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分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料 被引量：7
1
作者 陈路 王元樟 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期245-249,共5页
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,... 报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRDFWHM平均值为120arcsec,最好达到100arcsec,无(133)孪晶和其他多晶晶向. 展开更多
关键词 分子束外延 碲化镉 硅基
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分子束外延HgCdTe表面缺陷研究 被引量：4
2
作者 陈路 巫艳 +3 位作者 于梅芳 王善力 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期406-410,共5页
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面... 采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面缺陷 (尺寸大于 2 μm)平均密度为 30 0 cm- 2 ,筛选合格率为 6 5 % . 展开更多
关键词 分子束外延 HGCDTE 表面缺陷 薄膜 汞 镉 碲
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