感性负载驱动控制IC版图设计 被引量：3

1

作者 王家斌 高勇进 +1 位作者 黄绪江 张炜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期53-56,共4页

感性负载由于其固有的特点,在开关瞬间会产生高压脉冲,其驱动 IC 在设计中要特别注意版图的布局,以尽可能地消除输出对前级电路的影响。本文对实际工作中获得的一些有益经验作了总结分 析 。

关键词 IC版图 前级电路 感性负载 驱动控制 开关 输出 消除

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重掺砷衬底外延工艺研究 被引量：2

2

作者 高翔 程秀兰 李志彭 《电子与封装》 2008年第12期7-9,共3页

在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适... 在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。 展开更多

关键词 外延 固态外扩散 自掺杂 多晶硅背封 二步外延

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LDMOS漂移区结构优化的模拟 被引量：1

3

作者 徐亮 刘先锋 郑国祥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页

RESURF LDM O S很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了D oub le RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了D oub le RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不... RESURF LDM O S很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了D oub le RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了D oub le RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果。同时,在LDM O S结构中加入D oub leRESURF结构也降低了工艺上对精度的要求。为新结构和新工艺的开发研制作前期设计和评估。 展开更多

关键词 横向双扩散金属氧化物晶体管 双重降低表面电场 P型表面注入层 导通电阻 击穿电压

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新能源汽车电机控制器大电流注入的抗扰对策 被引量：2

4

作者 李靖恺 李海花 《安全与电磁兼容》 2016年第3期74-76,共3页

依据ISO 11452-4—2005的规定对新能源汽车电机控制器进行大电流注入(BCI)测试中,控制电机停转,且监控软件故障栏位显示故障。通过分析,确定干扰主要是通过低压电源进入系统的。采取更改线束布局、优化PCB走线等整改措施后,新能源汽车... 依据ISO 11452-4—2005的规定对新能源汽车电机控制器进行大电流注入(BCI)测试中,控制电机停转,且监控软件故障栏位显示故障。通过分析,确定干扰主要是通过低压电源进入系统的。采取更改线束布局、优化PCB走线等整改措施后,新能源汽车控制器在测试过程中工作正常。 展开更多

关键词 新能源汽车控制器 电磁兼容 大电流注入 整改

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AP3012的应用 被引量：1

5

作者 徐晓 黄禧 《电源世界》 2007年第12期71-72,23,共3页

AP3012是BCD公司发布的内部含有1．5MHz的固定频率振荡器，具有电流模式的PWMDC-DC转换器，并具有内部过压保护OVP功能，其开关电流达到500mA，外形为SOT23—5封装。

关键词 DC-DC转换器 应用 SOT23 固定频率 电流模式 过压保护 开关电流 振荡器

原文传递

论半导体封装生产设备可靠性改善 被引量：1

6

作者 宗斌 《装备制造技术》 2012年第5期261-262,266,共3页

半导体工业的发展的关键在于设备技术的成熟,设备可靠性分析与改善尤为重要。文章首先概述了半导体加工过程,之后介绍了半导体封装技术及设备,最后提出了半导体封装设备的可靠性改善设计。

关键词 半导体加工 MEMS 设备可靠性

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浅谈机电设备运行状态监测和维修管理 被引量：1

7

作者 宗斌 《机电信息》 2012年第18期65-65,67,共2页

对机电设备运行状态监测和维修管理方面存在的问题进行了探究,并提出了相应的解决方案。

关键词 机电设备 运行状态监测 维修管理

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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 被引量：1

8

作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多

关键词 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿

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上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发

9

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期40-41,共2页

关键词 双极集成电路 生产工艺 上海新进半导体公司 制造技术

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工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

10

作者 陈天 谷健 郑娥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期180-186,共7页

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TV... 分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制器 击穿电压 低电容

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半导体制造业的新亮点——独树一帜的上海新进

11

作者 高勇进 《中国集成电路》 2003年第46期118-118,68,共2页

就在业界人士几乎众口一词,对世界半导体市场一致看好,认为已经触底回升,作着将要达到多少多少百分点的增长幅度的乐观预测和美好憧憬时,它却又一次陷入了徘徊,让人好一番无奈。然而,位于上海漕河泾新兴技术开发区的上海新进半导体制造... 就在业界人士几乎众口一词,对世界半导体市场一致看好,认为已经触底回升,作着将要达到多少多少百分点的增长幅度的乐观预测和美好憧憬时,它却又一次陷入了徘徊,让人好一番无奈。然而,位于上海漕河泾新兴技术开发区的上海新进半导体制造有限公司,却速度不减、几乎不受任何影响地快步发展,成为半导体制造业的一个新亮点,引起了业界人士的极大关注。 展开更多

关键词 0.8微米双极型工艺 市场战略 上海新进半导体制造有限公司 BICMOS工艺 DMOS工艺

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风起云涌的IC芯片制造市场

12

作者 张宁三 《集成电路应用》 2003年第1期64-65,共2页

1 前言 IC芯片产品应用日广,其范围涵盖消费性家电、游乐器材、个人电脑、通讯、工业控制以及国防工业,无处不见其主导及影响力。在过去40年里,全球整个IC芯片平均年增长率为17%,而2003及2004年又将恢复20%及22%年增长率。

关键词 IC芯片 市场 中国 电子工业 制造业

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CD-ROM/DVD马达驱动电路的设计与开发

13

作者 高勇进 张炜 +1 位作者 张志红 郑长武 《微型电脑应用》 2010年第4期29-32,68,共4页

本文介绍了一种CD-ROM/DVD马达驱动IC的设计和简洁地介绍了其职能。为例AM5954,本文给出了主要功能模块的电压基准的工作原理,热保护电路,当前的传输电路和级联与数学推导运算放大器。委员会还讨论了布局设计,尤其是困难和一个马达驱动... 本文介绍了一种CD-ROM/DVD马达驱动IC的设计和简洁地介绍了其职能。为例AM5954,本文给出了主要功能模块的电压基准的工作原理,热保护电路,当前的传输电路和级联与数学推导运算放大器。委员会还讨论了布局设计,尤其是困难和一个马达驱动集成电路布图设计的重点,提供相应的解决方案。 展开更多

关键词 带隙基准 温度滞后保护电流传输 级联运算放大器

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AP384XC系列PWM控制器的设计考虑

14

作者 Charles Sun 《电源世界》 2007年第9期49-51,共3页

AP384XC系列芯片是BCD推出的高性能电流型PWM控制器。和其他厂商的产品相比,具有低启动电流、低工作电流和内置过温关断保护功能。本文对比和说明了AP384XC与其他厂商产品之间的主要差异及与之相关的关键设计考虑,以消除因对其特性不了... AP384XC系列芯片是BCD推出的高性能电流型PWM控制器。和其他厂商的产品相比,具有低启动电流、低工作电流和内置过温关断保护功能。本文对比和说明了AP384XC与其他厂商产品之间的主要差异及与之相关的关键设计考虑,以消除因对其特性不了解而可能产生的滥用情况。 展开更多

关键词 AP384XC PWM控制器

原文传递

上海新进——专注于类比集成电路的代工——技术和服务

15

作者 任翀 《中国集成电路》 2003年第54期109-112,共4页

关键词 上海新进半导体制造有限公司 类比电路处理 类比IC 类比集成电路 电源管理

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打造世界一流的中国品牌IDM

16

作者 高勇进 《中国集成电路》 2006年第3期59-60,共2页

关键词 中国品牌 世界 半导体产业 中国大陆 国际资本 二十世纪 改革开放 经济建设 研发中心 设计中心

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AP384XC系列PWM控制器的设计考虑

17

作者 Charles Sun 《中国集成电路》 2007年第9期90-92,共3页

AP384XC系列芯片是BCD推出的高性能电流型PWM控制器。和其它竞争对手产品相比,具有低启动电流,低工作电流和内置过温关断保护功能。本文对比和说明了AP384XC与竞争对手产品之间的主要差异及与之相关的关键设计考虑,以消除因对其特性不... AP384XC系列芯片是BCD推出的高性能电流型PWM控制器。和其它竞争对手产品相比,具有低启动电流,低工作电流和内置过温关断保护功能。本文对比和说明了AP384XC与竞争对手产品之间的主要差异及与之相关的关键设计考虑,以消除因对其特性不了解而可能产生的滥用情况。 展开更多

关键词 AP384XC PWM 控制器 调节器 竞争对手 启动电流 短路保护 继电保护 电流型 辅助绕组 设计考虑

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上海新进1.5μ/12V双极集成电路工艺技术

18

《中国集成电路》 2003年第50期82-83,共2页

上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V 工艺,并正在生产出由20多个来自美、日、台湾及中国内地客户的60多种产品。

关键词 上海 新进半导体制造有限公司 双极集成电路 制造技术 MNOS NPN晶体管 电阻器

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基于AP3029的便携式数码产品背光驱动电源的设计与应用

19

作者 魏峰 《电源世界》 2007年第10期73-74,68,共3页

本文阐述了基于电感的白光二极管驱动芯片——AP3029的特点,作为一款PWM升压型DC-DC变换器,AP3029内部集成了功率开关管和肖特基二极管,可以降低系统成本,节省系统空间。由于采用恒流控制方式,有利于降低系统损耗,提高效率。此外,AP302... 本文阐述了基于电感的白光二极管驱动芯片——AP3029的特点,作为一款PWM升压型DC-DC变换器,AP3029内部集成了功率开关管和肖特基二极管,可以降低系统成本,节省系统空间。由于采用恒流控制方式,有利于降低系统损耗,提高效率。此外,AP3029采用SOT-23-6和TOST-23-6封装形式,内置功能完善的保护电路,是便携式数码产品的理想选择。 展开更多

关键词 白光二极管驱动器 脉冲宽度调制 基准电压

原文传递

CD/DVD-ROM马达驱动电路AAI5954设计开发

20

作者 张炜 高勇进 +1 位作者 黄绪江 王家斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期62-64,79,共4页

设计了一种可广泛应用于CD/DVD-ROM马达伺服系统的小功率马达驱动集成电路。简要描述了该电路的功能,特别介绍了一些主要电路功能模块的工作原理,并作了相应的数学推导。

关键词 带隙基准 热迟滞保护 电流传输器 CD/DVD-ROM 马达 驱动电路 AAI5954

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