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p型硅外延层电阻率的控制 被引量：3
1
作者 傅雄强 魏雅敏 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第4期49-52,共4页
计算表明，ｐ型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证ｐ型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性，除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外，还需十分严格地控制硅外延片的生长温度和速度。
关键词 硅 外延层 电阻率 温度控制
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半导体硅片表面缺陷光反射“魔镜”检测技术
2
作者 颜彩蘩 李增发 +2 位作者 李训普 张光寅 王宏杰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1999年第1期50-52,共3页
本文报道应用古代“魔镜”成像原理和现代激光技术发展起来的一种新的光反射“魔镜”检测技术。采用这项技术可以非常直观、方便地观测到直径小于１５０ｍｍ的硅抛光片及硅外延片表面存在的缺陷情况，其分辨率为０．５μｍ。由于光反射... 本文报道应用古代“魔镜”成像原理和现代激光技术发展起来的一种新的光反射“魔镜”检测技术。采用这项技术可以非常直观、方便地观测到直径小于１５０ｍｍ的硅抛光片及硅外延片表面存在的缺陷情况，其分辨率为０．５μｍ。由于光反射“魔镜”检测技术是一种新型的光学无损检测技术，具有探测灵敏度高、快速、无破坏性、大面积检测等优点，该项检测技术将会有更加广泛的应用前景。 展开更多
关键词 魔镜 检测 表面缺陷 硅 光检测技术
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CFZ单晶的生产及特点
3
作者 沈浩平 李翔 +3 位作者 昝兴利 汪雨田 纪秀锋 林键 《半导体杂志》 1998年第3期24-25,共2页
本文介绍了一种全新的硅单晶生长方法。通过大量实验对ＣＦＺ法生长技术和特点作了描述，并对ＣＦＺ的应用作了讨论。
关键词 半导体 硅单晶 掺杂 CFZ法
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高纯氢气净化工艺设备的试制
4
作者 吕鸣山 《低温与特气》 CAS 1986年第1期10-12,共3页
随着科学技术的迅速发展，高纯氢作为半导体材料生产中的反应气获得了日益广泛的应用，对氢气的纯度要求也越来越高。为了提高半导体材料的质量和成品率，首先要提高半导体材料生产的基础材料——氢气质量。
关键词 工艺设备 氢气净化 试制 材料生产 半导体材料 科学技术 基础材料 反应气 高纯氢 成品率 质量
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