中小企业内部控制存在的问题及对策研究 被引量：3

1

作者 宋瑾 《财富生活》 2020年第8期61-62,共2页

在经济全球化的背景下,无论是大型的上市公司还是中小企业所面临的市场竞争压力在逐渐地增大。为了提高企业的核心竞争力,促进企业的健康稳定发展,企业应当加大内部控制力度,最大限度地避免财务信息失真等问题的出现,保障企业的会计信... 在经济全球化的背景下,无论是大型的上市公司还是中小企业所面临的市场竞争压力在逐渐地增大。为了提高企业的核心竞争力,促进企业的健康稳定发展,企业应当加大内部控制力度,最大限度地避免财务信息失真等问题的出现,保障企业的会计信息真实有效。当前,许多中小企业已经建立并实施了内部控制制度。但是部分中小企业会计内部控制在实际应用过程中仍然存在有待改进的地方,对此提出了相应的解决对策,以供参考。 展开更多

关键词 中小企业 内部控制 问题 对策

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浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计

2

作者 吴玉舟 李泽宏 +3 位作者 禹久赢 潘嘉 陈冲 任敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期606-611,共6页

针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击... 针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击穿电压高于660 V,在导通电流20 A时,其饱和导通压降为1.7 V,相比于传统超结IGBT器件更低,关断能量为0.23 mJ,远低于传统超结IGBT器件的3.3 mJ,较低的导通压降和关断能量使得FP-SJIGBT器件的电流密度可达449 A/cm^(2)。此外,在400 V直流母线电压下,FP-SJ-IGBT器件具有不低于10μs的短路时间。 展开更多

关键词 浮空p柱 超结 IGBT 寄生双极结型晶体管 电导调制

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300 mm硅片技术发展趋势探讨

3

作者 刘赟 薛忠营 +1 位作者 魏星 李炜 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期14-29,共16页

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一... 单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。 展开更多

关键词 单晶硅 450 mm 300 mm 器件应用 硅片性能

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直拉单晶硅晶体缺陷研究进展

4

作者 刘赟 薛忠营 +1 位作者 魏星 李炜 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期64-74,共11页

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,... 直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。 展开更多

关键词 直拉单晶硅 v/G理论 表征方法

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面向电磁特性测量的毫米波级联雷达系统设计

5

作者 张苏 谭恺 +3 位作者 雒梅逸香 唐文明 陈浩宇 徐丰 《上海航天（中英文）》 CSCD 2022年第3期20-25,32,共7页

单芯片毫米波雷达面临着测量维度单一、分辨率低的问题,级联雷达芯片可以获取目标的多维信息,但是给信号采集、存储和处理带来了很大压力。本文设计了高速信号处理板与级联雷达芯片构成一套完整的毫米波多发多收(MIMO)成像系统。该系统... 单芯片毫米波雷达面临着测量维度单一、分辨率低的问题,级联雷达芯片可以获取目标的多维信息,但是给信号采集、存储和处理带来了很大压力。本文设计了高速信号处理板与级联雷达芯片构成一套完整的毫米波多发多收(MIMO)成像系统。该系统为稀疏阵面,采用时分多址(TDMA)模式,使得系统兼具2个维度的高分辨率以及空间分辨能力,并且系统内部采用高速串行计算机扩展总线标准(PCI-Express),外部采用Thunderbolt3接口,均具备很高的通道传输速率,支持对目标区域进行实时成像。使用该系统可以从高分辨成像结果中提取有效的电磁特征,以更好地使用毫米波区分不同电磁特性的目标。最后,采用此系统开展点目标和复杂目标的成像试验,成像结果充分验证了该毫米波雷达可以有效测量不同类型目标的电磁特征,对不同电磁特性的目标具备一定的分辨能力及快速成像能力。 展开更多

关键词 毫米波级联雷达 高速信号处理板设计 多发多收通道 雷达近场成像 电磁特性测量

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集成电路测试制造领域所用几种装置的探究

6

作者 胡忠臣 《科技广场》 2017年第11期67-71,共5页

在集成电路测试领域中,生产制造阶段是最具有创新、最需要发挥创造精神的阶段。本文从集成电路测试领域生产制造中的PCB电路板制作,到集成电路自动测试设备制造,再到半导体芯片的封装,紧密结合实际生产测试过程,探究集成电路生产制造链... 在集成电路测试领域中,生产制造阶段是最具有创新、最需要发挥创造精神的阶段。本文从集成电路测试领域生产制造中的PCB电路板制作,到集成电路自动测试设备制造,再到半导体芯片的封装,紧密结合实际生产测试过程,探究集成电路生产制造链诸多生产测试环节中所用的几种装置夹具。具体探讨了包括一种具有装夹装置的电路板冲孔机构、一种集成电路测试设备用温度防护装置及其一种半导体芯片的封装方法。 展开更多

关键词 集成电路 测试电路板 冲孔结构 温度防护 封装方法

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基于PXI协议的ATE测试平台的软件架构设计

7

作者 牛孝忠 唐藓富 吉鹏 《移动信息》 2021年第1期69-72,128,共5页

随着集成电路复杂度的越来越高,集成电路测试难度也相应增加,部分芯片的制造成本大部分用于芯片测试,芯片成本是芯片生产制造中重要的考量标准。如何实现高性能、低成本的测试需求是一个难题,而自动测试设备结合 PXI 系统大大降低了芯... 随着集成电路复杂度的越来越高,集成电路测试难度也相应增加,部分芯片的制造成本大部分用于芯片测试,芯片成本是芯片生产制造中重要的考量标准。如何实现高性能、低成本的测试需求是一个难题,而自动测试设备结合 PXI 系统大大降低了芯片测试成本的高性能,让这一难题得以解决。与此同时,还可以实现微波半导体器件多参数测试过程中的精确测量控制、实时状态感知、自动分析决策以及协同控制执行等功能。文章通过对 PXI 协议进行阐述,列举大量 ATE 测试平台关系进行分析,促进国内半导体产业的发展,从而验证半导体产业对整个微波射频芯片市场的自动化测试领域有巨大的示范和推动作用。 展开更多

关键词 PXI协调 自动测试设备 ATE测试

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半导体集成电路可靠性测试和数据处理探析

8

作者 季文明 《电子乐园》 2022年第6期181-183,共3页

现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可... 现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可靠性是非常重要的。一旦半导体集成电路出现故障,将会对整个电子元器件造成影响。本篇文章也是以此为切入点,以半导体集成电路为研究对象,详细研究一下半导体集成电路可靠性的测试和具体的数据处理分析,为后续进一步提升半导体集成电路可靠性水平提供一定的借鉴。 展开更多

关键词 半导体集成电路 可靠性测试 数据处理

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无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)

9

作者 肖德元 张汝京 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期171-182,共12页

<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属... <正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管 晶体表面 场效应管 CMOS器件 化学气相沉积 器件研究 分解方法 栅介质 黑磷

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无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展

10

作者 肖德元 张汝京 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期87-98,共12页

迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所... 迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。 展开更多

关键词 摩尔定律 CMOS器件 无结场效应管 量子阱场效应晶体管 碳纳米管场效应晶体管 石墨烯场效应晶体管 二维半导体场效应晶体管 真空沟道场效应管

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电力载波通信PLC技术在充电桩建设中的应用 被引量：6

11

作者 李济川 《集成电路应用》 2019年第6期53-55,共3页

新能源电动汽车作为绿色环保交通工具,发展前景巨大。配套的基础设施充电桩行业的发展,受到越来越多的关注。基于电力载波通信PLC技术,为充电桩的建设提供解决方案。阐述PLC技术在充电桩建设中的能力与优势。

关键词 电动汽车 充电桩 电力载波通信 PLC技术

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基于NLM的图像三维去噪算法 被引量：2

12

作者 王敏 王洪剑 +4 位作者 孙光英 郭建华 吴海琼 吕励 朱洪洋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第4期238-241,共4页

图像去噪要求在尽量保留有用信息完整性的基础上去除干扰信息,同时保证去噪结果的时域稳定性。在非局部平均NLM(Non-Local Means)算法的基础上提出了更加合理的图像三维去噪算法。该算法首先进行NLM空域去噪,然后再对空域去噪的结果进... 图像去噪要求在尽量保留有用信息完整性的基础上去除干扰信息,同时保证去噪结果的时域稳定性。在非局部平均NLM(Non-Local Means)算法的基础上提出了更加合理的图像三维去噪算法。该算法首先进行NLM空域去噪,然后再对空域去噪的结果进行加权平均的时域去噪。实验结果表明,本算法和传统去噪算法相比具有去噪结果稳定并不模糊细节的优点,为实际工程应用提供了技术支撑。 展开更多

关键词 非局部平均NLM 结构相似度 图像三维去噪

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单端反激电路在适配器中的应用及其在SIMetrix下的仿真 被引量：2

13

作者 吴炳娇 《电气传动自动化》 2015年第5期38-40,48,共4页

基于MOSFET的单端反激式拓扑电路原理,讨论了由单端反激电路组成的开关电源在SIMetrix下建立的仿真电路,并进行了仿真研究。为了进行对比分析,结合开关电源在适配器中的实际应用电路,搭建了开关电源实验电路,用示波器检测了核心器件MOS... 基于MOSFET的单端反激式拓扑电路原理,讨论了由单端反激电路组成的开关电源在SIMetrix下建立的仿真电路,并进行了仿真研究。为了进行对比分析,结合开关电源在适配器中的实际应用电路,搭建了开关电源实验电路,用示波器检测了核心器件MOSFET在工作过程中两端的电压和电流波形,并将仿真结果和实验结果进行了对比,证明了此仿真电路的可行性。根据仿真参数的变化,可以优化单端反激电路开关电源各器件的参数。 展开更多

关键词 金属氧化物场效应晶体管 变压器 单端反激 开关电源 适配器 SIMetrix

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自主CPU的可穿戴设备SoC芯片设计 被引量：1

14

作者 李济川 《中国集成电路》 2019年第7期48-54,共7页

近两年,可穿戴市场的热度有所减退,但作为消费类的可穿戴设备,特别是智能手表,仍有一定的市场规模。本文简单介绍了可穿戴设备的国内市场状况,在仍有市场需求的前提下,重点分析了基于自主32位CPU内核的可穿戴设备SoC芯片的设计,特别是... 近两年,可穿戴市场的热度有所减退,但作为消费类的可穿戴设备,特别是智能手表,仍有一定的市场规模。本文简单介绍了可穿戴设备的国内市场状况,在仍有市场需求的前提下,重点分析了基于自主32位CPU内核的可穿戴设备SoC芯片的设计,特别是超低功耗设计所解决的关键问题,研发的关键技术。 展开更多

关键词 可穿戴设备 智能手表 BoltCPU内核 CR800芯片设计 低功耗

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不同热端温度对低温热电制冷试验箱制冷性能的影响 被引量：1

15

作者 周颖 王子龙 +3 位作者 张华 杨斌 田子傲 胡常青 《上海理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页

为优化低温热电制冷试验箱的制冷效率及降低其冷热端温差,理论计算了热电制冷片热端温度为56.18℃和27.31℃时电流、电压、冷热端温差对试验箱制冷性能的影响。建立了三维数学传热模型,模拟了3种热电制冷片布置方式对制冷箱温度分布的... 为优化低温热电制冷试验箱的制冷效率及降低其冷热端温差,理论计算了热电制冷片热端温度为56.18℃和27.31℃时电流、电压、冷热端温差对试验箱制冷性能的影响。建立了三维数学传热模型,模拟了3种热电制冷片布置方式对制冷箱温度分布的影响。结果表明:当热端温度由56.18℃降至27.31℃时,低温热电制冷试验箱的制冷量由150.2 W降至139.5 W,制冷系数由4.41降至3.09,冷凝温度由-22.30℃降至-41.90℃。可见,热电制冷片热端温度的降低能够获得更低的冷凝温度,较高的热端温度拥有较好的制冷性能。 展开更多

关键词 热电制冷系统 热端温度 制冷性能 优化 数值模拟

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考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计 被引量：3

16

作者 殷录桥 张雪松 +4 位作者 任开琳 张楠 郝茂盛 李春亚 张建华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期202-217,共16页

设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提... 设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题,模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程,进行减小开关损耗的研究。利用Sentaurus TCAD软件进行仿真,设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)器件,将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合,并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真,进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真,从而模拟阵列像素驱动的情况,通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证,发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时,阻值越小,驱动效果越好,而且起到消除浪涌、限流分压的作用,但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好,PMOS驱动阵列Micro-LED相比于驱动单独Micro-LED开关损耗更小、驱动效果更好。 展开更多

关键词 光学器件 微型发光二极管 小尺寸效应 PMOS驱动 开关延迟时间

原文传递

泡沫金属孔密度对石蜡相变传热强化的影响机理

17

作者 朱刘灿 王子龙 +1 位作者 金谦 胡常青 《流体机械》 CSCD 北大核心 2024年第5期1-8,54,共9页

为了探究泡沫金属孔密度对相变材料熔化过程中流动传热特性的影响,通过试验设计并搭建了1套半圆柱形的可视化蓄热装置,分析了孔密度对复合相变材料熔化过程中温度分布、固液相界面、换热系数等热特性的影响机理。结果表明:泡沫金属铜能... 为了探究泡沫金属孔密度对相变材料熔化过程中流动传热特性的影响,通过试验设计并搭建了1套半圆柱形的可视化蓄热装置,分析了孔密度对复合相变材料熔化过程中温度分布、固液相界面、换热系数等热特性的影响机理。结果表明:泡沫金属铜能够提高内部石蜡的温度响应速率,缩短熔化时间,并减小相变材料内部温度梯度;纯石蜡和孔密度为0.20,0.59,0.98 mm^(-1)的铜复合相变材料在石蜡熔化后的温度梯度分别为35.26,12.19,20.49,28.39 K;自然对流换热占比也随着泡沫金属铜孔密度的增加而减小;当加热功率为30 W时,孔密度为0.20,0.59,0.98 mm^(-1)的铜复合相变材料自然对流占比分别为20.72%,19.33%,18.24%,且自然对流占比均小于50%,表明在填充率为1.28%的条件下,泡沫金属铜复合相变材料的传热机制以热传导为主。研究结果可为相变蓄热系统的设计提供参考。 展开更多

关键词 泡沫金属 孔密度 相变储能 强化传热

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应用于NOR FLASH的可切换极性电荷泵研究 被引量：2

18

作者 张亦锋 马亮 《集成电路应用》 2017年第8期36-40,共5页

Dickson电荷泵是最常用的产生芯片内部高压的方法。在嵌入式或者单独的非易失性存储器中,经常利用多个电荷泵来产生正的高压和负的高压。利用高压Deep N-Well的NMOS设计了可以切换极性的电荷泵,可以根据需要产生正的高压或者负的高压。... Dickson电荷泵是最常用的产生芯片内部高压的方法。在嵌入式或者单独的非易失性存储器中,经常利用多个电荷泵来产生正的高压和负的高压。利用高压Deep N-Well的NMOS设计了可以切换极性的电荷泵,可以根据需要产生正的高压或者负的高压。这种设计的优点在于节省面积。 展开更多

关键词 半导体存储器 切换极性 DeepN-Well控制 开关

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超高速模数转换器研究进展 被引量：1

19

作者 董磊 王晓飞 +2 位作者 严伟 孙权 张鸿 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第2期157-168,共12页

光通讯、5G和毫米波通信等应用系统的快速发展对ADC的采样速率和输入信号带宽提出了更高的要求。受到功耗和工艺器件的限制,传统流水线型高速高精度ADC的采样速率和精度已接近瓶颈,无法满足高速通信系统的信号采样需求,需要更新颖的超高... 光通讯、5G和毫米波通信等应用系统的快速发展对ADC的采样速率和输入信号带宽提出了更高的要求。受到功耗和工艺器件的限制,传统流水线型高速高精度ADC的采样速率和精度已接近瓶颈,无法满足高速通信系统的信号采样需求,需要更新颖的超高速ADC结构和设计技术。文章介绍了近年来超高速ADC在工艺和设计技术方面的研究进展,详细分析了近年来基于时域交织技术和FinFET工艺进行超高速ADC设计的研究成果和发展动态。 展开更多

关键词 5G 毫米波 模数转换器 超高速 时域交织

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高产能PVD铝铜溅射腔研制 被引量：1

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作者 周云 宋维聪 +1 位作者 潘钱森 陈浩 《微纳电子与智能制造》 2022年第2期82-86,共5页

对于常规的物理气相沉积(PVD)铝铜溅射腔,在溅射较厚(厚度≥2.8μm)的铝铜膜时,因晶圆过热、铝铜膜热应力过大导致其表面出现晶须缺陷数量过多的问题。新设计的铝铜腔,通过在晶圆加热器表面和腔壁内表面沉积一种复合镀层,能让加热器和... 对于常规的物理气相沉积(PVD)铝铜溅射腔,在溅射较厚(厚度≥2.8μm)的铝铜膜时,因晶圆过热、铝铜膜热应力过大导致其表面出现晶须缺陷数量过多的问题。新设计的铝铜腔,通过在晶圆加热器表面和腔壁内表面沉积一种复合镀层,能让加热器和腔壁高效地吸收厚膜溅射中高温晶圆和高温工艺套件辐射出来的大量热量,并由冷却液把热量带走,从根源上解决了高真空腔室内散热缓慢、温度过高的问题,能把晶圆最高温度降低约100℃,产能提升60%以上,在保证高产能的同时把晶圆上铝铜膜表面的晶须缺陷数量控制在10颗以下,满足芯片制造的良率要求。一旦复合镀层出现磨损,可以使用铝铜腔对镀层进行快速修复,能极大地缩短设备待机时间,降低设备使用成本。 展开更多

关键词 物理气相沉积 溅射腔 铝铜膜 加热器 散热 应力

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