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薄膜太阳电池的研究进展 被引量：37
1
作者 耿新华 孙云 +1 位作者 王宗畔 李长健 《物理》 CAS 1999年第2期96-102,共7页
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置，详细叙述了非晶硅、铜铟锡、碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构、制造方法、研究进展和现状，指出了存在的关键问题和解决的途径，并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景．
关键词 薄膜太阳电池 非晶硅 太阳电池 碲化镉
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最大功率点跟踪原理及实现方法的研究 被引量：60
2
作者 赵庚申 王庆章 许盛之 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期997-1001,共5页
对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪... 对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪系统的效果。 展开更多
关键词 光伏系统 DC-DC变换器 最大功率点跟踪
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钙钛矿太阳电池综述 被引量：48
3
作者 姚鑫 丁艳丽 +1 位作者 张晓丹 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期135-142,共8页
基于有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3Pb X3)制备的太阳电池效率自2009年从3.8%增长到19.6%,因其较高的光吸收系数,较低的成本及易于制备等优势获得了广泛关注.钙钛矿材料不仅可以作为光吸收层,还可用作电子和空穴传输层,以此制备出不同... 基于有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3Pb X3)制备的太阳电池效率自2009年从3.8%增长到19.6%,因其较高的光吸收系数,较低的成本及易于制备等优势获得了广泛关注.钙钛矿材料不仅可以作为光吸收层,还可用作电子和空穴传输层,以此制备出不同结构的钙钛矿太阳电池:介孔结构、介观超结构、平面结构、无HTM层结构和有机结构.除此之外,钙钛矿材料制备方法的多样性使其更具吸引力,目前已有一步溶液法、两步连续沉积法、双源共蒸发法和溶液-气相沉积法.本文主要介绍了钙钛矿太阳电池的发展历程、工作原理及钙钛矿薄膜的制备方法等.详细阐述了电池每一层的具体作用和针对现有的钙钛矿结构各层材料的优化,最后介绍了钙钛矿太阳电池所面临的问题和发展前景,以期对钙钛矿太阳电池有进一步的了解,为制备新型高效的钙钛矿太阳电池打下坚实的基础. 展开更多
关键词 钙钛矿材料 太阳电池 晶体结构 电荷传输层
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CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量：25
4
作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
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高效单晶硅太阳电池的最新进展及发展趋势 被引量：34
5
作者 陈俊帆 赵生盛 +6 位作者 高天 徐玉增 张力 丁毅 张晓丹 赵颖 侯国付 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期110-116,共7页
晶体硅太阳电池是目前光伏市场的主流产品,其又可分为多晶硅电池和单晶硅(c-Si)电池。目前,多晶硅电池成本较低,市场份额较大,但其效率较低;单晶硅电池成本相对偏高,但其效率更高,市场份额小于多晶硅电池。随着硅材料和硅片切割技术的进... 晶体硅太阳电池是目前光伏市场的主流产品,其又可分为多晶硅电池和单晶硅(c-Si)电池。目前,多晶硅电池成本较低,市场份额较大,但其效率较低;单晶硅电池成本相对偏高,但其效率更高,市场份额小于多晶硅电池。随着硅材料和硅片切割技术的进步,单晶硅片的成本持续下降,且未来市场对高效率的高端光伏产品需求日益增长。因此,高效率的单晶硅电池将受到更多的关注。为进一步提高单晶硅太阳电池的效率,近几年的研究工作主要集中于提高硅片质量来降低体缺陷,寻找新型钝化材料来降低表面和界面缺陷,开发先进的减反技术(新型的绒面陷光结构和材料)以提高光的利用率,引入低电阻金属化技术降低串联电阻,优化PN结制备技术以及器件结构等。2014年至今,单晶硅太阳电池的转换效率得到连续突破。目前,最高效率是日本Kaneka公司创造的26.6%,其他效率达到或者超过25%的晶硅电池包括钝化发射极背面局部场接触(PERL)电池、交叉指式背接触(IBC)电池、硅异质结(SHJ)电池、交叉指式背接触异质结(HBC)电池、隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池、多晶硅氧化物选择钝化接触(POLO)电池等。分析这些典型电池的关键技术可以发现,栅线电极与c-Si的金属-半导体接触复合成为影响电池效率的关键因素。为减小这些复合,一方面通过电池背面局部开孔来减小金属与c-Si直接接触的面积,包括钝化发射极背场点接触(PERC)、PERL、钝化发射极和背面全扩散(PERT)等电池。另一方面则是开发既能够实现优异的表面钝化,同时又无需开孔便可分离与输运载流子的新型载流子选择性钝化接触技术,如SHJ电池、TOPCon电池等。此外,采用交叉指式背接触技术与其他电池结构结合则是最大限度提高光利用率的必然选择,包括IBC电池和HBC电池。本文介绍了当前国际上转化效率达到或超过25%的典型 展开更多
关键词 单晶硅太阳电池 减反技术 新型钝化材料 载流子选择性钝化接触 交叉指式背接触
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薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究 被引量：22
6
作者 薛俊明 麦耀华 +6 位作者 赵颖 张德坤 韩建超 侯国付 朱锋 张晓丹 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期166-169,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配,以及氧化锌/金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1.0 cm2效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池。 展开更多
关键词 叠层电池 微晶硅 非晶硅
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光伏发电系统最大功率点跟踪控制方法研究 被引量：18
7
作者 王庆章 赵庚申 +2 位作者 许盛之 李统福 王瑜 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期74-79,共6页
采用单片机控制系统实现最大功率点跟踪(M PPT),着重对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了研究和实验,采用了升降压式(Buck-Boost)DC-DC转换电路[3]来实现最大功率点跟踪,该方法电路简单、软硬件结合、控制方法灵活,... 采用单片机控制系统实现最大功率点跟踪(M PPT),着重对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了研究和实验,采用了升降压式(Buck-Boost)DC-DC转换电路[3]来实现最大功率点跟踪,该方法电路简单、软硬件结合、控制方法灵活,明显提高了太阳电池充电系统的整机效率. 展开更多
关键词 DC—DC变换器 最大功率点跟踪 光伏系统
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用FPGA实现OLED灰度级显示 被引量：19
8
作者 赵东 耿卫东 +3 位作者 吴春亚 陈有素 熊绍珍 张丽珠 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期554-558,共5页
根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。... 根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。分别对 32 0× 2 4 0和 6 4 0× 4 80的 OL ED屏 ,对实现 16级灰度的设计方案进行仿真 ,得到各个控制信号的时序图 ,并对此仿真结果进行了分析。结果表明 ,FP-GA设计实现的控制电路 ,能够实现 OL ED所要求的灰度级显示。该控制电路可用于无源或有源选址的OL ED显示。 展开更多
关键词 有机发光二极管 现场可编程门阵列 子场技术 灰度级 发光特性
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MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究 被引量：14
9
作者 徐步衡 薛俊明 +9 位作者 赵颖 张晓丹 魏长春 孙建 刘芳芳 何青 侯国付 任慧志 张德坤 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期515-518,共4页
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/m... 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 薄膜太阳电池 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 备用 生长技术 二乙基锌 低电阻率 光电特性 衬底温度 制备条件 方块电阻 H2O 透过率 min MOL 掺杂 流量 500 膜面积 气体
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Cu(In,Ga)Se_2材料成分对其电池性能的影响 被引量：14
10
作者 刘芳芳 何青 +4 位作者 李凤岩 敖建平 孙国忠 周志强 孙云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1954-1958,共5页
利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在... 利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在1015～1016cm-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗糙度处于30～60nm之间.在上述范围内,研制出转换效率为12.1%的CIGS薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 成分比例
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PM-OLED驱动中的分场显示问题研究 被引量：12
11
作者 郭斌 吴春亚 +1 位作者 熊绍珍 张丽珠 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期182-188,共7页
提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较... 提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较高的灰度级显示 ,避免使用大的电流驱动。用较少的分级电流 (4个成比例电流 )实现较高的灰度级 (1 6级 ) ,实现了数字化显示 ,电流信号还可以避免串扰的影响。 展开更多
关键词 OLED 分场显示 被动矩阵 数字化驱动 电流比率 电流移位 有机发光二极管
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Z源逆变器的状态反馈控制策略 被引量：18
12
作者 程如岐 赵庚申 郭天勇 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期673-678,共6页
为研究针对于Z源逆变器的直通零矢量和调制因子的统一控制方法,应用状态空间平均法在不忽略Z网络电感电阻的情况下对带感性负载的Z源逆变器进行统一的建模分析,并给出完整的数学模型。在此数学模型的基础上,依据非线性控制理论,结合状... 为研究针对于Z源逆变器的直通零矢量和调制因子的统一控制方法,应用状态空间平均法在不忽略Z网络电感电阻的情况下对带感性负载的Z源逆变器进行统一的建模分析,并给出完整的数学模型。在此数学模型的基础上,依据非线性控制理论,结合状态反馈控制方法设计完整的控制模型,并且给出具体的控制矩阵参数和对系统的硬件平台进行简单介绍。这种控制方法直接对直通零矢量和调制度进行统一的计算控制,仿真与实验结果表明通过对直通零矢量和调制度的统一控制,使系统具有跟踪快速准确,超调量小的特点。 展开更多
关键词 状态反馈控制 建模 状态平均 Z源 直通零矢量
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LCOS微显示技术 被引量：15
13
作者 代永平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期471-477,共7页
硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,... 硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 LCOS屏 反射式 微投影 光机
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CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能 被引量：14
14
作者 敖建平 孙云 +4 位作者 刘琪 何青 孙国忠 刘芳芳 李凤岩 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期682-686,共5页
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系，表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格... 在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系，表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时，为六方晶和立方晶混合结构；乙酸胺浓度较大时，为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池，光电转换效率最大可达12．1％，3．5×3．6cm^3小面积组件为6．6％。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12．17％。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。 展开更多
关键词 CBD CDS薄膜 CIGS太阳电池
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甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究 被引量：14
15
作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 王岩 耿新华 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1899-1903,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 . 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 太阳电池 硅烷浓度
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太阳电池与光伏组件的温度特性及其影响因素的分析 被引量：15
16
作者 于佳禾 许盛之 +4 位作者 韩树伟 李晓波 谭畅 余操 刘姿 《太阳能》 2018年第3期29-36,共8页
系统概括了温度对太阳电池及光伏组件的影响,并介绍了光伏系统的几种冷却技术。首先,总结了单晶硅、多晶硅及非晶硅等不同材料太阳电池的温度系数,对其性能进行了比较;其次,讨论了组件内部温度分布的均匀性对其性能造成的影响,光伏组件... 系统概括了温度对太阳电池及光伏组件的影响,并介绍了光伏系统的几种冷却技术。首先,总结了单晶硅、多晶硅及非晶硅等不同材料太阳电池的温度系数,对其性能进行了比较;其次,讨论了组件内部温度分布的均匀性对其性能造成的影响,光伏组件表面温度差异及上下表面温差不甚明显,但温差加剧则会对其电学性能造成影响;然后,从影响组件温度的环境及组件自身结构等方面进行了进一步总结;最后,介绍了几种用于冷却光伏系统的技术以供参考。 展开更多
关键词 太阳电池 光伏组件 温度系数 均匀性 冷却技术
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ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 被引量：15
17
作者 李林娜 薛俊明 +3 位作者 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期147-150,共4页
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。 展开更多
关键词 ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率
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磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化 被引量：11
18
作者 汤会香 严密 +4 位作者 张辉 张加友 孙云 薛玉明 杨德仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期741-744,共4页
采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了... 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 . 展开更多
关键词 正交实验 CuInSe2薄膜 优化制备
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氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响 被引量：12
19
作者 曹丽冉 陈新亮 +4 位作者 薛俊明 张德坤 孙建 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CSCD 北大核心 2009年第1期44-48,共5页
采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃... 采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。 展开更多
关键词 ITO薄膜 反应热蒸发 氧分压 散射机制
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绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用 被引量：11
20
作者 陈新亮 薛俊明 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1072-1077,共6页
研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~1... 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果. 展开更多
关键词 MOCVD 绒面ZnO薄膜 B掺杂 前电极 太阳电池
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