新型热电材料综述 被引量：15

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作者 王超 张蕊 +10 位作者 杜欣 张晨贵 栾春红 姜晶 胡强 王军喜 杜志游 李天笑 马铁中 严冬 尹志尧 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期133-150,共18页

热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历... 热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历程和研究现状,包括碲化物、硫族层状化合物、氧化物、笼合物,Half-Heusler材料,方钴矿材料、Zintl相热电材料以及铜硫族类材料。另外,对热电材料的应用做了一些归纳总结,希望能扩展热电器件的应用,实现未来的规模产业化。 展开更多

关键词 新型热电材料 功率因子 SEEBECK系数 热电器件 热电性能

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等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究 被引量：1

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作者 周旭升 倪图强 程秀兰 《集成电路应用》 2008年第4期36-38,共3页

本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。

关键词 材料损伤 等离子体 电介质材料 低K电介质 镶嵌工艺

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刻蚀机温度控制系统设计初探 被引量：1

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作者 高颖 《科技促进发展》 2012年第7期109-111,共3页

刻蚀机的温度控制系统是一个集制冷、加热、检测、控制为一体的温度循环控制系统,其利用温控的循环液体控制工作平台的温度,是一个典型的循环温度控制系统。本文从原理、制冷控制系统和压力损失等方面对该控制系统的设计进行探讨,为相... 刻蚀机的温度控制系统是一个集制冷、加热、检测、控制为一体的温度循环控制系统,其利用温控的循环液体控制工作平台的温度,是一个典型的循环温度控制系统。本文从原理、制冷控制系统和压力损失等方面对该控制系统的设计进行探讨,为相关系统的设计工作提供参考。 展开更多

关键词 制冷机 温度传感器 流量计 温度控制

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半导体真空腔体静态密封和检漏的研究 被引量：1

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作者 陈妙娟 《机械工程与自动化》 2016年第3期155-157,共3页

针对半导体真空腔体静态密封中存在的泄漏及高温时密封圈受损等密封性问题,重新对密封圈的选择和密封槽的设计计算进行了完善,并对完善后的真空腔体的密封性进行了一系列的检漏测试及探讨,从而证明了改善方案的可行性。

关键词 半导体 真空腔体 静态密封 检漏

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等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化 被引量：1

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作者 李国荣 赵馗 +4 位作者 严利均 Hiroshi Iizuka 刘身健 倪图强 张兴 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1002-1006,共5页

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,... 由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 3D NAND 离子运动轨迹 边缘阻抗 刻蚀均匀性

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半导体刻蚀设备中真空系统的设计优化

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作者 陈妙娟 《机电信息》 2016年第21期128-130,共3页

针对半导体刻蚀设备中的真空系统部分进行探究,具体介绍在真空系统设计过程中泵/阀门的选取、慢抽过程的应用、防冷凝方案等,并对抽气性能优化进行了一些研究,以实现真空系统对半导体刻蚀设备提供最优化的压力控制。

关键词 刻蚀设备 真空系统 真空泵 优化

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90/65纳米介质刻蚀机

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《中国集成电路》 2009年第5期38-39,共2页

中微半导体设备（上海）有限公司的90／65纳米介质刻蚀机荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。

关键词 刻蚀机 介质 纳米 半导体设备 创新产品

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新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究

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作者 王兆祥 秦阿宾 +1 位作者 刘志强 苏兴才 《集成电路应用》 2014年第2期28-32,共5页

本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH... 本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。 展开更多

关键词 半导体工艺 刻蚀 氨气等离子体 底部抗发射层

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盛美液相半导体装备发展的历程与策略

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作者 王晖 《电子工业专用设备》 2014年第7期64-69,共6页

关键词 盛美

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FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化 被引量：1

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作者 李国荣 张洁 +5 位作者 赵馗 耿振华 曹思盛 刘志强 刘身健 张兴 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期691-695,共5页

由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布... 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 鳍型场效应晶体管(FinFET) 偏置射频频率 离子能量分布(IED) 刻蚀选择比 离子损伤

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半导体设备企业要有全球战略 被引量：2

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作者 尹志尧 《集成电路应用》 2016年第11期7-7,共1页

半导体设备产业绝不应仅是供应厂商的问题，它不但是集成电路产业发展最重要的部分，也是国家产业战略升级最重要的产业之一。所以，我们希望政府、投资商和业界更加重视设备产业的发展。目前大家比较重视的是大规模的生产线投资，一投... 半导体设备产业绝不应仅是供应厂商的问题，它不但是集成电路产业发展最重要的部分，也是国家产业战略升级最重要的产业之一。所以，我们希望政府、投资商和业界更加重视设备产业的发展。目前大家比较重视的是大规模的生产线投资，一投就是上百亿，但半导体设备开发躲在幕后面，很多人不了解这个产业的重要性。 展开更多

关键词 半导体设备 全球战略 集成电路产业 企业 设备开发 投资商 生产线

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棉纺精梳机分离罗拉连杆驱动机构动力学仿真及有限元分析

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作者 冯清国 巫鳌飞 +1 位作者 任家智 陈宇恒 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期197-204,共8页

为提高棉纺精梳机的使用寿命及生产运行可靠性,避免精梳机在长期高速运转条件下各零件的疲劳、磨损、断裂等造成的生产事故问题。利用Solid works软件建立分离罗拉驱动机构三维模型并导入Adams软件分别进行运动学与动力学仿真,得出了不... 为提高棉纺精梳机的使用寿命及生产运行可靠性,避免精梳机在长期高速运转条件下各零件的疲劳、磨损、断裂等造成的生产事故问题。利用Solid works软件建立分离罗拉驱动机构三维模型并导入Adams软件分别进行运动学与动力学仿真,得出了不同速度条件下分离罗拉驱动机构各零件铰接点在一个运动周期内的受力分布曲线;利用Ansys Workbench软件对各零件赋予材料属性并进行有限元仿真,得到各零件在一个运动周期内不同速度下的最大应力。结果表明:当精梳机速度为500钳次/min及以下时,一个运动周期内的分离罗拉驱动机构各零件的最大应力均小于材料的许用应力(400 MPa),材料强度满足生产条件;当精梳机速度依次提高到600和700钳次/min后,定时调节盘的最大应力(415.98 MPa)较500钳次/min时分别增大40.55%和79.1%,超过材料的许用应力(400 MPa),该零件有疲劳、磨损、断裂的风险,易故障停车并造成生产事故。在JSFA588型精梳机上按照零件设计要求进行了制造、装配及生产试验,进一步验证了仿真结果的有效性。 展开更多

关键词 棉纺 精梳机 分离罗拉连杆驱动机构 铰接点受力 零件强度 动力学仿真 有限元分析

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SABRE~ 3D:技术和生产力领先者:WLP Electrodeposition

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作者 ZHU Huanfeng Chee Ping Lee +3 位作者 ZHANG Mike Damo Sriniva LI Xiao TAN Sherry 《电子工业专用设备》 2015年第3期55-56,共2页

随着消费者对移动电子设备不断提出＂更小,更快,更强大＂的需求,先进封装技术变得越来越重要。外形尺寸的减少,功耗的降低,系统级封装等正是得益于该技术的广泛推广。 相对于传统的封装,以硅通孔（TSV）和晶片级封装（WLP）为代表的2.5... 随着消费者对移动电子设备不断提出＂更小,更快,更强大＂的需求,先进封装技术变得越来越重要。外形尺寸的减少,功耗的降低,系统级封装等正是得益于该技术的广泛推广。 相对于传统的封装,以硅通孔（TSV）和晶片级封装（WLP）为代表的2.5D和3D堆叠集成技术在减少线宽,增大I/O密度的同时,能够实现更直接的芯片到芯片互连,从而获得＂摩尔定律＂之外的性能提高。 展开更多

关键词 先进封装 移动电子设备 系统级封装 摩尔定律 通孔 SABRE 线宽 外形尺寸 凸点 均匀性

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