一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究 被引量：8

1

作者 张磊 汪海波 +3 位作者 张泽芳 王良咏 刘卫丽 宋志棠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期520-525,共6页

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。 展开更多

关键词 PS/SiO2 复合磨料 铜 化学机械抛光

原文传递

高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 被引量：8

2

作者 胡佳俊 陈后鹏 +2 位作者 蔡道林 宋志棠 周桂华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期34-37,共4页

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表... 根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。 展开更多

关键词 带隙基准源 负反馈 电源抑制比 BICMOS

下载PDF 职称材料

一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计 被引量：6

3

作者 胡佳俊 陈后鹏 +2 位作者 王倩 蔡道林 宋志棠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期376-379,共4页

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提... 分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。 展开更多

关键词 LDO 瞬态响应 相位裕度

下载PDF 职称材料

一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路 被引量：4

4

作者 胡佳俊 陈后鹏 +2 位作者 金荣 王倩 宋志棠 《电路与系统学报》 北大核心 2013年第1期1-4,共4页

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于... 依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。 展开更多

关键词 过流保护 短路电流 返送

下载PDF 职称材料

相变存储器中灵敏放大器的设计 被引量：2

5

作者 张怡云 陈后鹏 +4 位作者 龚亮 王倩 蔡道林 陈一峰 宋志棠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期762-764,769,共4页

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。 展开更多

关键词 相变存储器 灵敏放大器 预充电

下载PDF 职称材料

基于相变存储器的音频存储播放系统设计 被引量：2

6

作者 许林海 陈小刚 +2 位作者 宋志棠 陈一峰 丁晟 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期327-331,共5页

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单... 基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出。板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作。由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础。 展开更多

关键词 相变存储器 音频存储播放系统 AD73311 FPGA VERILOG硬件描述语言

原文传递

不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响 被引量：2

7

作者 张泽芳 刘卫丽 宋志棠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期267-270,共4页

在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研... 在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研磨性能的影响。分别采用分析天平称重法和原子力显微镜测试了研磨速率和蓝宝石的表面粗糙度。结果表明,抛光后蓝宝石表面质量和抛光液分散性有严格的依赖关系,而抛光速率和研磨液分散性并不严格相关。最后,采用三乙醇胺为pH值调节剂,Orotan1124为分散剂,获得了相对较高的去除率和较好的表面质量。 展开更多

关键词 多晶金刚石 三乙醇胺 分散剂 蓝宝石 研磨

下载PDF 职称材料

一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器 被引量：1

8

作者 宏潇 陈后鹏 +1 位作者 宋志棠 刘波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期540-544,共5页

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对... 基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。 展开更多

关键词 相变存储器 时钟发生器 压控振荡器

下载PDF 职称材料

一种1kb相变存储芯片的设计 被引量：1

9

作者 丁晟 宋志棠 +6 位作者 陈后鹏 蔡道林 陈一峰 王倩 陈小刚 刘波 谢志峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期844-847,851,共5页

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器... 以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。 展开更多

关键词 存储器 相变存储器 相变存储芯片

下载PDF 职称材料

一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法

10

作者 张磊 刘卫丽 宋志棠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期30-34,共5页

在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有1... 在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有11nm的氧化硅颗粒。而且,在相同的反应体系中,所制备的氧化硅颗粒能够作为晶种再次生长,通过滴加不同浓度的TEOS能够得到粒径大小可控的氧化硅颗粒。 展开更多

关键词 单分散 超小粒径 氧化硅 PVP TEOS

原文传递

基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计

11

作者 王兆敏 蔡道林 +2 位作者 陈后鹏 宋志棠 傅忠谦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期651-654,共4页

基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩... 基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩形脉冲复位信号PORB,通过PMOS栅交叉耦合,极大地降低了电路静态电流(<1nA)。在基准电源电路中,设计了双极晶体管和MOS晶体管,兼具功耗低和准确性高的优势。稳压电路采用串联稳压结构,电源抑制比达到28.2dB。仿真结果显示,功耗达到nA级,输出直流电压为3V。 展开更多

关键词 相变存储器 电子标签 模拟前端 低功耗

下载PDF 职称材料

基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

12

作者 范茜 陈后鹏 +7 位作者 许伟义 王倩 蔡道林 金荣 宏潇 李喜 陈一峰 宋志棠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期637-640,645,共5页

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S... 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。 展开更多

关键词 相变存储器 写驱动电路 擦操作 阶梯波

下载PDF 职称材料

一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵

13

作者 宏潇 陈后鹏 +1 位作者 宋志棠 刘波 《电路与系统学报》 北大核心 2013年第1期449-452,共4页

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿... 设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。 展开更多

关键词 电荷泵 锁相环 相位噪声 相变存储器

下载PDF 职称材料

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

14

作者 陈一峰 宋志棠 +7 位作者 陈小刚 陈后鹏 刘波 白宁 陈邦明 吴关平 谢志峰 杨左娅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期840-843,共4页

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电... 基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。 展开更多

关键词 相变存储器 非易失性存储器 电流阶梯波 擦驱动电路

下载PDF 职称材料

用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵

15

作者 富聪 宋志棠 +5 位作者 陈后鹏 蔡道林 王倩 丁晟 李喜 宏潇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期848-851,共4页

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负... 针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。 展开更多

关键词 电荷泵 DC-DC变换器 相变存储器

下载PDF 职称材料

一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

16

作者 李喜 宋志棠 +2 位作者 陈后鹏 富聪 丁晟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期21-24,共4页

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位... 针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。 展开更多

关键词 相变存储器 读出电路 灵敏放大器

下载PDF 职称材料