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高强高导纯铜线材及铜基材料的研究进展 被引量:38
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作者 崔兰 季小娜 +1 位作者 陈小平 丁丽 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期917-920,共4页
综述了获得高强高导纯铜线材及铜基材料的方法 ,并对高强高导铜基材料研究领域的几个热点问题即 :铜基原位变形复合材料、快速凝固法、氧化物弥散强化铜以及稀土在高强高导铜合金中的应用等进行了介绍。
关键词 纯铜线材 铜基材料 高强高导 研究热点
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全国产光纤材料器件实现高SRS抑制比20.88 kW输出 被引量:18
2
作者 李峰云 黎玥 +24 位作者 宋华青 衣永青 楚秋慧 张昊宇 黄珊 郭超 舒强 颜冬林 陶汝茂 黄智蒙 庞璐 沈一泽 史仪 高聪 刘念 贺红磊 李雨薇 刘玙 吴文杰 王旗华 温静 汪卓 林宏奂 王建军 景峰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第21期186-187,共2页
数万瓦级光纤激光器研究主要面临半导体激光器(LD)亮度不足、非线性效应和热效应严重等问题,其涉及光学系统设计、光纤材料研究和光纤器件制备等多个领域,目前并没有成熟的系统性解决方案,国内鲜有相关公开实验报道。近期,中国工程物理... 数万瓦级光纤激光器研究主要面临半导体激光器(LD)亮度不足、非线性效应和热效应严重等问题,其涉及光学系统设计、光纤材料研究和光纤器件制备等多个领域,目前并没有成熟的系统性解决方案,国内鲜有相关公开实验报道。近期,中国工程物理研究院激光聚变研究中心在同带泵浦技术、大模场光纤和倾斜光栅等方向开展了联合研究,在单纤激光输出方面取得重大进展。 展开更多
关键词 光纤材料 光纤激光器 光纤器件 激光输出 非线性效应 大模场光纤 倾斜光栅 实验报道
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硅片CMP抛光工艺技术研究 被引量:17
3
作者 刘玉岭 《电子工艺技术》 2010年第5期299-302,共4页
介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了... 介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案。 展开更多
关键词 硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷
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全光纤结构的脉冲光纤放大器 被引量:16
4
作者 段云锋 黄榜才 +2 位作者 张鹏 潘蓉 宁鼎 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1379-1382,共4页
结合双包层掺镱光纤(YDCF)和主振荡功率放大(MOPA)技术,利用熔融拉锥的光纤侧面耦合器,设计和实验研究了全光纤结构的脉冲光纤放大器。在不同重复频率时,通过放大脉冲激光的输出光谱,对输出脉冲激光中的剩余抽运光和受激拉曼散射光... 结合双包层掺镱光纤(YDCF)和主振荡功率放大(MOPA)技术,利用熔融拉锥的光纤侧面耦合器,设计和实验研究了全光纤结构的脉冲光纤放大器。在不同重复频率时,通过放大脉冲激光的输出光谱,对输出脉冲激光中的剩余抽运光和受激拉曼散射光功率进行了修正;并研究了激光脉冲的时域特性,以及在脉冲放大过程中对输出激光脉冲宽度的压缩作用。获得输出放大脉冲激光的主要参数:峰值波长为1075 nm,脉冲宽度为18-300 ns,重复频率为5-20 kHz,峰值功率达9.87 kW,斜率效率达52.2%,光束质量M2=2.0。同时,制作完成了一台结构紧凑、全光纤结构的脉冲光纤放大器样机,其最大外形尺寸为370 mm×270 mm×90 mm。 展开更多
关键词 激光技术 脉冲光纤放大器 全光纤结构 高峰值功率 主振荡功率放大 受激拉曼散射
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国产光纤实现直接抽运全光纤化3000W级激光输出 被引量:14
5
作者 王雪娇 肖起榕 +7 位作者 闫平 陈霄 李丹 杜城 莫琦 衣永青 潘蓉 巩马理 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期257-262,共6页
基于国产光纤构建了直接抽运全光纤化主控振荡器功率放大器结构光纤激光器,放大级分别采用武汉烽火锐光科技有限公司和中国电子科技集团公司第四十六研究所提供的国产20/400μm掺镱双包层光纤作为增益光纤,通过全国产化放大级实现了3050... 基于国产光纤构建了直接抽运全光纤化主控振荡器功率放大器结构光纤激光器,放大级分别采用武汉烽火锐光科技有限公司和中国电子科技集团公司第四十六研究所提供的国产20/400μm掺镱双包层光纤作为增益光纤,通过全国产化放大级实现了3050和3092 W的1080 nm激光输出.放大级提取效率分别为67.3%和68.2%,光-光效率分别为63.0%和63.9%.据可查询资料,这是公开报道的直接抽运全光纤激光输出的最高水平,同时由于采用了国产光纤作为放大级增益光纤,表明国产光纤具备了3 k W级光纤激光器输出能力.通过国产光纤横截端面以及光纤熔接显微镜图像实验分析知,光纤制造工艺的不足是导致国产光纤激光器效率低的主要原因.继续改进光纤工艺,提升抽运功率,优化光纤长度,有望实现更高功率的全国产化光纤激光器输出. 展开更多
关键词 高功率光纤激光器 直接抽运 国产光纤 全光纤化
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物理气相传输法制备大面积AlN单晶 被引量:13
6
作者 齐海涛 洪颖 +3 位作者 王香泉 王利杰 张志欣 郝建民 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期803-807,共5页
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶... 以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征。Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向。 展开更多
关键词 氮化铝单晶 物理气相传输法 碳化硅籽晶
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纳米隐身材料及其在信息化战争中的应用 被引量:7
7
作者 张臣 《微纳电子技术》 CAS 2005年第11期495-499,共5页
论述了纳米隐身材料的一些特殊性质;介绍了国内外纳米隐身材料的研究概况;展望了纳米隐身材料的应用前景和未来发展方向。
关键词 纳米材料 吸波性能 隐身
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宽禁带半导体材料技术 被引量:11
8
作者 李宝珠 《电子工业专用设备》 2010年第8期5-10,56,共7页
宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生... 宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。 展开更多
关键词 宽禁带 半导体 材料 研究进展
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砷化镓材料技术发展及需求 被引量:11
9
作者 周春锋 兰天平 孙强 《天津科技》 2015年第3期11-15,共5页
介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可... 介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。 展开更多
关键词 砷化镓 单晶生长 HB LEC VB VGF
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线切割机加工半导体晶片质量控制的研究 被引量:10
10
作者 常美茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期176-179,共4页
根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错。当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会产生硅片的破碎。对于翘曲度、... 根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错。当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会产生硅片的破碎。对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等方面的质量控制,通过调整线张力、进给速度、冷却剂流量等一系列工艺措施可达到目的及要求,大大降低了生产成本,提高了生产效率。实验证明,线切割机切出的硅片的厚度和质量都很好地满足了下一道工序的要求。 展开更多
关键词 硅片质量 线切割 应力 质量控制
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国产光纤实现同带抽运3000W激光输出 被引量:10
11
作者 王泽晖 肖起榕 +8 位作者 王雪娇 衣永青 庞璐 潘蓉 黄昱升 田佳丁 李丹 闫平 巩马理 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期124-130,共7页
同带抽运是目前实现高功率光纤激光器的有效手段.本文基于同带抽运方式,以国产25/250μm掺镱双包层光纤为增益光纤,构建了全光纤化的主控振荡器功率放大器.实验中采用的国产光纤是中国电子科技集团公司第四十六研究所采用化学气相沉积... 同带抽运是目前实现高功率光纤激光器的有效手段.本文基于同带抽运方式,以国产25/250μm掺镱双包层光纤为增益光纤,构建了全光纤化的主控振荡器功率放大器.实验中采用的国产光纤是中国电子科技集团公司第四十六研究所采用化学气相沉积结合气相-液相复合掺杂工艺制备的,其Yb^(3+)离子的分布更均匀,吸收截面更大,吸收系数更高.实验中,在种子光功率为67.8 W、抽运总功率为3511 W的条件下,实现了3079 W的激光输出,斜效率为85.9%,光束质量M^2约为2.14,3dB带宽为1.4nm,这是目前基于国产光纤同带抽运方式实现的最高功率.理论和实验结果表明国产光纤制备技术不断成熟,已经具备承受高功率输出的能力.继续提高抽运功率,优化增益光纤长度,改良散热方式,国产光纤有望实现更高功率的激光输出. 展开更多
关键词 光纤激光器 同带抽运 国产光纤 高功率
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砷化镓材料发展状况概述 被引量:10
12
作者 赵巧云 《电子测试》 2016年第9X期183-184,168,共3页
砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前,日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平;中科晶电、晶明公... 砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前,日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平;中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年,是国内企业研发6英寸产品,向国际水平冲击的重要时期。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体发光二极管 衬底材料
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基于国产大模场面积双包层光纤的高重复频率纳秒脉冲光纤放大器 被引量:9
13
作者 刘侠 杜松涛 +7 位作者 薛宇豪 周军 何兵 楼祺洪 董景星 魏运荣 宁鼎 潘蓉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1876-1879,共4页
以单模1064 nm激光二极管(LD)光纤级联放大构成的全光纤化模块为种子光源,以国产大模场面积(LMA)双包层掺镱光纤为放大器,构成了高重复频率纳秒脉冲主振荡功率放大(MOPA)系统。实现了平均功率为59 W的脉冲放大激光输出,中心波长1064 nm... 以单模1064 nm激光二极管(LD)光纤级联放大构成的全光纤化模块为种子光源,以国产大模场面积(LMA)双包层掺镱光纤为放大器,构成了高重复频率纳秒脉冲主振荡功率放大(MOPA)系统。实现了平均功率为59 W的脉冲放大激光输出,中心波长1064 nm,脉冲宽度22.7 ns(重复频率50 kHz时),重复频率50~150 kHz连续可调。实验研究了激光脉冲的时域和光谱特性,分析了光纤功率放大对激光脉冲波形的影响。 展开更多
关键词 激光技术 光纤激光器 大模场面积光纤 主振荡放大 高重复频率
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平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控 被引量:9
14
作者 李明达 陈涛 +1 位作者 李普生 薛兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第3期38-41,共4页
硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平... 硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究,最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。 展开更多
关键词 硅外延层 化学气相沉积 厚度 电阻率 均匀性 缺陷
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光子晶体光纤 被引量:7
15
作者 宁鼎 《光纤与电缆及其应用技术》 2004年第1期1-3,共3页
 光子晶体光纤在光纤的几何结构、模式特性、色散及双折射性质等方面完全不同于传统的光纤。为此介绍了光子晶体光纤的一些重要特性、制作工艺和应用前景。
关键词 光子晶体 光纤 几何结构 模式特性 色散 双折射性质 光子带隙
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快速恢复外延二极管用150mm高均匀性硅外延材料的制备 被引量:9
16
作者 李明达 李普生 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期366-374,共9页
利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研... 利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、微粗糙度、厚度、电阻率以及均匀性参数。采用了基座浅层包硅技术、周期性滞留层杂质稀释技术、高温快速二次本征生长技术、温场流场调控技术等新型工艺技术,使外延层厚度满足(15±2%)μm,电阻率满足(15±2%)Ω·cm的设计要求,片内厚度和电阻率不均匀性达到<2%的水平。制备的硅外延材料应用于FRED的试产,击穿电压高于125V,晶圆的成品率达到90%以上,满足了120VFRED器件使用要求,实现了自主可控。 展开更多
关键词 硅外延材料 均匀性 化学气相沉积 快速恢复外延二极管
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LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制 被引量:4
17
作者 周春锋 林健 +3 位作者 郭鑫 吴元庆 张亮 赖占平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期288-292,共5页
在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水... 在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。 展开更多
关键词 砷化镓 杂质
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蓝宝石晶体生长工艺及设备 被引量:8
18
作者 纪秀峰 《电子工业专用设备》 2011年第7期7-10,22,共5页
介绍了蓝宝石单晶的性质和应用领域,对泡生法、VHGF法等蓝宝石单晶生长工艺进行了说明,对蓝宝石单晶生长工艺及设备的国内外发展趋势进行了探讨。
关键词 蓝宝石 单晶 生长 工艺 设备
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半导体行业超纯水制造技术 被引量:8
19
作者 许德洪 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期90-92,共3页
随着超纯水技术在半导体行业的应用日益广泛,半导体制造单位对超纯水的要求也越来越高。作者详述了超纯水的制造工艺及各个环节中所用不同工艺设备的对比。同时,还详细介绍了超纯水工艺流程中的节能减排措施。
关键词 半导体 超纯水 节能减排
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砷化镓材料 被引量:8
20
作者 王建利 牛沈军 +2 位作者 兰天平 周春峰 孙强 《科技创新导报》 2010年第32期75-77,共3页
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程... 文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体材料 迁移率 能带结构 掺杂剂 载流子浓度 位错密度(EPD) 饱合漂移速度
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