纳米硅薄膜低温光致发光 被引量：1

1

作者 窦红飞 李建军 +3 位作者 魏希文 邹赫麟 何宇亮 刘明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期38-42,共5页

以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理... 以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 光致发光 化学气相渡积 等离子体

下载PDF 职称材料

多孔硅的发光机制综述 被引量：4

2

作者 李雪梅 魏希文 《半导体杂志》 1994年第2期24-29,共6页

本文对目前所持的几种关于多孔硅发光机制的观点加以介绍，给出了一些实验事实和结果。

关键词 多孔硅 光致发光

下载PDF 职称材料

双管S型负阻器件的研究 被引量：7

3

作者 魏希文 王美田 +4 位作者 李建军 李雪梅 李凤银 王化雨 曹体伦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期74-77,共4页

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）．本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。

关键词 负阻器件 两端器件

下载PDF 职称材料

高耐压低负阻大功率晶体管理论分析 被引量：1

4

作者 李建军 魏希文 +1 位作者 裴素华 王子欧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期15-20,共6页

从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。

关键词 负阻 功率器件 理论分析 功率晶体管

下载PDF 职称材料

双向负阻器件的数值模拟 被引量：3

5

作者 李建军 魏希文 +3 位作者 王美田 李风银 王化雨 盖学敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期66-69,共4页

本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。

关键词 负阻器件 数值模拟 半导体器件

下载PDF 职称材料

不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型 被引量：2

6

作者 魏希文 李建军 +4 位作者 马平西 邹赫麟 王阳元 张利春 吉利久 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第9期528-538,共11页

本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、... 本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系. 展开更多

关键词 氧化层 界面 多晶硅 晶体管 模型

下载PDF 职称材料

一种新型半导体材料──纳米晶硅 被引量：2

7

作者 李建军 魏希文 万明芳 《半导体杂志》 1994年第1期34-41,共8页

一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近几年发展起来的又一种新型半导体材料。纳米固体材料是一种既不同于晶态也不同于... 一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近几年发展起来的又一种新型半导体材料。纳米固体材料是一种既不同于晶态也不同于非晶态的第三类固体材料，由１～１５... 展开更多

关键词 半导体材料 纳米晶硅

下载PDF 职称材料

与CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器研究 被引量：1

8

作者 汪家奇 唐祯安 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期31-33,共3页

皮拉尼传感器广泛用于105Pa～10-1Pa的粗真空测量。本文在基于MEMS工艺的皮拉尼传感器的基础上研制了一款与标准CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器。它采用钨微热板作为敏感元件,工作在恒电流模式下。该传感器利用0.5μm标准CMOS工艺加工,对10... 皮拉尼传感器广泛用于105Pa～10-1Pa的粗真空测量。本文在基于MEMS工艺的皮拉尼传感器的基础上研制了一款与标准CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器。它采用钨微热板作为敏感元件,工作在恒电流模式下。该传感器利用0.5μm标准CMOS工艺加工,对10-1Pa～105Pa的气压有响应,尤其对1 Pa～100 Pa气压具有线性响应。 展开更多

关键词 皮拉尼传感器 CMOS工艺 MEMS 微热板

下载PDF 职称材料

顾客时间窗变化的物流配送问题干扰管理方法研究 被引量：6

9

作者 杨文超 胡祥培 王征 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期290-296,共7页

为解决物流配送过程中顾客时间窗变化而导致的物流配送计划无法实现的难题,运用干扰管理方法,以干扰事件发生时的问题状态为基础,提出了新车增派策略和多车协作策略及其实施条件,并在此基础上建立了问题扰动救援的一种启发式算法.该算... 为解决物流配送过程中顾客时间窗变化而导致的物流配送计划无法实现的难题,运用干扰管理方法,以干扰事件发生时的问题状态为基础,提出了新车增派策略和多车协作策略及其实施条件,并在此基础上建立了问题扰动救援的一种启发式算法.该算法针对受扰车辆路线上的所有顾客,根据新车增派策略和多车协作策略,依次将每一顾客在原计划的送货车辆、其他在途车辆,以及增派的新车之间分配,并重新规划分配之后的车辆路线.最后在标准算例上使用该算法与文献遗传算法进行了比较分析,结果表明该算法对于干扰事件发生后的车辆路线重排结果在系统整体扰动程度方面明显优于文献算法. 展开更多

关键词 顾客时间窗变化 物流配送 扰动救援 干扰管理

下载PDF 职称材料

时间因素扰动下物流配送干扰管理问题的启发式算法 被引量：2

10

作者 杨文超 王征 《工业工程》 北大核心 2011年第4期39-45,共7页

时间因素扰动下的物流配送干扰管理是目前学术界和企业界所关注的一大难题。为了以尽量小的系统扰动,尽快恢复物流配送过程的正常运行,在深入剖析问题特征的基础上,以干扰事件发生时的问题状态为基础,建立了问题的数学模型,提出了基于... 时间因素扰动下的物流配送干扰管理是目前学术界和企业界所关注的一大难题。为了以尽量小的系统扰动,尽快恢复物流配送过程的正常运行,在深入剖析问题特征的基础上,以干扰事件发生时的问题状态为基础,建立了问题的数学模型,提出了基于知识的启发式算法,并在标准算例上与文献算法进行了比较分析。结果表明:本文的启发式算法对于一定规模的问题所得到的车辆路线规划结果,在系统整体扰动程度方面相比于文献的代表性算法有所降低,且运行速度更快。 展开更多

关键词 时间因素扰动 物流配送 启发式算法

下载PDF 职称材料

等离子体加工对器件损伤的两种模式 被引量：1

11

作者 刘艳红 赵宇 +2 位作者 王美田 胡礼中 马腾才 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期69-72,共4页

介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤。主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤。讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制。

关键词 等离子体损伤 可靠性 半导体工艺 超大规模集成电路

下载PDF 职称材料

基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响

12

作者 安俊明 李建军 +3 位作者 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期188-193,共6页

采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β... 采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β下降的主要因素 ,并给出了减小基区复合电流的 Ge分布形式 . 展开更多

关键词 双极晶体管 异质结 应变基区 共射极电流增益

下载PDF 职称材料