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MOSFET器件回顾与展望(上) 被引量：3
1
作者 肖德元 夏青 陈国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期805-809,827,共6页
简述了MOSFET器件工作原理,回顾了器件发展历程,列出亟待解决的器件工艺问题以及面临的挑战。
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 微电子技术 发展历程与挑战
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MOSFET器件回顾与展望(下) 被引量：1
2
作者 肖德元 夏青 陈国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-5,25,共6页
介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展,比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势。
关键词 金属氧化物半导体场效应管 微电子学 鳍状
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