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W 浆料中 SiO_2含量对 AlN 共烧基板烧结性能的影响 被引量：1
1
作者 胡永达 蒋明 +2 位作者 杨邦朝 崔嵩 张经国 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期88-90,共3页
研究了在 AlN 多层布线共烧基板中,W-SiO_2浆料体系中 SiO_2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明 SiO_2的质量分数在0.45％时,AlN 多层布线共烧基板的导带方阻达到10moΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm。
关键词 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结性能 集成电路
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MEMS封装用氮化铝共烧基板研究
2
作者 胡永达 蒋明 +1 位作者 杨邦朝 崔嵩 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期322-323,共2页
研究了 MEMS封装用 Al N共烧基板中 ,浆料对基板平整度和电性能的影响。共烧基板浆料以 W为导电材料 ,Si O2 为添加剂配制而成 ,结果表明 Si O2 的质量分数在 0 .45 %时 ,Al N多层布线共烧基板的导带方阻达到 10 mΩ /□ ,基板的翘曲度... 研究了 MEMS封装用 Al N共烧基板中 ,浆料对基板平整度和电性能的影响。共烧基板浆料以 W为导电材料 ,Si O2 为添加剂配制而成 ,结果表明 Si O2 的质量分数在 0 .45 %时 ,Al N多层布线共烧基板的导带方阻达到 10 mΩ /□ ,基板的翘曲度小于 5 0μm/ 5 0 mm。 展开更多
关键词 MEMS 氮化铝 共烧基板
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W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
3
作者 胡永达 蒋明 +2 位作者 杨邦朝 崔嵩 张经国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期311-315,共5页
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板... 氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa . 展开更多
关键词 W-SiO2浆料 共烧界面 微观结构 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结应力 陶瓷 钨 二氧化硅 集成电路 封装 基板材料
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