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基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究 被引量：14
1
作者 林来存 王启东 +4 位作者 邱德龙 伍恒 薛恺 于大全 曹立强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期52-57,共6页
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的... 本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小. 展开更多
关键词 转接板技术 光敏玻璃 玻璃通孔 电流密度 填充工艺
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应用于TGV的ICP玻璃刻蚀工艺研究 被引量：13
2
作者 张名川 靖向萌 +2 位作者 王京 杨盟 于大全 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1222-1227,共6页
玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、A... 玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、Ar流量三个工艺参数对深孔刻蚀的影响,探索提高刻蚀速率的优化组合。实验结果表明,C4F8流量对玻璃刻蚀速率有显著影响,并且随着C4F8/Ar流量比减小,侧壁角度垂直性越好。实验为TGV技术开发和应用提供了实验依据。 展开更多
关键词 玻璃通孔 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 正交实验
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Ka-K波段收发模块的3D系统级封装(SiP)设计 被引量：10
3
作者 汪鑫 刘丰满 +2 位作者 吴鹏 王启东 曹立强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第8期113-117,共5页
介绍了一种基于有机基板堆叠的高密度多芯片模块的新型三维系统封装(SiP)设计.该模块是工作在Ka波段(发射)和K波段(接收)的SiP.有机基板通过球栅阵列(BGA)堆叠,将收发模块与两个不同频段的天线集成在一起.对于有源芯片部分,包括单片式... 介绍了一种基于有机基板堆叠的高密度多芯片模块的新型三维系统封装(SiP)设计.该模块是工作在Ka波段(发射)和K波段(接收)的SiP.有机基板通过球栅阵列(BGA)堆叠,将收发模块与两个不同频段的天线集成在一起.对于有源芯片部分,包括单片式微波集成电路(MMIC)互连的邦定线设计,电磁辐射隔离和大功率芯片的散热处理;对于无源元件部分,主要包括微带式带通选频滤波器,DC-AC隔离块和天线设计.该系统把收发天线也集成在了毫米波前端里,系统具有多频段、小型化、低轮廓、高增益的优势,在未来毫米波无线通信系统中具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 毫米波前端 多芯片模块 堆叠式贴片天线 系统级封装
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硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展 被引量：10
4
作者 刘晓阳 刘海燕 +2 位作者 于大全 吴小龙 陈文录 《电子与封装》 2015年第8期1-8,共8页
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三... 以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 转接板 微组装技术 基板 2.5D/3D集成
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先进封装基板 被引量：8
5
作者 桂萌琦 方志丹 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期98-103,共6页
封装基板作为半导体封装的载体,为芯片提供电连接、保护、支撑和散热。受到电、热、尺寸、功能性以及周期成本的综合驱动,封装基板向着薄厚度、高散热性、精细线路、高集成度、短制造周期方向发展。介绍了先进封装基板的发展趋势和技术... 封装基板作为半导体封装的载体,为芯片提供电连接、保护、支撑和散热。受到电、热、尺寸、功能性以及周期成本的综合驱动,封装基板向着薄厚度、高散热性、精细线路、高集成度、短制造周期方向发展。介绍了先进封装基板的发展趋势和技术方向,重点介绍了FCBGA、无芯封装基板和埋入基板等几种先进封装基板前沿技术的定义、应用及研究现状。 展开更多
关键词 IC封装基板 FCBGA 无芯基板 埋入基板
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基于高功率密度芯片应用的微流道散热研究 被引量：7
6
作者 刘鹏辉 苏梅英 +1 位作者 李君 周鸣昊 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2021年第1期129-132,共4页
为了解决高功率密度芯片的散热问题,设计了3种微流道液冷板,分别为平直翅片液冷板和2种分段翅片液冷板,利用ANSYS Fluent软件比较它们的散热特性,研究发现平直翅片液冷板散热效果最好。对影响液冷板散热性能的因素(进口水温、进口流速... 为了解决高功率密度芯片的散热问题,设计了3种微流道液冷板,分别为平直翅片液冷板和2种分段翅片液冷板,利用ANSYS Fluent软件比较它们的散热特性,研究发现平直翅片液冷板散热效果最好。对影响液冷板散热性能的因素(进口水温、进口流速、环境温度)进行了仿真分析,通过正交实验设计,研究了这3种因素对散热性能的影响程度。结果表明,上述因素对散热性能影响程度的主次顺序为:进口水温>进口流速>环境温度,为高功率密度芯片的散热设计提供了参考依据。 展开更多
关键词 高功率密度芯片 微流道 仿真 散热
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光电模块中微弱电流测量电路的设计与测试 被引量：7
7
作者 谭同 何慧敏 +3 位作者 李宝霞 薛海韵 周云燕 曹立强 《电子设计工程》 2017年第9期6-9,13,共5页
为了实现对集成光路中各通道上的光强进行实时监测,测量nA级微弱电流,提出了两种基于运算放大器的微弱电流测量电路,并完成PCB板制作和电路测量。采用了将微弱电流转换成电压进而放大电压信号的方法,通过实际测试,两种电路达到了0.09 nA... 为了实现对集成光路中各通道上的光强进行实时监测,测量nA级微弱电流,提出了两种基于运算放大器的微弱电流测量电路,并完成PCB板制作和电路测量。采用了将微弱电流转换成电压进而放大电压信号的方法,通过实际测试,两种电路达到了0.09 nA/0.2 nA分辨能力,80 nA/120 nA测量范围,实现了光电模块中微弱电流测量需求;同时分析了电路的温度稳定性、占用PCB板的面积、功耗,为不同应用场景下光电模块中微弱电流测量电路的选择提供依据。 展开更多
关键词 光电模块 NA 运算放大器 微弱电流 温度稳定性
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TSV电迁移影响因素的有限元分析 被引量：6
8
作者 马瑞 苏梅英 +2 位作者 刘晓芳 王旭刚 曹立强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期93-97,共5页
本文建立了TSV互连结构三维有限元模型,并对该模型进行了电热耦合分析,分别对比了不同电流密度、环境温度、TSV填充材料等因素对TSV互连结构电迁移失效的影响。结果表明,在一定范围内,电流密度和环境温度是影响TSV互连结构电迁移寿命的... 本文建立了TSV互连结构三维有限元模型,并对该模型进行了电热耦合分析,分别对比了不同电流密度、环境温度、TSV填充材料等因素对TSV互连结构电迁移失效的影响。结果表明,在一定范围内,电流密度和环境温度是影响TSV互连结构电迁移寿命的主要因素;四种填充物相比,碳纳米管与硅的热膨胀系数更匹配,且产生的焦耳热最小。此外,仿真分析不同TSV长度和孔径对TSV互连结构的温度场分布和焦耳热分布情况的影响。随着TSV长度增大,TSV单位体积热生成率有减小的趋势。电流密度相同情况下,随着TSV孔径增大,产生的焦耳热增加,将加速电迁移现象。 展开更多
关键词 TSV 电迁移 有限元模拟 电热耦合
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基于高Q值玻璃槽电感的优化与验证 被引量：6
9
作者 苏华伟 林来存 +1 位作者 李君 曹立强 《电子设计工程》 2017年第16期6-10,15,共6页
为了实现射频系统对具有高品质因子的电感的迫切需求,本文提出了利用玻璃槽实现高品质因子电感的方法。通过对电感损耗机制分析得到影响玻璃槽电感品质因子的因素,通过建立玻璃槽电感的物理模型,并使用HFSS与ADS软件联合仿真的方法模拟... 为了实现射频系统对具有高品质因子的电感的迫切需求,本文提出了利用玻璃槽实现高品质因子电感的方法。通过对电感损耗机制分析得到影响玻璃槽电感品质因子的因素,通过建立玻璃槽电感的物理模型,并使用HFSS与ADS软件联合仿真的方法模拟了不同变量对玻璃槽电感的影响,得到的玻璃槽电感的品质因子大于100,同时,通过将基于玻璃槽电感的UWB超宽带滤波器与STATS Chip PAC公司基于硅基的UWB带通滤波器进行对比,仿真验证了基于玻璃槽电感实现的滤波器的性能优良,这说明电感品质越高对器件的性能提升越明显,所以本文提出的电感的设计方法有明显的优势。 展开更多
关键词 玻璃槽电感 品质因子高 电磁仿真 仿真验证
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基于5G通信的硅基IPD滤波器设计与仿真 被引量：6
10
作者 彭刚彬 周云燕 曹立强 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第5期10-13,18,共5页
集成无源器件(IPD)因其集成度高而被广泛应用于系统级封装(SIP)和现代无线通信系统中.同时为达到系统设计中低功耗、低成本和小型化的要求,本文设计了基于5G通信的IPD滤波器.利用电子设计自动化软件(ADS)设计滤波器原理图,并结合全波仿... 集成无源器件(IPD)因其集成度高而被广泛应用于系统级封装(SIP)和现代无线通信系统中.同时为达到系统设计中低功耗、低成本和小型化的要求,本文设计了基于5G通信的IPD滤波器.利用电子设计自动化软件(ADS)设计滤波器原理图,并结合全波仿真工具(HFSS)对电容、电感、互感以及整体滤波器结构进行仿真.系统仿真结果表明,滤波器在3.4～3.6 GHz带宽内损耗为1.08 dB,带外抑制达到-30 dB. 展开更多
关键词 IPD 5G通信 滤波器 硅基
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高速高密度光电共封装技术 被引量：5
11
作者 孙瑜 刘丰满 薛海韵 《中兴通讯技术》 2018年第4期27-32,共6页
分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转... 分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转接板样品。还提出了一种新型基于有机基板工艺的3D光电共封装结构,该结构相比其他2.5D和3D结构尺寸更小、更薄,设计更灵活。对该结构进行了工艺验证,制作了光探测器(PD)与跨阻放大器(TIA)共同集成的三维光电共封装样品。 展开更多
关键词 光电共封装 光电封装 混合集成 三维封装
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基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证 被引量：5
12
作者 彭刚彬 周云燕 曹立强 《电子设计工程》 2019年第20期175-179,共5页
随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合... 随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感,设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸(1.1mm*0.68mm)、低带内插损(-1.87dB@4.75GHz)和较好的带外抑制(零点位置:-48.5dB@2.5GHz和-34dB@7.7GHz)等优点。为提高电感Q值,提高电容密度,实现低成本及小型化,制造高性能的IPD器件,提供了一种可实施的制备方案。 展开更多
关键词 IPD 薄膜技术 半加成工艺 滤波器 硅基 5G通信
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基于Icepak的小外形封装结构热设计和分析 被引量：5
13
作者 胡文华 徐成 +1 位作者 徐健 孙鹏 《电子与封装》 2018年第11期1-4,35,共5页
介绍了典型小外形封装的热传输机制及其等效热流通道的热阻理论计算方法,并且利用专业热仿真软件Icepak对不同热设计结构的同一小外形封装进行建模和计算得到相应的热阻,同时通过热阻测试进行验证。对仿真和测试结果进行对比分析表明:... 介绍了典型小外形封装的热传输机制及其等效热流通道的热阻理论计算方法,并且利用专业热仿真软件Icepak对不同热设计结构的同一小外形封装进行建模和计算得到相应的热阻,同时通过热阻测试进行验证。对仿真和测试结果进行对比分析表明:对于有主散热通道的封装,可以通过增加散热通道的面积、缩短散热路径、基岛裸露、拓展散热通道数量等方法对通道结构进行设计优化,使封装的散热效果得到有效改善。 展开更多
关键词 小外形封装 热阻 热设计 仿真
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扇出型封装结构可靠性试验方法及验证 被引量：5
14
作者 徐健 孙悦 +1 位作者 孙鹏 胡文华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期787-794,共8页
基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析。通过菊花链设计结构及超声波... 基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析。通过菊花链设计结构及超声波扫描显微镜（SAM）等工具,对失效样品进行失效定位分析,并通过扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱仪（EDX）等失效分析工具进行失效分析。通过对不同批次的样品进行通断电测试、可靠性预处理、可靠性试验和失效分析,总结不同工艺方法对封装整体结构翘曲、芯片偏移、金属层分层等失效模式的影响。为晶圆扇出型封装的整体封装结构设计、工艺流程搭建、封装材料选择等工作提供了指导意见。 展开更多
关键词 扇出型封装 可靠性 菊花链 翘曲 失效分析
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TSV结构的几种SPICE模型仿真 被引量：4
15
作者 庞诚 王志 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期770-775,共6页
硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同... 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。 展开更多
关键词 硅通孔（TSV） SPICE模型 全波模型 有限元方法 S参数
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微波芯片倒装金凸点热疲劳可靠性分析及优化 被引量：4
16
作者 王健 万里兮 +2 位作者 侯峰泽 李君 曹立强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期555-560,共6页
为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列（BGA）封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-... 为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列（BGA）封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响。通过正交试验设计,研究了凸点高度、凸点直径以及焊料片厚度对凸点可靠性的影响程度。结果表明：金凸点离芯片中心越近,其可靠性越差。上述各结构尺寸因素对凸点可靠性影响程度的主次顺序为：焊料片厚度〉金凸点直径〉金凸点高度。因此,在进行微波芯片倒装封装结构设计时,应尽可能选择较薄的共晶焊料片来保证金凸点的热疲劳可靠性。 展开更多
关键词 金凸点 硅基板 热疲劳可靠性 倒装芯片 球栅阵列(BGA)封装
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玻璃基RDL传输线的特征阻抗与损耗研究 被引量：4
17
作者 吴海鸿 任玉龙 +1 位作者 徐健 孙鹏 《电子与封装》 2018年第12期1-7,共7页
玻璃基转接板由于具有优越的电学性能,是未来高速与高密度封装的关键技术之一。利用实测与仿真的方法,研究了玻璃基上RDL(redistribution layer)传输线尺寸的改变对其特征阻抗的影响情况,为设计具有阻抗管控的玻璃基RDL传输线提供了参考... 玻璃基转接板由于具有优越的电学性能,是未来高速与高密度封装的关键技术之一。利用实测与仿真的方法,研究了玻璃基上RDL(redistribution layer)传输线尺寸的改变对其特征阻抗的影响情况,为设计具有阻抗管控的玻璃基RDL传输线提供了参考,并对玻璃基和硅基RDL传输线的高频损耗进行了测试。结果显示,在40 GHz时,玻璃基RDL传输线的插入损耗约为-0.2 d B/mm,远高于硅基RDL传输线,因而更适合应用于高频高速产品中。实测与仿真的结果吻合较好。 展开更多
关键词 玻璃基板 传输线 特征阻抗 TDR 插入损耗
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用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计 被引量：4
18
作者 王惠娟 潘杰 +3 位作者 任晓黎 曹立强 于大全 万里兮 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期106-109,共4页
采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化... 采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。 展开更多
关键词 硅上电感 趋肤效应 射频系统集成 电磁仿真
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硅基光栅耦合封装结构的优化设计 被引量：4
19
作者 宋曼谷 曹立强 +3 位作者 刘丰满 薛海韵 孙瑜 李宝霞 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期479-483,共5页
为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增... 为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增加透镜的优化结构,研究了影响耦合效率的因素。结果表明,增加透镜后,耦合效率有所增加,角度容差和带宽都有一定的优化;在衬底增加反射镜后,对波长1550nm的光耦合效率提高至73.809%。该研究结果可为光栅耦合的封装结构设计提供参考依据。 展开更多
关键词 光栅 封装结构 时域有限差分法 耦合效率 透镜
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集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装的去耦设计
20
作者 李雨兴 陈天放 +1 位作者 李君 戴风伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1016-1022,共7页
对于供电网络面临的电源完整性挑战,采用一种集成深槽电容(DTC)的埋入硅桥式扇出型封装结构,以改善其供电性能。介绍了硅桥芯片和DTC的制作工艺以及DTC与埋入硅桥芯片的连接方式,并对硅桥芯片、DTC分别进行仿真,以验证DTC的去耦效果。... 对于供电网络面临的电源完整性挑战,采用一种集成深槽电容(DTC)的埋入硅桥式扇出型封装结构,以改善其供电性能。介绍了硅桥芯片和DTC的制作工艺以及DTC与埋入硅桥芯片的连接方式,并对硅桥芯片、DTC分别进行仿真,以验证DTC的去耦效果。进一步研究了集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装、在基板背贴硅电容的扇出型封装和无去耦电容的扇出型封装3种方案对电源分配网络(PDN)阻抗的去耦效果。通过对比3种方案的仿真结果,发现埋入硅桥式扇出型封装结构的自阻抗值和转移阻抗值较在基板背贴硅电容的扇出型封装结构分别低74%和95%,较无去耦电容的扇出型封装结构分别低91%和97%。 展开更多
关键词 硅桥芯片 深槽电容(DTC) 埋入硅桥式扇出型封装 电源分配网络(PDN) 去耦电容
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