MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性 被引量：3

1

作者 童玉珍 张国义 陈娓兮 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 1994年第4期288-292,共5页

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨... 本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。 展开更多

关键词 DBR MOCVD ALGAAS

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色散位移光纤中零色散波长纵向分布对四波混频转换效率的影响 被引量：2

2

作者 何勇志 安宏林 +1 位作者 林祥芝 刘弘度 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期664-666,共3页

研究了色散位移光纤零色散区域附近的四波混频特性 ,讨论了当零色散波长彼此不同的多段光纤连接起来后对四波混频效率的影响。理论计算结果表明 ,在信号光和抽运光波长间隔较小的区域 ,各光纤对四波混频过程都有贡献 ,且互相调制 ,并出... 研究了色散位移光纤零色散区域附近的四波混频特性 ,讨论了当零色散波长彼此不同的多段光纤连接起来后对四波混频效率的影响。理论计算结果表明 ,在信号光和抽运光波长间隔较小的区域 ,各光纤对四波混频过程都有贡献 ,且互相调制 ,并出现增益现象 ,有着很复杂的效率图。 展开更多

关键词 色散位移光纤 四波混频 波长转换

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甘氨酸在Cu(111)表面吸附的扫描隧道显微镜研究 被引量：3

3

作者 晏浩 赵学应 +1 位作者 赵汝光 杨威生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1964-1969,共6页

用超高真空扫描隧道显微镜 (UHV -STM)研究了室温下甘氨酸在Cu( 111)表面的吸附行为 .实验发现 ,在低覆盖度下甘氨酸分子在表面表现为二维气体 .当覆盖度足够高时 ,甘氨酸分子最终会形成二维固相结构 ,为 ( 4× 8)超结构 .针对这种... 用超高真空扫描隧道显微镜 (UHV -STM)研究了室温下甘氨酸在Cu( 111)表面的吸附行为 .实验发现 ,在低覆盖度下甘氨酸分子在表面表现为二维气体 .当覆盖度足够高时 ,甘氨酸分子最终会形成二维固相结构 ,为 ( 4× 8)超结构 .针对这种结构提出了两种可能的结构模型 ,模型能够很好地解释STM图 .当覆盖度介于气相和固相之间时 ,根据蒸镀条件和退火条件的不同 ,表面可能出现两种不同的中间相 ,一种为条纹结构 ,另一种为六角结构 。 展开更多

关键词 甘氨酸 CU(111) 表面吸附 扫描隧道显微镜 铜 结构模型 条纹结构 六角结构 生物有机分子

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Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ) 被引量：2

4

作者 张国义 刘弘度 王舒民 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 1995年第1期1-13,共13页

回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。

关键词 氮化镓 MOCVD 晶体结构

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脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究 被引量：1

5

作者 任国利 张撷秋 +2 位作者 聂瑞娟 王守证 王福仁 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期710-714,共5页

采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影... 采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为200℃,退火时间5min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度退火温度曲线。在退火温度为670℃、720℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向。同时比较了在200℃下沉积,在670℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670℃下退火5min的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。 展开更多

关键词 MGB2 超导薄膜 脉冲激光沉积 原位后退火

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Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅱ)

6

作者 张国义 刘弘度 王舒民 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 1995年第4期1-11,共11页

文中主要讨论GaN背景载流子浓度和掺杂问题,以及GaN-based异质结构与器件应用,在结论中给出了进一步深入研究的几个主要问题。

关键词 掺杂 异质结构 蓝光发光管

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钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长 被引量：3

7

作者 连贵君 李美亚 +3 位作者 康晋峰 郭建东 孙云峰 熊光成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期1917-1922,共6页

在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上，讨论影响氧化物薄膜外延生长的一些因素．考虑到相形成和薄膜生长动力学，在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数．衬底... 在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上，讨论影响氧化物薄膜外延生长的一些因素．考虑到相形成和薄膜生长动力学，在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数．衬底温度对成相和生长薄膜的取向都有影响．考虑到薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长．因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的．观察到衬底材料对薄膜外延生长温度的影响．在适当的工艺条件下，利用低温三步法工艺制备得到有很强织构的外延薄膜．这突出表明界面层的相互作用对钙钛矿结构薄膜的取向有着相当大的影响． 展开更多

关键词 钙钛矿结构 外延生长 氧化物 薄膜

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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 被引量：5

8

作者 章蓓 王若鹏 +4 位作者 丁晓民 杨志坚 戴伦 崔晓明 王舒民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页

利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．

关键词 微盘激光器 半导体激光器 量子阱 异质结 铟镓磷

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氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀 被引量：4

9

作者 章蓓 黄其煜 +2 位作者 周大勇 戴伦 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期698-701,共4页

本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法．这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点．采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ溶液腐蚀可得到几百纳米／分的腐蚀速率．

关键词 氮化镓 光辅助湿法腐蚀 腐蚀方法

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基于二维表面等离子体激元的微结构

10

作者 章蓓 栾峰 +7 位作者 徐军 金艳波 徐万劲 张会珍 钱怡 马骁宇 朱恪 刘玉龙 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期476-478,486,共4页

在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,... 在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 。 展开更多

关键词 电子束诱导沉积 表面等离子体激元 铟镓铝磷量子阱 光致发光 纳米碳

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带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管 被引量：1

11

作者 王大军 章 蓓 +3 位作者 栾 峰 杨 涛 徐万劲 马骁宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期87-90,共4页

在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型Ｉｎ－ＧａＡｌＰ量子阱发光二极管．这种ＬＥＤ的制备工艺简单易行,效果明显结果证实,与同样面积方形台面普通ＬＥＤ相比,这种ＬＥＤ的出光强... 在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型Ｉｎ－ＧａＡｌＰ量子阱发光二极管．这种ＬＥＤ的制备工艺简单易行,效果明显结果证实,与同样面积方形台面普通ＬＥＤ相比,这种ＬＥＤ的出光强度和效率都得到明显的增强和提高,为改进发光二极管的性能提供了一条新途径． 展开更多

关键词 发光二极管 InGaAlP量子阱 红光发光二极管 出光效率 回音壁模式.

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弱场下熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品局域磁通蠕动的实验研究

12

作者 刘峰 黄钧伟 +5 位作者 刘伟 肖玲 任洪涛 焦玉磊 郑明辉 阎守胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期2001-2007,共7页

利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa2 Cu3O7-δ样品的局域磁通蠕动行为 .对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫 ,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量 ,观察到了对数时间磁弛豫的行... 利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa2 Cu3O7-δ样品的局域磁通蠕动行为 .对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫 ,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量 ,观察到了对数时间磁弛豫的行为 ,发现由加场和去场数据所得的激活能U0 有明显的不同 .磁滞回线测量中 ,局域点的磁场随外场几乎同步变化 ,不同扫场速率下局域磁场随外场变化的差别不大 .实验结果表明 ,外场除对样品侧面外 ,对端面也有明显的穿透 .所得U0 的不同来源于磁通线与ab平面的位置关系 . 展开更多

关键词 弱场 熔融织构 YBa2Cu3O7-δ样品 局域磁通蠕动 实验研究 激活能 磁驰豫 高温超导体 霍尔探头法 钇钡铜氧化物

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非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟:非均匀钉扎势和表面势垒影响

13

作者 刘峰 阎守胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1829-1837,共9页

从热激活模型出发 ,对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟 .讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响 .计算结果表明 ,体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍 ,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离... 从热激活模型出发 ,对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟 .讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响 .计算结果表明 ,体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍 ,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品 .相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线 ,非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为中 . 展开更多

关键词 非理想第二类超导体 局域磁弛豫 非均匀钉扎

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电子通道技术在YBa＿2Cu＿3O＿7外延超导薄膜研究中的应用

14

作者 张存 张会珍 +2 位作者 熊光成 连贯君 李林涛 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第3期208-212,共5页

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴ... 本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。 展开更多

关键词 电子通道图 外延超导薄膜 电子显微镜

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RE_(1-x)T_xMnO_3氧化物的结构,电磁特性和巨磁电阻 被引量：79

15

作者 戴道生 熊光成 吴思诚 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1997年第2期201-222,共22页

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化... ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。 展开更多

关键词 稀土锰氧化物 电磁特性 巨磁电阻

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氧化镓纳米带的制备研究 被引量：13

16

作者 向杰 贾圣果 +1 位作者 冯孙齐 俞大鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期449-453,共5页

纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0... 纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。 展开更多

关键词 氧化镓 钠米线 钠米带 准一维纳米结构

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偶氮染料及其金属络合物的三阶非线性光学性质研究 被引量：8

17

作者 吴赛骏 钱卫 +4 位作者 夏宗炬 邹英华 王双青 沈淑引 许慧君 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期343-347,共5页

利用飞秒超外差光克尔方法测量了一种偶氮染料 (噻唑 -偶氮 -间二乙氨苯酚 )及其 Cu和 Co络合物的647mm波长三阶非线性光学系数的实部 ,所得的结果全是负值 .发现金属络合物中非线性光学特性巨大的增强 .利用一个二能级模型 ,将增强的... 利用飞秒超外差光克尔方法测量了一种偶氮染料 (噻唑 -偶氮 -间二乙氨苯酚 )及其 Cu和 Co络合物的647mm波长三阶非线性光学系数的实部 ,所得的结果全是负值 .发现金属络合物中非线性光学特性巨大的增强 .利用一个二能级模型 ,将增强的机制归结为由于金属络合物中电子的离域化导致的两个效应 ,即单光子共振的增强以及跃迁态之间偶极差的消弱 ,在 Co络合物中得到了分子有效二阶超极化率γeff为 10 - 2 9esu. 展开更多

关键词 偶氮染料 三阶非线性光学 金属络合物 飞秒超外差光克尔法

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宽禁带GaN基半导体激光器进展 被引量：4

18

作者 章蓓 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-6,共6页

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是 2 0世纪末研究最活跃的半导体材料系 ,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研... 宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是 2 0世纪末研究最活跃的半导体材料系 ,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。 展开更多

关键词 半导体激光器 氮化物半导体 宽禁带半导体 氮化钙

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介观体系和介观物理 被引量：3

19

作者 阎守胜 《物理》 CAS 北大核心 2001年第3期180-181,共2页

关键词 介观体系 介观物理 介观尺度

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PET表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究 Ⅲ.表面能分析方法在表面动力学中的应用 被引量：2

20

作者 张亮 王建祺 张新生 《应用化学》 CSCD 北大核心 1998年第2期88-90,共3页

ＰＥＴ表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究Ⅲ．表面能分析方法在表面动力学中的应用张亮＊（北京大学物理系介观物理国家重点实验室北京１００８７１）王建祺张新生（北京理工大学化工与材料学院北京）（北京教育学院宣武区分... ＰＥＴ表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究Ⅲ．表面能分析方法在表面动力学中的应用张亮＊（北京大学物理系介观物理国家重点实验室北京１００８７１）王建祺张新生（北京理工大学化工与材料学院北京）（北京教育学院宣武区分院北京）关键词聚对苯二甲酸乙二醇酯... 展开更多

关键词 PET 碳氟等离子体 表面改性 憎水性

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