快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流 被引量：4

1

作者 郭慧 邬建根 +4 位作者 沈孝良 屈逢源 金辅政 张建平 朱景兵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期369-373,共5页

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.

关键词 热退火 铝合金 P-N结 漏电流 硅

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离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器 被引量：3

2

作者 郑国祥 邬建根 +3 位作者 王昌平 朱景兵 屈逢源 周寿通 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期915-921,共7页

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

关键词 光电探测器 离子注入 热退火

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金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用 被引量：2

3

作者 郑国祥 周寿通 +3 位作者 邬建根 王昌平 屈逢源 丁志发 《应用科学学报》 CAS CSCD 1991年第3期263-268,共6页

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10p... 以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍. 展开更多

关键词 硅 金属 杂质 分凝 磷吸除

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硅中氧的FTIR研究

4

作者 马碧兰 朱景兵 +3 位作者 邬建根 张继昌 周寿通 屈逢源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期327-330,共4页

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.

关键词 硅 氧 红外辐射

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部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低 被引量：1

5

作者 郑国祥 周寿通 +2 位作者 屈逢源 邬建根 郑凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期307-312,共6页

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

关键词 导体器件 工艺 PN结 反向电流

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玻璃钝化功率整流二极管芯片国产化设计 被引量：1

6

作者 周寿通 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期38-41,共4页

从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管整机批量使用,取得了满意的结果。

关键词 整流二极管 玻璃纯化 芯片 国产化

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氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进 被引量：1

7

作者 郑国祥 闵靖 周寿通 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期177-181,共5页

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋... 讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋Ｎ结二极管的反向电流。 展开更多

关键词 氧本征吸除 低温退火 硅片

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等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

8

作者 李丹之 赵冷柱 劳凤英 《应用科学学报》 CAS CSCD 1990年第3期207-212,共6页

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

关键词 等离子体 薄膜 射频缺陷 PECVD

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用双面研磨机代替平面磨床的减薄工艺

9

作者 伍烈城 《半导体技术》 CAS 1985年第2期29-31,共3页

单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在器件生产工艺中往往会引进二次缺陷(如氧化层错、外延层错及位... 单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在器件生产工艺中往往会引进二次缺陷(如氧化层错、外延层错及位错等),直接影响半导体器件的质量和电性能. 展开更多

关键词 平面磨床 硅片 双面研磨 减薄 厚度公差 尺寸公差

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把奖励和经济责任制结合起来

10

《中国劳动》 1982年第1期21-22,共2页

1981年同1976年相比,我们厂的工业总产值增长61.5％,产量增长56.2％,产品质量明显提高,其中2CN4产品获部、市颁发的优质产品奖,同期可比产品成本平均下降6.5％。在1981年利润比上一年增长27％的基础上,今年至8月份,上缴利润又比去年同... 1981年同1976年相比,我们厂的工业总产值增长61.5％,产量增长56.2％,产品质量明显提高,其中2CN4产品获部、市颁发的优质产品奖,同期可比产品成本平均下降6.5％。在1981年利润比上一年增长27％的基础上,今年至8月份,上缴利润又比去年同期增长20.2％(加上降价因素为增长71％)。我们所以会取得如此明显的经济效果,原因是多方面的,而其中一个重要原因,是我们在改善企业管理、建立健全经济责任制的过程中,注意结合工厂生产、工作的特点,不断改进奖励办法,在主管局的核定范围之内,把奖金用活,促进了职工生产积极性的提高。保证生产重点,讲究经济效益我们厂里实行的是把全厂各项经济指标分解落实到各车间和科室,然后根据完成情况记分计奖的办法。在执行中,我们尽量做到灵活机动、保障重点。如三车间生产的玻璃封装二极管,是获得优质产品称号的短线产品,1981年计划产量要求比1980年增加1.5倍,达到250万只。 展开更多

关键词 可比产品成本 玻璃封装 车间生产 工业总产值 奖励办法 主管局 指标分解 优质产品 产量要求 产品奖

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拓展企业宣传工作的内容

11

作者 胡灵恩 《思想政治工作研究》 北大核心 1993年第3期11-11,共1页

过去我厂宣传工作比较偏重于宏观政治方面的宣传。随着企业深化改革,转换机制,走向市场,企业宣传工作任务更重了,不仅要承担宏观政治的宣传,还要搞好企业经济工作的宣传。我们党政工一班人在指导思想上达成共识后,决定对企业宣传工作的... 过去我厂宣传工作比较偏重于宏观政治方面的宣传。随着企业深化改革,转换机制,走向市场,企业宣传工作任务更重了,不仅要承担宏观政治的宣传,还要搞好企业经济工作的宣传。我们党政工一班人在指导思想上达成共识后,决定对企业宣传工作的工作内容、组织机构进行适当调整,探索与实践集党、政、工宣传优势为一体,由宣传科一个口子统一协调指挥的企业宣传工作的机制。我给宣传科一项特权:可以根据需要参加厂里的各种经济工作会议。 展开更多

关键词 宣传工作 宏观政治 企业内部改革 指导思想 转换机制 组织机构 舆论导向 企业行政 产品质量 改革试点单位

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