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题名纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
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作者
黄康
李海华
王庆康
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机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期357-360,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60808014)
国家重点实验室基金资助项目(9140C790305090C79)
上海市纳米专项(0852nm06600)
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文摘
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF_6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O_2+SF_6,气体流量分别为40 cm^3/min和5 cm^3/min,压强9.31 Pa,RF功率20 W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好。
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关键词
纳米压印
反应离子刻蚀
去胶速率
正交试验
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Keywords
nano imprint lithography （NIL）
RIE
etching rate of photoresist
orthogonal test
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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