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一种用于主动式毫米波图像的低复杂度隐匿物品检测方法（英文） 被引量：9
1
作者 王崇剑 孙晓玮 杨克虎 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期32-38,共7页
主动式毫米波成像(AMWI)技术是检测隐藏在衣服下的危险物体的有效方法.但AMWI获取的图像通常很模糊,而且一些隐匿物体的尺寸较小,因此隐匿物品的自动检测和定位仍然是一个具有挑战性的问题.姚家雄等[1]首先使用卷积神经网络(CNNs)结合... 主动式毫米波成像(AMWI)技术是检测隐藏在衣服下的危险物体的有效方法.但AMWI获取的图像通常很模糊,而且一些隐匿物体的尺寸较小,因此隐匿物品的自动检测和定位仍然是一个具有挑战性的问题.姚家雄等[1]首先使用卷积神经网络(CNNs)结合穷举滑动窗口方法来检测隐藏物体.做了两点改进:(1)使用上下文(背景)信息抑制干扰,(2)使用两步搜索方法代替穷举搜索来降低计算复杂度.首先在垂直方向上使用一个CNN来过滤干扰,得到隐藏物体的垂直位置,然后用另一个CNN来确定水平位置.为了充分利用上下文信息,使用IoG(交集和真值的比)代替IoU(交并比)来定义训练和测试过程中的正负样本.实验结果表明,该方法将计算时间减小到约30%,同时实现更好的检测性能. 展开更多
关键词 主动式毫米波图像 隐匿物品检测 卷积神经网络 上下文信息
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主动毫米波成像隐私保护算法 被引量：6
2
作者 叶金晶 周健 +3 位作者 孙谦晨 杨明辉 朱玉琨 孙晓玮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期505-512,共8页
针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种不受身高、站姿影响的毫米波人体图像隐私保护算法.通过预处理将毫米波图像背景噪声弱化,增加人体目标边缘细节.使用二值化和形态学处理进一步区分背景与人体目标,根据身高划... 针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种不受身高、站姿影响的毫米波人体图像隐私保护算法.通过预处理将毫米波图像背景噪声弱化,增加人体目标边缘细节.使用二值化和形态学处理进一步区分背景与人体目标,根据身高划分的人体部位比例与像素点遍历求最值法实现隐私部位的初步定位,可以满足标准站姿下不同身高受检人的隐私部位定位需求.算法所包含的定位复查校准模块通过对隐私位置条件的循环判断与调整,解决了非标准站姿下隐私部位的定位.最后,根据已定位的坐标进行模糊化处理,实现保护受检人隐私的功能.算法已应用于实际产品,与常规隐私保护算法相比,可移植性高,运行速度快。 展开更多
关键词 毫米波 隐私保护 定位 图像处理
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有源区Be掺杂对1.3μm InAs量子点激光器性能的影响
3
作者 杜安天 曹春芳 +2 位作者 韩实现 王海龙 龚谦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期450-456,共7页
利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激... 利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激光器的温度稳定性。研制的Be掺杂InAs量子点激光器的阈值电流降低到12mA,相应的阈值电流密度仅为100 A/cm2,激光器的最高输出功率达到183 mW,最高工作温度达到了130℃。这对InAs量子点激光器器件在光通信系统中的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 量子点激光器 分子束外延 阈值电流密度 输出功率 特征温度
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主动毫米波成像性别识别算法研究 被引量：3
4
作者 周健 叶金晶 +4 位作者 孙谦晨 黄冰 杨明辉 朱玉琨 孙晓玮 《红外》 CAS 2018年第9期34-40,共7页
针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种主动毫米波人体图像性别识别流程,包括图像预处理、人体躯干图像分割、性别特征提取、各特征值权重确定、性别识别图谱形成、基于图形数据库的图像分类识别和算法优化验证。提... 针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种主动毫米波人体图像性别识别流程,包括图像预处理、人体躯干图像分割、性别特征提取、各特征值权重确定、性别识别图谱形成、基于图形数据库的图像分类识别和算法优化验证。提出了一种基于灰度值提取的局域直方图性别识别特征图谱,给出了不同图像主体直观、量化的性别特征表达。基于该图谱,提出了一种多特征、多权值性别识别方法,性别识别准确率高于80%,可对海量人体图像快速分类与筛选,从而采取针对性隐私保护措施。该算法已应用于毫米波安检产品,其可移植性高,运行速度快,识别率高,在同类安检设备中具有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 毫米波 性别识别 图像处理
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基于Tikhonov正则化的高分辨率群时延测量与计算方法 被引量：3
5
作者 骆睿 刘莉 +1 位作者 佟瑞 李凌云 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1044-1048,共5页
在衡量传输网络对信号传输时间延迟和信号失真影响时,群时延是非常重要的一项指标.基于差分法计算群时延是目前测量仪器普遍使用的方法,该方法存在着分辨率和精度之间的矛盾,在提高频率分辨率的同时势必引起测量精度的下降.本文在分析... 在衡量传输网络对信号传输时间延迟和信号失真影响时,群时延是非常重要的一项指标.基于差分法计算群时延是目前测量仪器普遍使用的方法,该方法存在着分辨率和精度之间的矛盾,在提高频率分辨率的同时势必引起测量精度的下降.本文在分析差分法误差来源的基础上,基于Tikhonov正则化给出了一种新的群时延计算方法.比较分析得出该方法能够在存在测量误差的情况下,精确得到具有较高频率分辨率的群时延.在实际给出的测量验证中,通过与矢量网络分析仪得到的群时延数据对比,验证了该方法的有效性. 展开更多
关键词 群时延 差分法 TIKHONOV正则化
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利用截面序列多级特征全局关联性的毫米波图像隐匿物检测 被引量：2
6
作者 何婉婷 张铂 +3 位作者 王斌 孙晓玮 杨明辉 吴晓峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期738-748,共11页
基于毫米波图像的隐匿物检测技术在无接触式人体安检中具有重要意义。目前,毫米波设备已实现三维成像,但隐匿物检测算法通常将其简单压缩为二维图像进行目标检测,未能充分利用图像深度方向的信息。针对这一问题,提出一种毫米波图像隐匿... 基于毫米波图像的隐匿物检测技术在无接触式人体安检中具有重要意义。目前,毫米波设备已实现三维成像,但隐匿物检测算法通常将其简单压缩为二维图像进行目标检测,未能充分利用图像深度方向的信息。针对这一问题,提出一种毫米波图像隐匿物检测框架,将三维图像视为截面序列并充分利用其截面内特征沿序列(即深度方向)的内在逻辑关系。该框架由卷积神经网络与长短时记忆网络构成,前者用于提取截面的粗细粒度特征,后者用于提取上述特征沿深度方向的全局关联性,实现特征级信息融合,从而提高隐匿物二维定位准确率。实验结果表明,与现有主流毫米波图像隐匿物检测方法相比,所提模型能大幅提高检测精度。 展开更多
关键词 毫米波图像 三维图像 目标检测 深度学习 卷积神经网络 长短时记忆网络
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InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响
7
作者 田方坤 艾立鹍 +4 位作者 孙国玉 徐安怀 黄华 龚谦 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期726-732,共7页
采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。... 采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm^(2)/(Vs)^(-1)(23200 cm^(2)/(Vs)^(-1))3.255E12 cm^(-2)(2.732E12 cm^(-2))。当InAlAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。 展开更多
关键词 InyAl1-yAs线性渐变缓冲层 磷化铟 高电子迁移率场效应晶体管
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基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
8
作者 韦俞鸿 黄冰 +2 位作者 孙晓玮 张润曦 张健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期262-267,273,共7页
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,... 提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。 展开更多
关键词 单刀双掷开关 超宽带 45nm绝缘体上硅 负体偏置
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