进 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1327-1332,共6页

采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备了(100)取向的AlN薄膜并研究了工作压强和溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,结果表明,在一定范围内,工作压强的增加和溅射功率的减小更... 采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备了(100)取向的AlN薄膜并研究了工作压强和溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,结果表明,在一定范围内,工作压强的增加和溅射功率的减小更有利于AlN(100)晶面择优取向的生长。利用压电力显微镜(PFM)对AlN薄膜的形貌和压电性能进行了表征,发现(100)择优取向的AlN薄膜的压电性主要表现在薄膜面内方向上。 展开更多

关键词 ALN薄膜 射频磁控溅射 压电性能 (100)择优取向

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正色散光纤中产生自相似脉冲的数值模拟 被引量：2

14

作者 李莉苹 张爱玲 《天津理工大学学报》 2011年第3期1-5,共5页

基于脉冲在光纤中传输所满足的非线性薛定谔方程(NLSE),采用数值计算的方法对脉冲在单根正色散光纤中演化为抛物线型自相似脉冲的传输特性进行研究.结果表明,合理地选取脉冲的初始能量和脉宽,脉冲在正色散光纤中演化成带有线性啁啾的自... 基于脉冲在光纤中传输所满足的非线性薛定谔方程(NLSE),采用数值计算的方法对脉冲在单根正色散光纤中演化为抛物线型自相似脉冲的传输特性进行研究.结果表明,合理地选取脉冲的初始能量和脉宽,脉冲在正色散光纤中演化成带有线性啁啾的自相似脉冲.进一步研究表明,输入脉冲的形状越接近自相似脉冲则其演化为抛物线型自相似脉冲越快,故高斯型脉冲与双曲正割型脉冲在相同能量下,高斯型脉冲有更短的最优光纤长度,且能演化为更优质的自相似脉冲. 展开更多

关键词 非线性光学 数值模拟 正色散光纤 抛物线型自相似脉冲

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基于FBG阵列的任意波形产生装置 被引量：1

15

作者 梁久灿 张爱玲 《光通信研究》 北大核心 2015年第4期46-48,共3页

提出了一种基于单阵列FBG(光纤布拉格光栅)的任意波形产生装置。该装置包括光学频率梳产生部分和脉冲整形部分。在光学频率梳产生部分,利用自相位调制效应压缩拍频光得到光学频率梳;脉冲整形部分包括FBG阵列、偏振控制器、光纤拉伸器和... 提出了一种基于单阵列FBG(光纤布拉格光栅)的任意波形产生装置。该装置包括光学频率梳产生部分和脉冲整形部分。在光学频率梳产生部分,利用自相位调制效应压缩拍频光得到光学频率梳;脉冲整形部分包括FBG阵列、偏振控制器、光纤拉伸器和偏振片。不同波长的谱线经过不同数量的偏振控制器后其偏振态各不相同,经过偏振片后各条谱线的幅度会发生不同程度的衰减。相位控制器通过改变光纤的长度改变谱线的相位。通过该结构进行实验并仿真,得到了频率为125GHz的类似三角波和高斯波的波形。 展开更多

关键词 光纤布拉格光栅 偏振控制器 任意波形

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磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性 被引量：2

16

作者 肖琦 杨保和 朱珊珊 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1332-1336,共5页

采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30... 采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。 展开更多

关键词 磁激励 射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD) 低温 类金刚石(DLC) 声表面波(SAW) 气体传感器

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靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响 被引量：2

17

作者 王进 李翠平 +3 位作者 杨保和 张庚宇 尹涛涛 苏林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1519-1524,共6页

采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,... 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。 展开更多

关键词 氮化铝(AlN)薄膜 靶基距 射频(RF)磁控 择优取向

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衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响 被引量：1

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作者 冯少君 薛玉明 +5 位作者 刘浩 宋殿友 夏丹 孙海涛 李鹏宇 乔在祥 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期285-289,共5页

采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜。采用低温一步法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜;采用两步法,即在衬底温度分别为300℃和480℃制备CZTSSe薄膜;将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜。通过对X射线衍射(XRD)、扫描... 采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜。采用低温一步法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜;采用两步法,即在衬底温度分别为300℃和480℃制备CZTSSe薄膜;将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜。通过对X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼谱对比发现,在300℃低温下一步法和300℃、480℃两步法沉积的薄膜表面粗糙,碎小晶粒较多;在480℃一步高温法制备的薄膜表面平整,晶粒大小均匀,3个衍射峰的半高峰宽变窄,薄膜的结晶质量得到改善,且没有发现其它杂相的拉曼特征峰,沉积出适合作为制备CZTSSe薄膜太阳电池的吸收层。 展开更多

关键词 铜锌锡硫(CZTSSe) 衬底温度 太阳电池 结构特性 薄膜

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基于QDMA的X264编码器优化

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作者 王新闯 任广军 +1 位作者 王洪鹏 郭亲弟 《天津理工大学学报》 2011年第3期30-32,共3页

为提高X264编码器在TMS320C6416处理器上的编码速度,提出一种基于QDMA(快速存储器访问)的优化方法.根据C6416的存储结构和访问速度特点,通过设置双缓冲区,使用QDMA的方法实现了数据的搬运.实验表明,使用QDMA方式优化后编码器的率失真性... 为提高X264编码器在TMS320C6416处理器上的编码速度,提出一种基于QDMA(快速存储器访问)的优化方法.根据C6416的存储结构和访问速度特点,通过设置双缓冲区,使用QDMA的方法实现了数据的搬运.实验表明,使用QDMA方式优化后编码器的率失真性能损失很小,编码时间平均缩短了11.82%,有效地提高了编码速度. 展开更多

关键词 X264编码器 QDMA C6416 优化

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适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析

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作者 苏林 杨保和 +2 位作者 王芳 李翠萍 朱宇清 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2150-2155,共6页

采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶... 采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄膜的压电性能和极化取向也有很大影响,在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要为O截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) ZNO薄膜 溅射功率 择优取向 极化分布 压电响应力显微镜(PF M)

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