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Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究 被引量：1
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作者 游草风 卢铁城 +7 位作者 胡又文 陈青云 敦少博 胡强 范立伟 张松宝 唐彬 代君龙 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期756-760,共5页
通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断... 通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果。此外,从PL上面看到580nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的。 展开更多
关键词 Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 光致发光 激光拉曼散射
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天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
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作者 范立伟 卢铁城 +7 位作者 敦少博 胡又文 陈青云 胡强 游草风 张松宝 唐彬 代君龙 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期651-654,共4页
采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著... 采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱.采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质.薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光. 展开更多
关键词 天然Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 拉曼光谱 X射线荧光光谱
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